資料介紹
在人們的日常工作生活中,靜電放電(ESD)現象可謂無處不在,瞬間產生的上升時間低于
納秒(ns)、持續時間可達數百納秒且高達數十安培的電流,會對手機、筆記本電腦等電子
系統造成損傷。對于電子系統設計人員而言,如果沒有采取適當的ESD 保護措施,所設計的電子產品就會有遭到損傷的可能。因此,電子系統設計中的一項重要課題便是確保使其能夠承受ESD 的沖擊,并繼續正常工作。
ESD 保護方法
為了給電子系統提供ESD 保護,可以從不同的角度來著手。一種方法是在半導體芯片內
建ESD 保護架構。不過,日趨縮小的CMOS 芯片已經越來越不足以承受進行內部2 kV
等級的ESD 保護所需要的面積。安森美半導體標準產品部亞太區市場營銷副總裁麥滿權
指出:真正有效的ESD 保護是不能完全集成到CMOS 芯片之中的!
其次,也可以在物理電路設計方面下功夫,較敏感的電路元件應該盡量遠離通孔或接縫
處,如果可能的話,線纜連接器的接地應該要在系統信號引腳接觸前先連接到系統的接
地,通過這樣的方式,線纜上所發生的放電事件就比較不會造成干擾或破壞。
此外,軟件也能夠為ESD 設計作出貢獻。系統連接的感測器比較容易受到ESD 的沖擊,
造成接口電路的鎖住情況,而能夠感測鎖住情況的軟件則可以用來重置接口電路且無須操作人員的接入。
納秒(ns)、持續時間可達數百納秒且高達數十安培的電流,會對手機、筆記本電腦等電子
系統造成損傷。對于電子系統設計人員而言,如果沒有采取適當的ESD 保護措施,所設計的電子產品就會有遭到損傷的可能。因此,電子系統設計中的一項重要課題便是確保使其能夠承受ESD 的沖擊,并繼續正常工作。
ESD 保護方法
為了給電子系統提供ESD 保護,可以從不同的角度來著手。一種方法是在半導體芯片內
建ESD 保護架構。不過,日趨縮小的CMOS 芯片已經越來越不足以承受進行內部2 kV
等級的ESD 保護所需要的面積。安森美半導體標準產品部亞太區市場營銷副總裁麥滿權
指出:真正有效的ESD 保護是不能完全集成到CMOS 芯片之中的!
其次,也可以在物理電路設計方面下功夫,較敏感的電路元件應該盡量遠離通孔或接縫
處,如果可能的話,線纜連接器的接地應該要在系統信號引腳接觸前先連接到系統的接
地,通過這樣的方式,線纜上所發生的放電事件就比較不會造成干擾或破壞。
此外,軟件也能夠為ESD 設計作出貢獻。系統連接的感測器比較容易受到ESD 的沖擊,
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