資料介紹
什么是DRAM?
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態隨機存取存儲器,最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據)
工作原理
動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。

DRAM數據線
3管動態RAM的基本存儲電路如圖所示。在這個電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開的,讀數據線和寫數據線也是分開的。
寫操作時,寫選擇線為“1”,所以Q1導通,要寫入的數據通過Q1送到Q2的柵極,并通過柵極電容在一定時間內保持信息。
讀操作時,先通過公用的預充電管Q4使讀數據線上的分布電容CD充電,當讀選擇線為高電平有效時,Q3處于可導通的狀態。若原來存有“1”,則Q2導通,讀數據線的分布電容CD通過Q3、Q2放電,此時讀得的信息為“0”,正好和原存信息相反;若原存信息為“0”,則Q3盡管具備導通條件,但因為Q2截止,所以,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息為“1”。可見,對這樣的存儲電路,讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進行反相再送往數據總線。
什么是NAND?
NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲設備,在不超過4GB的低容量應用中表現得猶為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品,NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術,即斷電后仍能保存數據。它的發展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。
工作原理
閃存結合了EPROM的高密度和EEPROM結構的變通性的優點。

EPROM是指其中的內容可以通過特殊手段擦去,然后重新寫入。其基本單元電路如下圖所示。常采用浮空柵雪崩注入式MOS電路,簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似,是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區,通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個多晶硅柵極浮空在絕緣層中,與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0,浮空柵極帶電后(例如負電荷),就在其下面,源極和漏極之間感應出正的導電溝道,使MOS管導通,即表示存入0.若浮空柵極不帶電,則不能形成導電溝道,MOS管不導通,即存入1。
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態隨機存取存儲器,最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據)
工作原理
動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。

DRAM數據線
3管動態RAM的基本存儲電路如圖所示。在這個電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開的,讀數據線和寫數據線也是分開的。
寫操作時,寫選擇線為“1”,所以Q1導通,要寫入的數據通過Q1送到Q2的柵極,并通過柵極電容在一定時間內保持信息。
讀操作時,先通過公用的預充電管Q4使讀數據線上的分布電容CD充電,當讀選擇線為高電平有效時,Q3處于可導通的狀態。若原來存有“1”,則Q2導通,讀數據線的分布電容CD通過Q3、Q2放電,此時讀得的信息為“0”,正好和原存信息相反;若原存信息為“0”,則Q3盡管具備導通條件,但因為Q2截止,所以,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息為“1”。可見,對這樣的存儲電路,讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進行反相再送往數據總線。
什么是NAND?
NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲設備,在不超過4GB的低容量應用中表現得猶為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品,NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術,即斷電后仍能保存數據。它的發展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。
工作原理
閃存結合了EPROM的高密度和EEPROM結構的變通性的優點。

EPROM是指其中的內容可以通過特殊手段擦去,然后重新寫入。其基本單元電路如下圖所示。常采用浮空柵雪崩注入式MOS電路,簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似,是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區,通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個多晶硅柵極浮空在絕緣層中,與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0,浮空柵極帶電后(例如負電荷),就在其下面,源極和漏極之間感應出正的導電溝道,使MOS管導通,即表示存入0.若浮空柵極不帶電,則不能形成導電溝道,MOS管不導通,即存入1。
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