電子發燒友網>電子資料下載>顯示及光電>硅光電倍增管的結構和工作原理及其在PET中的應用介紹

硅光電倍增管的結構和工作原理及其在PET中的應用介紹

2474220 2017-10-09 | rar | 0.2 MB | 次下載 | 免費

資料介紹

　　硅光電倍增管（Silicon photomultiplier），HAMAMATSU根據原理叫做MPPC（multi-pixel photon counter）是一種新型的光電探測器件，由工作在蓋革模式的雪崩二極管陣列組成，一般具有增益高、靈敏度高、偏置電壓低、對磁場不敏感、結構緊湊等特點。它發明于二十世紀九十年代末，廣泛應用于高能物理及核醫學（PET）等領域，最近幾年來在核醫學領域發展迅速，被廣泛認為是可以未來極微弱光探測器的發展方向。

　　每個硅光電倍增管由大量的（幾百到幾千個）雪崩二極管（APD）單元組成，每一個單元由一個APD和一個大阻值淬滅電阻串聯而成，這些微元并聯成一個面陣列。為硅光電倍增管加上反向偏壓（一般是幾十伏）后，每個微元的APD耗盡層有很高的電場，此時若外界有光子打進來，會和半導體中的電子空穴對發生康普頓散射，打出電子或空穴（這句話不精確，只為方便理解），高能的電子和空穴隨即在電場中加速，打出大量的次級電子和空穴，即雪崩。此時每個微元電路中電流突然變大，在淬滅電阻R上降落的電壓也變大，APD中的電場瞬間變小，即APD輸出一個瞬時電流脈沖后雪崩停止，不同微元的淬滅電阻阻值相同，所以理論上講每個微元會輸出等大的脈沖。APD是模擬器件，但宏觀來看每個微元都是邏輯單元，有信號輸出是“1”，沒有信號就是“0”。在硅光電倍增管的動態范圍內，它輸出電流的大小就和發生雪崩的微元數成正比。

　　硅光電倍增管（MPPC；Si-PM）內部結構詳見圖示，MPPC的最基礎的單元是由蓋革模式下的APD和串聯的淬滅電阻構成，這兩者合并構成了一個像素（Pixel）。硅光電倍增管就是有大量的這種像素在二維方向上排列組成的。

硅光電倍增管的結構和工作原理及其在PET中的應用介紹