資料介紹
EOS是英文Electrical Over Stress的首字母縮寫,其意為電氣過應力 ,意思就是有過高的電壓和/或電流信號加到了受試對象上,它受不了了,被損壞了,所以說“過”了。
要生成EOS可以有三種方法:高電壓,大電流,高電壓+大電流,其實ESD事件只是EOS的其中一種短時間的高壓,所以針對EOS,必須要考慮更大的電流和持續時間。
我們的手機的充電環境越來越復雜,有車充,有太陽能充電器,有墻充,山寨充電、快充等,脆弱的手機必須承受各類充電器的。 而更多手機因為充電回路的過壓過流造成PMU,或者充電IC的損傷,形成故障。
欠發達國家,例如印度和非洲已經是EOS事件的重災區,這些都是電網在落后地區更不穩定的原因。所以手機方案公司都已經針對EOS 提供可靠的解決方案了。
雷卯電子根據華為、OPPO等客戶的需求,研發了可靠的多種解決方案,供大家參考下目前EOS的解決方案。
EOS測試需求指標:
國內目前標準里還沒有具體的過壓測試的指標,但是涉及出口的產品,都會提出相關的需求,從2015年的過壓浪涌300V,到目前已經有客戶需要測試500V。都顯示了客戶對過壓可靠性的高要求。
過壓保護其實很簡單,但是在手機中確實有難點,難點在哪兒,在于手機的空間有限,我們必須設計出足夠大的芯片,封裝在足夠小的體積中。


以上組合方案用到三顆料特點介紹下:
PSMFJ24CA 是SOD-123FL封裝的大功率TVS芯片,功率可以達到5000W,經過測試可以滿足250A,箝位電壓30V的性能要求,初級保護根據終端要求,可以選擇7V和12V產品。
要生成EOS可以有三種方法:高電壓,大電流,高電壓+大電流,其實ESD事件只是EOS的其中一種短時間的高壓,所以針對EOS,必須要考慮更大的電流和持續時間。
我們的手機的充電環境越來越復雜,有車充,有太陽能充電器,有墻充,山寨充電、快充等,脆弱的手機必須承受各類充電器的。 而更多手機因為充電回路的過壓過流造成PMU,或者充電IC的損傷,形成故障。
欠發達國家,例如印度和非洲已經是EOS事件的重災區,這些都是電網在落后地區更不穩定的原因。所以手機方案公司都已經針對EOS 提供可靠的解決方案了。
雷卯電子根據華為、OPPO等客戶的需求,研發了可靠的多種解決方案,供大家參考下目前EOS的解決方案。
EOS測試需求指標:
國內目前標準里還沒有具體的過壓測試的指標,但是涉及出口的產品,都會提出相關的需求,從2015年的過壓浪涌300V,到目前已經有客戶需要測試500V。都顯示了客戶對過壓可靠性的高要求。
過壓保護其實很簡單,但是在手機中確實有難點,難點在哪兒,在于手機的空間有限,我們必須設計出足夠大的芯片,封裝在足夠小的體積中。


以上組合方案用到三顆料特點介紹下:
PSMFJ24CA 是SOD-123FL封裝的大功率TVS芯片,功率可以達到5000W,經過測試可以滿足250A,箝位電壓30V的性能要求,初級保護根據終端要求,可以選擇7V和12V產品。
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