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用于光電化學(xué)太陽電池中半導(dǎo)體電極研究的材料包括有：Si、Ⅱ
-Ⅵ族化合物CdX（X=S、Se、Te）、Ⅲ-Ⅴ族化合物（GaAs、InP）、
二硫族層狀化合物（MoS2、FeS2）、三元化合物（CuInSe2、CuInS2、
AgInSe2）及氧化物半導(dǎo)體（TiO2、ZnO、Fe2O3）等，其中窄禁帶半
導(dǎo)體（Eg≤2.0eV）可獲得較高的光電轉(zhuǎn)換效率，但存在光腐蝕現(xiàn)象，
寬禁帶半導(dǎo)體（Eg≥3.0eV）有良好的穩(wěn)定性，但對(duì)太陽能的吸收率
低。因此大量的研究工作都是圍繞提高光電效率和穩(wěn)定性進(jìn)行的。
-Ⅵ族化合物CdX（X=S、Se、Te）、Ⅲ-Ⅴ族化合物（GaAs、InP）、
二硫族層狀化合物（MoS2、FeS2）、三元化合物（CuInSe2、CuInS2、
AgInSe2）及氧化物半導(dǎo)體（TiO2、ZnO、Fe2O3）等，其中窄禁帶半
導(dǎo)體（Eg≤2.0eV）可獲得較高的光電轉(zhuǎn)換效率，但存在光腐蝕現(xiàn)象，
寬禁帶半導(dǎo)體（Eg≥3.0eV）有良好的穩(wěn)定性，但對(duì)太陽能的吸收率
低。因此大量的研究工作都是圍繞提高光電效率和穩(wěn)定性進(jìn)行的。
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