引言

全球能源結(jié)構(gòu)的變革深刻影響著電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，以IGBT為代表的功率半導體器件是電力電子設(shè)備能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)年P(guān)鍵，在新能源汽車、光伏儲能、軌道交通等多個關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)廣泛應(yīng)用。隨著電力電子設(shè)備在多重非平穩(wěn)工況下的大量投用，可靠性問題日益突出，功率半導體器件的性能表征成為行業(yè)的研究熱點。

一、功率半導體應(yīng)用現(xiàn)狀

隨著新能源汽車800V高壓快充技術(shù)的興起，SiC憑借其高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率以及高鍵合能等一系列顯著優(yōu)勢，成為功率半導體產(chǎn)業(yè)競相追逐的“風口”。在實際應(yīng)用中，搭載碳化硅功率器件的高壓系統(tǒng)通常能夠在短短十多分鐘內(nèi)將電池電量從10%快速充至80%。然而，SiC功率器件在運行時會承受復雜的電-磁-熱-機械應(yīng)力，其電壓電流能力的提升，開關(guān)速度和功率密度的提升，對器件的性能和可靠性提出了更高的要求。

功率半導體器件在使用過程中可能會因為多重因素導致失效，而這些不同因素所引發(fā)的失效形式也各不相同。因此，對失效機理進行深入分析以及準確辨識缺陷，是提高器件性能的重要前提。

二、功率半導體性能表征測試挑戰(zhàn)

功率半導體的性能表征，最早主要以測試二極管和三極管等分立器件的DC參數(shù)為主。MOSFET和SiC、GaN出現(xiàn)后，測試技術(shù)研究的重點放在GaN HEMT、SiC MOS、IGBT單管、PIM（即IGBT模組）等類型的產(chǎn)品上。根據(jù)測試條件不同，功率器件被測參數(shù)可分為兩大類：靜態(tài)特性測試和動態(tài)特性測試。靜態(tài)特性測試主要是表征器件本征特性指標，如擊穿電壓V(BR)DSS、漏電流ICES/IDSS/IGES/IGSS、閾值電壓VGS(th)、跨導Gfs、二極管壓降VF、導通內(nèi)阻RDS(on)等；動態(tài)參數(shù)是指器件開關(guān)過程中的相關(guān)參數(shù)，這些參數(shù)會隨著開關(guān)條件如母線電壓、工作電流和驅(qū)動電阻等因素的改變而變化，如開關(guān)特性參數(shù)、體二極管反向恢復特性參數(shù)及柵極電荷特性參數(shù)等，主要采用雙脈沖測試進行。

靜態(tài)參數(shù)是動態(tài)指標的前提，目前功率半導體器件的靜態(tài)特性主要是依據(jù)半導體器件公司提供的Datasheet來進行測試。然而，功率半導體器件常被應(yīng)用于高速開通及關(guān)斷工作狀態(tài)下，器件絕大部分失效機理都發(fā)生在動態(tài)變化過程中，因此動、靜態(tài)參數(shù)的測試對功率半導體器件都很重要。此外，以SiC為代表的第三代半導體器件耐壓等級更高，且經(jīng)過串/并聯(lián)應(yīng)用于更高電壓/功率等級的裝備，對制造過程各階段的測試要求也提出了新的挑戰(zhàn)：

1、靜態(tài)測試高電流電壓等級與閾值電壓漂移

隨著功率半導體器件（如MOSFET、IGBT、SiC MOS）規(guī)格的不斷提升，靜態(tài)測試中的電流電壓等級要求也越來越高，要求測試系統(tǒng)必須能夠穩(wěn)定、準確地提供和測量高電壓和大電流。同時還需要在測試過程中減少施加應(yīng)力的時間，以防止器件過熱損壞。此外，SiC閾值電壓漂移是功率器件測試過程中常見的問題，閾值電壓漂移會對功率器件的開關(guān)特性產(chǎn)生影響，可能會引起器件的誤導通，從而導致器件的損壞。

圖：JEDEC JEP183、CASAS中Sic VGS(th)的測試標準

2、動態(tài)測試寄生電感與寄生電容的影響及測試設(shè)備要求

在功率半導體器件的動態(tài)測試過程中，寄生電感和寄生電容對測試結(jié)果影響巨大。寄生電感主要來源于PCB連接線以及器件封裝，而功率器件的電流變化率大，使寄生電感對測試結(jié)果也會產(chǎn)生影響。同時，雙脈沖測試電路中除了器件的結(jié)電容外，續(xù)流二極管和負載電感上均存在寄生電容，這兩個寄生電容對器件的開通過程有明顯影響。此外，功率器件的開關(guān)速度高，要求測試設(shè)備具有較高的帶寬以準確采集開關(guān)波形的上升沿和下降沿。

3、全測試流程節(jié)點增加

對于PIM和IPM等功率模塊，實際是由單管組合的，單管的良率和質(zhì)量將直接影響模塊的成本和質(zhì)量，為降低模塊的封裝和制造成本，業(yè)內(nèi)已經(jīng)考慮增加測試節(jié)點和測試左移，從CP+FT測試，變?yōu)镃P + KGD + DBC + FT測試。

圖：功率半導體器件測試流程節(jié)點

三、普賽斯功率半導體一站式測試解決方案

為應(yīng)對行業(yè)對功率半導體器件的測試需求，普賽斯儀表以核心源表為基礎(chǔ)，正向設(shè)計、精益打造了一站式高精密電壓-電流的功率半導體電性能測試解決方案，廣泛適用于從實驗室到小批量、大批量產(chǎn)線的全方位應(yīng)用。設(shè)備具有高精度與大范圍測試能力（10kV/6000A）、多元化測試功能(直流IV/脈沖IV/CV/跨導）、高低溫測試能力（-55℃~250℃），滿足功率半導體行業(yè)對測試能力、精度、速度及穩(wěn)定性的高要求。

圖：PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

圖：PSS TEST靜態(tài)高低溫半自動測試系統(tǒng)

圖：PMST-MP靜態(tài)參數(shù)半自動化測試系統(tǒng)

圖：PMST-AP靜態(tài)參數(shù)全自動化測試系統(tǒng)

精準始于源頭。普賽斯儀表作為率先自主研發(fā)、國內(nèi)首家將高精密源/測量單元SMU產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)，經(jīng)過長期深入的研發(fā)應(yīng)用，已經(jīng)完全掌握了源測量單元的邏輯與算法，確保測試結(jié)果的準確性與可靠性。PMST功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)系列產(chǎn)品采用模塊化的設(shè)計結(jié)構(gòu)，集成自主研發(fā)的高壓測試單元、大電流測試單元、小功率測試單元，為用戶后續(xù)靈活添加或升級測量模塊以適應(yīng)不斷變化的測量需求，提供了極大便捷和最優(yōu)性價比，具有高度易用性和可擴展性，任何工程師都能快速掌握并使用。

01大電流輸出響應(yīng)快，無過沖

自主研發(fā)的高效能脈沖式大電流源，其輸出建立過程響應(yīng)迅速，且無過沖現(xiàn)象。在測試環(huán)節(jié)，大電流的典型上升時間僅為15μs，脈沖寬度可在50~500μs之間靈活調(diào)整。采用此種脈沖大電流測試方法，能夠顯著降低因器件自身發(fā)熱所引發(fā)的誤差，確保測試結(jié)果的精確性與可靠性。

02高壓測試支持恒壓限流，恒流限壓模式

自主研發(fā)的高性能高壓源，其輸出建立與斷開反應(yīng)迅速，且無過沖現(xiàn)象。在進行擊穿電壓測試時，可靈活設(shè)定電流限制或電壓限值，以確保設(shè)備不因過壓或過流而受損，有效保護器件的安全性和穩(wěn)定性。

此外，應(yīng)用端的多樣化導致功率半導體廠商需要根據(jù)實際需求進行定制化封裝，封裝形式的多樣性亦給測試工作帶來不小的挑戰(zhàn)，普賽斯儀表可提供多樣化、精細化、定制化的夾具解決方案，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的電性能表征和測試需求。同時，普賽斯儀表與上下游企業(yè)進行緊密合作，共同推動功率器件測試產(chǎn)品線的完善，幫助半導體企業(yè)提高測試效率以及產(chǎn)線UPH。

結(jié)語

目前，普賽斯儀表功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)已經(jīng)銷往全國并出口海外，被國內(nèi)外多家半導體頭部企業(yè)認可。我們堅信，通過持續(xù)的技術(shù)研發(fā)與國際合作，秉持創(chuàng)新引領(lǐng)、質(zhì)量為先的理念，不斷突破技術(shù)壁壘，優(yōu)化產(chǎn)品性能，未來普賽斯儀表將為全球客戶提供更加精準、高效、可靠的功率半導體測試解決方案。