開關電源知識培圳資料的內容有：功率電子器件,功率電子器件及其應用要求
功率電子器件大量被應用于電源、伺服驅動、變頻器、電機保護器等功率電子設備。這些設備都是自動化系統中必不可少的，因此，我們了解它們是必要的。
近年來，隨著應用日益高速發展的需求，推動了功率電子器件的制造工藝的研究和發展，功率電子器件有了飛躍性的進步。器件的類型朝多元化發展，性能也越來越改善。大致來講，功率器件的發展，體現在如下方面：
1． 器件能夠快速恢復，以滿足越來越高的速度需要。以開關電源為例，采用雙極型晶體管時，速度可以到幾十千赫；使用MOSFET和IGBT，可以到幾百千赫；而采用了諧振技術的開關電源，則可以達到兆赫以上。
2． 通態壓降（正向壓降）降低。這可以減少器件損耗，有利于提高速度，減小器件體積。
3． 電流控制能力增大。電流能力的增大和速度的提高是一對矛盾，目前最大電流控制能力，特別是在電力設備方面，還沒有器件能完全替代可控硅。
4． 額定電壓：耐壓高。耐壓和電流都是體現驅動能力的重要參數，特別對電力系統，這顯得非常重要。
5． 溫度與功耗。這是一個綜合性的參數，它制約了電流能力、開關速度等能力的提高。目前有兩個方向解決這個問題，一是繼續提高功率器件的品質，二是改進控制技術來降低器件功耗，比如諧振式開關電源。
總體來講，從耐壓、電流能力看，可控硅目前仍然是最高的，在某些特定場合，仍然要使用大電流、高耐壓的可控硅。但一般的工業自動化場合，功率電子器件已越來越多地使用MOSFET和IGBT，特別是IGBT獲得了更多的使用，開始全面取代可控硅來做為新型的功率控制器件。

第二節：功率電子器件概覽
一． 整流二極管：
二極管是功率電子系統中不可或缺的器件，用于整流、續流等。目前比較多地使用如下三種選擇：
1． 高效快速恢復二極管。壓降0.8-1.2V，適合小功率，12V左右電源。
2． 高效超快速二極管。0.8-1.2V，適合小功率，12V左右電源。
3． 肖特基勢壘整流二極管SBD。0.4V，適合5V等低壓電源。缺點是其電阻和耐壓的平方成正比，所以耐壓低（200V以下），反向漏電流較大，易熱擊穿。但速度比較快，通態壓降低。
目前SBD的研究前沿，已經超過1萬伏。
二．大功率晶體管GTR
    分為：
單管形式。電流系數：10-30。
雙管形式——達林頓管。電流倍數：100-1000。飽和壓降大，速度慢。下圖虛線部分即是達林頓管。

第三節：功率場效應管MOSFET
第四節：絕緣柵雙極晶體管IGBT
又叫絕緣柵雙極型晶體管。
一．原理：
    半導體結構分析略。本講義附加了相關資料，供感興趣的同事可以查閱。