SST38VF6401、 SST38VF6402、 SST38VF6403 和 SST38VF6404 器件是采用 SST 專有的高性能 CMOS SuperFlash 技術(shù)制造的 4M x16 CMOS 高級多用途閃存 +（Advanced MPF+）器件。與其他方法相比，分離柵極單元設(shè)計和厚氧化層隧穿注入器可實現(xiàn)更高的可靠性和可制造性。 SST38VF6401/ 6402/6403/6404 使用 2.7-3.6V 電源進(jìn)行寫操作 （編程或擦除）。這些器件遵從 x16 存儲器的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)引腳分配。 SST38VF6401/6402/6403/6404 具有高性能的字編程能力，其典型字編程時間為 7 μs。寫緩沖區(qū)編程功能的典型字編程時間為 1.75 μs，可支持更快速的字編程性能。這些器件使用翻轉(zhuǎn)位或數(shù)據(jù) # 查詢來指示編程操作是否完成。除了單字讀取之外， Advanced MPF+ 器件還提供了頁讀功能，對于同一頁上的字，可支持 25 ns 的更快字讀取時間。為了防止意外寫操作，SST38VF6401/6402/6403/6404 提供了片上硬件和軟件數(shù)據(jù)保護(hù)方案。這些器件針對一系列廣泛應(yīng)用進(jìn)行設(shè)計、制造和測試，可擦寫次數(shù)為 100，000 次 （最小值）。數(shù)據(jù)額定保存時間則大于 100 年。 SST38VF6401/6402/6403/6404 適用于需要方便且經(jīng)濟(jì)地更新程序、配置或數(shù)據(jù)存儲器的應(yīng)用。對于所有系統(tǒng)應(yīng)用， Advanced MPF+ 都可以顯著提高性能和可靠性，同時降低功耗。相較于其他閃存技術(shù)，這些器件本質(zhì)上在擦除和編程期間消耗的能量更低。消耗的總能量是應(yīng)用中施加電壓、電流和時間的函數(shù)。對于任何給定的電壓范圍，SuperFlash 技術(shù)的編程電流更低、擦除時間更短；因此，在任何擦除或編程操作期間消耗的總能量低于其他閃存技術(shù)。在降低程序、數(shù)據(jù)和配置存儲應(yīng)用成本的同時，這些器件還可以提高靈活性。SuperFlash 技術(shù)支持固定的擦除和編程時間，時間與所發(fā)生的擦除 / 編程周期數(shù)無關(guān)。因此，系統(tǒng)軟件或硬件不需要進(jìn)行修改或降額，這一點不同于其他一些擦除和編程時間會隨擦除 / 編程周期數(shù)累積而增加的閃存技術(shù)。 SST38VF6401/6402/6403/6404 還提供了靈活的數(shù)據(jù)保護(hù)功能。需要通過存儲器保護(hù)功能來防止編程和擦除操作的應(yīng)用可以使用引導(dǎo)塊保護(hù)、獨立塊保護(hù)和高級保護(hù)功能。對于需要永久性解決方案的應(yīng)用，可通過不可逆塊鎖定功能為存儲塊提供永久性保護(hù)。為了滿足高密度、表面貼裝的要求，SST38VF6401/6402/6403/6404 器件提供了 48 引腳 TSOP 和 48 球 TFBGA 封裝。關(guān)于引腳分配，請參見圖 2 和圖 3 ；關(guān)于引腳說明，請參見表 1。