資料介紹
LDMOS晶體管為CMOS器件,用于高頻和高功率的應(yīng)用。這些器件廣泛應(yīng)用于RF功率放大器應(yīng)用,例如GSM和CDMA移動電話基站、雷達、CATV和便攜式無線設(shè)備。這些器件在工作時由于熱載流子注射效應(yīng)而在漏一柵區(qū)域聚集電荷,導(dǎo)致在施加固定柵極偏置電壓(VGS)時,其靜態(tài)電流(IDQ)會隨溫度變化而產(chǎn)生顯著漂移。
為保持具有最大輸出功率同時具有良好的線性度,需要在整個工作溫度范圍內(nèi)保持IDQ處于恒定值。為達到此目標,柵極偏置電壓需要在工作時進行調(diào)整,以補償溫度變化產(chǎn)生的影響。
對于基站功放模塊(power amplifier module,PAM)應(yīng)用,工程師通常在電路中選用模數(shù)轉(zhuǎn)換器( Digital-to-Analog Converter,DAC)來實現(xiàn)偏置電壓控制。在實際應(yīng)用中,偏置電壓控制電路使IDQ穩(wěn)定在+4%變化范圍內(nèi)。本應(yīng)用筆記介紹了如何使用模數(shù)轉(zhuǎn)換器來實現(xiàn)偏置電壓控制。
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