本書介紹了半導體、器件中各種噪聲現象的理論及其應用技術，包括：噪聲基礎、半導體器件的低噪聲化技術等7章。

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　　目錄

　　主要符號表

　　第一章 噪聲基礎

　　1.1 噪聲的數學基礎

　　1.1.1 概率密度函數與平均值

　　1.1.2 自相關函數與功率譜密度

　　1.1.3 噪聲量的迭加與相關

　　1.2 器件噪聲的表征參數

　　1.2.1 二端元器件噪聲的表征

　　1.2.2 等效輸入噪聲

　　1.2.3 噪聲系數

　　1.2.4 多級放大器的噪聲

　　1.2.5 噪聲帶寬

　　1.3 半導體器件噪聲的分類和特點

　　第二章 熱噪聲

　　2.1 熱噪聲模型

　　2.1.1 熱噪聲的完全表達式

　　2.1.2 擴散噪聲

　　2.1.3 熱電子噪聲

　　2.2 場效應晶體管的熱噪聲

　　2.2.1 溝道熱噪聲基本公式

　　2.2.2 JFET的溝道熱噪聲

　　2.2.3 MOSFET的溝道熱噪聲

　　2.2.4 感應柵噪聲

　　參考文獻

　　第三章 散粒噪聲

　　3.1 散粒噪聲的基本特性

　　3.2 半導體二極管的散粒噪聲

　　3.2.1 簡單模型

　　3.2.2 高頻模型

　　3.2.3 大注入模型

　　3.3 雙極晶體管的散粒噪聲

　　3.3.1 簡單模型

　　3.3.2 高頻模型

　　3.3.3 大注入模型

　　3.4 結型器件的其它散粒噪聲

　　3.4.1 pn結空間電荷區復合電流的散粒噪聲

　　3.4.2 pn結的雪崩噪聲

　　參考文獻

　　第四章 g-r噪聲

　　4.1 g-r噪聲的基本特性

　　4.2 JFET的g-r噪聲

　　4.2.1 柵結勢壘區中陷阱中心產生的g-r噪聲

　　4.2.2 溝道中的復合中心產生的g-r噪聲

　　4.3 雙極晶體管中的猝發噪聲

　　4.3.1 猝發噪聲的一般性質

　　4.3.2 猝發噪聲的物理機構

　　4.4 小尺寸MOSFET中的隨機電報噪聲（RTN）

　　參考文獻

　　第五章 1/f噪聲

　　5.1 概述

　　5.2 1/f噪聲模型

　　5.2.1 表面載流子數漲落模型

　　5.2.2 遷移率漲落模型

　　5.2.3 量子1/f噪聲

　　5.3 雙極晶體管的1/f噪聲

　　5.3.1 表面1/f噪聲

　　5.3.2 位錯1/f噪聲

　　5.3.3 1/f噪聲源的鑒別

　　5.3.4 量子1/f噪聲

　　5.4 場效應晶體管的1/f噪聲

　　5.4.1 MOSFET的表面1/f噪聲

　　5.4.2 FET的量子1/f噪聲

　　參考文獻

　　第六章 半導體器件的低噪聲化技術

　　6.1 實現半導體器件低噪聲化的基本原則

　　6.1.1 雙極晶體管的En-In模型

　　6.1.2 場效應晶體管的En-In

　　6.1.3 二端元器件的噪聲模型

　　6.1.4 實現低噪聲化的基本原則

　　6.2 模擬集成電路線路的低噪聲設計

　　6.2.1 差分輸入級的噪聲分析

　　6.2.2 復合管與單元電路的噪聲分析

　　6.2.3 線路的低噪聲設計原則

　　6.3 器件結構參數的低噪聲設計

　　6.3.1 低噪聲器件結構的選擇

　　6.3.2 版圖的低噪聲設計

　　6.3.3 雙極晶體管摻雜濃度分布的低噪聲設計

　　6.4 低噪聲工藝

　　6.4.1 低噪聲擴散工藝

　　6.4.2 表面鈍化工藝

　　6.4.3 完美晶體工藝

　　6.5 數字集成電路的噪聲

　　參考文獻

　　第七章 噪聲分析在半導體器件質量表征和可靠性評估中的

　　應用

　　7.1 用1/fγ噪聲表征金屬薄膜互連的電遷移

　　7.2 用1/fγ噪聲和RTN研究Si-SiO2界面附近的氧化層陷阱

　　7.2.1 用1/fγ噪聲測量確定氧化層陷阱密度的能量與空間分布

　　7.2.2 用RTN測量確定氧化層陷阱的深度和俘獲截面

　　7.3 用g-r噪聲分析半導體材料與器件中的深能級雜質

　　7.3.1 理論

　　7.3.2 實驗

　　7.4 1/f噪聲與半導體器件參數漂移失效的相關性

　　7.4.1 1/f噪聲與雙極晶體管的hFE漂移

　　7.4.2 1/f噪聲與MOSFET的負溫偏不穩定性

　　7.4.3 1/f噪聲與電離輻照引起的MOS器件閾值電壓漂移

　　7.4.4 1/f噪聲與穩壓二極管的基準電壓退化