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高壓懸浮門驅動IC的應用指南的資料合集免費下載

2512129 2020-05-25 | pdf | 0.43 MB | 次下載 | 2積分

資料介紹

本文檔的主要內容詳細介紹的是高壓懸浮門驅動IC的應用指南的資料合集免費下載對于采用功率MOSFET或者IGBT作為高端開關（漏極跟高電壓輸入線相連，如圖1所示）并在全增強（也就是說，兩個端子之間有最低的壓降）下驅動的門驅動要求可以總結如下：

　　1. 門極電壓必須比漏極高出10V到15V。作為一個高端開關，這樣的門電壓必定比輸入電壓高，通常是系統可提供的最高電壓。

　　2. 門極電壓一定是通過邏輯信號控制的，而信號本身通常以地為參考。因此必須把邏輯控制電平轉換到高端功率器件的源極。在多數情況下，這個電平會在輸入和地之間變化。

　　3. 門極驅動電路所消耗的功率不應該明顯地影響整體效率。

　　有了這些約束之后，目前有幾種技術用來實現這個功能，如表格I原理所示那樣（見29頁）。每種基本電路可以由各式各樣的方法實現。國際整流器公司的MOS門驅動器族（MGD）集成了大部分所要求的功能，將絕大部分用來驅動高壓側和低壓側的MOSFET或IGBT的功能都集成在一個緊湊、高性能封裝里。對IRS2110來說，只要提供少數幾個元件，就可以達到高速的開關頻率，同時損耗很低。如表格II中所示（見30頁）。它們可以通過自舉或者懸浮電源的方式工作。在這種自舉模式下使用，它們能工作于從數十赫茲到幾百kHz范圍的大多數應用。