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特性
? 采樣速率：200 Msps
? fIN = 15 MHz 且幅值為 -1 dBFS 時的信噪比（Signalto-Noise
Ratio， SNR）：
- 200 Msps 時為 67 dBFS （典型值）
? fIN = 15 MHz 且幅值為 -1 dBFS 時的無雜散動態(tài)范
圍 （Spurious-Free Dynamic Range， SFDR）：
- 200 Msps 時為 96 dBc （典型值）
? 使用 LVDS 數(shù)字 I/O 時的功耗：
- 200 Msps 時為 338 mW
? 使用 CMOS 數(shù)字 I/O 時的功耗：
- 200 Msps 時為 306 mW，輸出時鐘 = 100 MHz
? 不使用數(shù)字 I/O 時的功耗：
- 200 Msps 時為 257 mW
? 節(jié)能模式：
- 待機(jī)期間功耗為 80 mW
- 關(guān)斷期間功耗為 33 mW
? 供電電壓：
- 數(shù)字部分：1.2V 和 1.8V
- 模擬部分：1.2V 和 1.8V
? 可選擇的滿量程輸入范圍：最高為 1.8 VP-P
? 模擬輸入帶寬：650 MHz
? 輸出接口：
- 并行 CMOS 和 DDR LVDS
? 輸出數(shù)據(jù)格式：
- 二進(jìn)制補(bǔ)碼或偏移二進(jìn)制
? 可選的輸出數(shù)據(jù)隨機(jī)數(shù)發(fā)生器
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