半導體基礎知識的總結

半導體技術復習資料

一、名詞解釋、選擇和填空題復習內容

※1、雙極性晶體管穿通電壓（P102）：當基區寬度較小、雜質濃度較低時。。。這種情況稱

※2、n溝道結型場效應管n-JFET（P133）：在一塊n型半導體。。。晶體管稱為溝道n-JFET。

3、JFET的漏源電導gds（P140）：

※4、雪崩擊穿：當N區（P區）的一個雜散空穴（電子）進入空間電荷層時，在它掠向P區（N區）的過程中，它將從電場獲得動能。空穴（電子）帶著高能和晶格碰撞，并從晶格中電離出一個電子，產生一個電子-空穴對。在第一次碰撞之后，原始和產生的載流子將繼續它們的行程，并且可能發生更多的碰撞，產生更多的載流子。結果，載流子的增加是倍增過程，稱為雪崩倍增或碰撞電離，由此造成的ＰＮ結擊穿稱為雪崩擊穿。

5、ＰＮ結：任何兩種物質（絕緣體除外）的冶金學接觸都稱為結或接觸。由Ｎ型和Ｐ型半導體形成的結稱為ＰＮ結。

※6、同質結：由同種半導體構成的結稱為同質結。同質結又有同型同質結和異型同質結之分（這里指的是導電類型）。

※7、異質結：由不同種半導體構成的結稱為異質結。異質結又有同型異質結和異型異質結之分（這里指的是導電類型）。

※8、金屬—半導體結：由金屬和半導體形成的結稱為金屬—半導體結，又稱為金屬半導體接觸。

9、突變結：Ｐ型區和Ｎ型區之間的雜質分布變化陡峭的ＰＮ結。

10、中性區：中性區的第一個含義就是指沒有空間電荷存在，電場為零；第二個含義是其電阻與空間電荷區的電阻相比可以忽略，加偏壓時它們承受的電壓降可以忽略。

※11、耗盡區與耗盡近似：空間電荷區里自由載流子濃度與電離雜質濃度相比可以忽略，可以說自由載流子被耗盡了，因此把空間電荷區稱為耗盡區。這種假設稱為耗盡近似。

※12勢壘區：與空間電荷區兩側內建電勢能差稱為勢壘。由于空間電荷區兩側存在電子和空穴的勢壘，因此，也把空間電荷區稱為勢壘區。勢壘區、空間電荷區、耗盡區指的是同一件事。

※13、少子擴散區：在空間電荷區兩側中性區里一個到幾個擴散長度的區域內，注入少子以擴散方式運動，這個區域稱為少子擴散區，簡稱擴大散區。

14、擴散電容：PN結擴散區內的儲存電荷量會隨著外加偏壓的變化而變化，相應的電容稱為過渡電容，表示為CD=（TPI）/（2VT）

15、擴散電阻：對于PN結電阻，正偏PN結擴散電阻很小，反偏PN結擴散電阻是直流電導的倒數。

※16、穿通擊穿：在基極開路情況下，隨著VCE的增加，集電結的空間電荷區將展寬。很可能在發生雪崩擊穿之前集電結的空間電荷區就已經擴展到了發射結，這種現象稱為基區穿通。基區穿通時晶體管中會有很大的電流流過，晶體管發生擊穿，這種擊穿常稱為穿通擊穿。