.　　BTN7971B是一個集成的大電流半橋電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。它是Novalistic?系列的一部分，包含一個P通道高側(cè)MOSFET和一個N通道低側(cè)MOSFET，一個封裝中帶有集成驅(qū)動IC。由于P通道高壓側(cè)開關(guān)，因此無需充電泵，從而將EMI降至最低。集成驅(qū)動芯片易于與微控制器接口，具有邏輯電平輸入、電流檢測診斷、轉(zhuǎn)換率調(diào)整、死區(qū)時間產(chǎn)生和過溫、過電壓、欠壓、過流和短路保護(hù)等特點。

　　BTN797 1B提供了一種用于保護(hù)高電流PWM電機(jī)驅(qū)動器的成本優(yōu)化解決方案，具有非常低的電路板空間消耗。

　　BTN7971B是Novalistic?系列的一部分，包含三個單獨的芯片，一個封裝在一個封裝中：一個P通道高側(cè)MOSFET和一個N通道低側(cè)MOSFET以及一個驅(qū)動IC，形成一個集成的大電流半橋。三個芯片均安裝在一個通用引線框架上，采用片上芯片和逐片技術(shù)。電源開關(guān)采用垂直MOS技術(shù)，以確保最佳的通態(tài)電阻。由于P溝道高邊開關(guān)，電荷泵的需要被消除，從而最小化EMI。集成驅(qū)動芯片易于與微控制器接口，具有邏輯電平輸入、電流檢測診斷、轉(zhuǎn)換率調(diào)整、死區(qū)時間產(chǎn)生和過溫、過電壓、欠壓、過流和短路保護(hù)等特點。BTN7971B可與其他BTN7971B組合，形成HBridge和3相驅(qū)動配置。

　　特征

　　?150°C時最大路徑電阻為30.5 MΩ（典型16 MΩ@25°C）

　　高壓側(cè)：最大12.8 MΩ@150°C（典型7 MΩ@25°C）

　　低壓側(cè)：最大17.7 MΩ@150°C（典型9 MΩ@25°C）

　　?典型的低靜態(tài)電流。7μA @ 25°C

　　?高達(dá)25 kHz的脈寬調(diào)制能力，結(jié)合主動飛輪

　　?提高開關(guān)速度，減少開關(guān)損耗

　　?開關(guān)模式電流限制，以減少過流中的功耗

　　?電流限制水平為50 A最小值/70 A典型值。（下側(cè)）

　　?具有當(dāng)前感知能力的狀態(tài)標(biāo)志診斷

　　?超溫關(guān)閉，帶鎖扣行為

　　?過電壓鎖定

　　?欠壓停機(jī)

　　?帶邏輯電平輸入的驅(qū)動電路

　　?可調(diào)轉(zhuǎn)換速率，優(yōu)化EMI

　　?綠色產(chǎn)品（符合RoHS）

　　?符合AEC標(biāo)準(zhǔn)