寬輸入、高輸出電流的非隔離降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)采用Egan FET

　　設(shè)計(jì)和建設(shè)隔離，降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器具有寬輸入電壓范圍和高輸出電流在標(biāo)準(zhǔn)5 V輸出使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)，但性能有限，特別是在低負(fù)載和高輸入電壓。更重要的是，隨著硅的成熟，擠壓更多的汁液從寬輸入降壓DC / DC轉(zhuǎn)換器在輕負(fù)載時(shí)，可能是具有挑戰(zhàn)性的，如果輸入電壓高。與硅MOSFET，增強(qiáng)型氮化鎵基場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Egan）承諾過(guò)的輸入和輸出參數(shù)的一組相同寬的負(fù)載提供更好的性能。事實(shí)上，因?yàn)檫@些寬帶隙器件工作在更高的速度與更高的擊穿電壓和較低的導(dǎo)通電阻，它們可以提供更高的效率，在廣泛的負(fù)載變化，同時(shí)最大限度地減少空間和成本。

　　由于伊根FET是建立在硅襯底上，成本差異正在縮小，商業(yè)加速提高。高效的功率轉(zhuǎn)換（EPC），例如，已經(jīng)在基于硅的伊根FET在過(guò)去的四年里提供氮化鎵和繼續(xù)擴(kuò)大其產(chǎn)品組合。此外，幫助設(shè)計(jì)師從硅伊根FET，公司建有許多評(píng)估板與伊根FET在特定的降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)硅MOSFET的性能比較（見(jiàn)高新區(qū)的文章。“開(kāi)發(fā)板使評(píng)價(jià)伊根FET簡(jiǎn)單”）。此外，EPC已經(jīng)建立了許多演示板，提供了一個(gè)完整的參考設(shè)計(jì)，使用這些寬帶隙器件在特定的DC / DC轉(zhuǎn)換器電路。

　　For example， in this article， we will investigate a wide-input， 20 A non-isolated buck DC/DC converter design using EPC’s eGaN FETs， such asEPC2001 and EPC2021， over a wide-load variation. The buck controller used in this design is Linear Technology’s LTC3891， which integrates the driver and uses a constant frequency current-mode architecture. This DC/DC buck converter is designed for distributed-power solutions in telecom， industrial， and medical applications.