離子束注入技術(shù)概述
基本原理：離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來，并最終停留在固體材料中，這一現(xiàn)象就叫做離子注入。
用能量為100keV量級的離子束入射到材料中去，離子束與材料中的原子或分子將發(fā)生一系列物理的和化學(xué)的相互作用，入射離子逐漸損失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、結(jié)構(gòu)和性能發(fā)生變化，從而優(yōu)化材料表面性能，或獲得某些新的優(yōu)異性能。此項高新技術(shù)由于其獨特而突出的優(yōu)點，已經(jīng)在半導(dǎo)體材料摻雜，金屬、陶瓷、高分子聚合物等的表面改性上獲得了極為廣泛的應(yīng)用，取得了巨大的經(jīng)濟效益和社會效益。?

M EVVA（Metal Vapor Vacuum Arc ）源是金屬蒸汽真空弧離子源的縮稱。這是上世紀(jì)80年代中期由美國加州大學(xué)伯克利分校的布朗博士由于核物理研究的需要發(fā)明研制成功的。
其革命性在于
????????? 適用元素種類多；蒸汽純度取決于陰極材料；省去質(zhì)量分析儀；發(fā)散束流提高加工效率；等等
????????? 本人認(rèn)為這項技術(shù)將會在機械行業(yè)中大展身手，會被更多的應(yīng)用到高新材料的表面改性等常規(guī)做法不合適的場合
離子束注入技術(shù)設(shè)備概述
離子注入機：
（1）離子源，用于產(chǎn)生和引出某種元素的離子束，這是離子注入機的源頭；
（2）加速器，對離子源引出的離子束進(jìn)行加速，使其達(dá)到所需的能量；
（3）離子束的質(zhì)量分析（離子種類的選擇）；
（4）離子束的約束與控制；
（5）靶室；
（6）真空系統(tǒng)。
當(dāng)然了，如果是MEVVA的話，設(shè)備將大大簡化。
離子注入技術(shù)應(yīng)用
離子注入應(yīng)用于半導(dǎo)體摻雜工藝
????????? 集成電路、功率等電氣性能
離子注入應(yīng)用于表面改性
????????? 抗腐蝕、硬度、耐磨、潤滑、超導(dǎo)導(dǎo)線鈮線注錫
離子注入應(yīng)用于光波導(dǎo)
????????? 光纖網(wǎng)絡(luò)、光纖傳感器