資料介紹
多年來,數(shù)字信號(hào)處理器 (DSP) 設(shè)計(jì)人員一直在應(yīng)付這樣一項(xiàng)艱難的工作:提供占用空間小的高性能芯片,而且要不影響靈活性和軟件的可編程能力。
由于新的應(yīng)用程序發(fā)展速度驚人,提供的 DSP 必須在功率、性能和使用壽命上跟上這種速度,應(yīng)對(duì)當(dāng)前面臨的挑戰(zhàn),并準(zhǔn)備好應(yīng)對(duì)未來的應(yīng)用。這些高性能多核心 DSP被越來越多地應(yīng)用在電信接入、改進(jìn)數(shù)據(jù)率GSM服務(wù)(EDGE)和基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備領(lǐng)域,用來處理語(yǔ)音、視頻和無線電信號(hào)。
以前,電信設(shè)備制造商使用專用的 ASIC 或 DSP-ASIC 組合來達(dá)到自己的目標(biāo)。現(xiàn)在,這些新的 DSP 可以替代那些繁瑣的解決方案;如果足夠強(qiáng)大,它們還可以實(shí)現(xiàn)以前的解決方案所無法實(shí)現(xiàn)的靈活性。對(duì)于那些必須在網(wǎng)絡(luò)部署中持續(xù)使用多年的接入和基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備,而言, 這些靈活的解決方案是大有裨益的。假如這些類型的設(shè)備和應(yīng)用程序的使用壽命得到延長(zhǎng),那么,成功的關(guān)鍵就是靈活性、適應(yīng)性和現(xiàn)場(chǎng)可編程性。
在目前的技術(shù)條件下,ASIC 在靈活性或現(xiàn)場(chǎng)可編程性方面不如 DSP,但 DSP 的能耗較大,這讓芯片設(shè)計(jì)人員左右為難。不過,還是有希望:新一代的多核心 DSP 可以同時(shí)做到高性能和高能效。做到這點(diǎn)的技術(shù)是存在的,但必須先解決“功率耗散”(功率極限)問題。
功率極限
目前,芯片功率耗散的源頭有兩個(gè):以泄漏形式出現(xiàn)的靜態(tài)現(xiàn)象;以開關(guān)運(yùn)算形式出現(xiàn)的動(dòng)態(tài)現(xiàn)象。在采用 90 納米和以下工藝的 CMOS 技術(shù)中,這種功率耗散現(xiàn)象最為明顯。但是,新一代的 DSP 設(shè)計(jì)不僅能減輕和避開這種功率極限,而且實(shí)際上可以提高基礎(chǔ)設(shè)施、接入和 EDGE 設(shè)備的處理能力,同時(shí)限制功率消耗和熱量耗散。
部分特定CMOS 技術(shù)下的能耗界定的關(guān)鍵度量指標(biāo):
?電源電壓
?門開關(guān)速度
?門輸入電容
?門功耗
?每個(gè) MAC 運(yùn)算消耗的能源
研究表明,同等功能(如 MAC 單元)的功率密度(即單位面積的功率)在 0.13 微米(含)以上的芯片中相當(dāng)穩(wěn)定。但是,到達(dá) 90 納米時(shí),這個(gè)指標(biāo)會(huì)突然升高。
Power/Area versus Silicon Technology
功率/面積與硅技術(shù)
由于新的應(yīng)用程序發(fā)展速度驚人,提供的 DSP 必須在功率、性能和使用壽命上跟上這種速度,應(yīng)對(duì)當(dāng)前面臨的挑戰(zhàn),并準(zhǔn)備好應(yīng)對(duì)未來的應(yīng)用。這些高性能多核心 DSP被越來越多地應(yīng)用在電信接入、改進(jìn)數(shù)據(jù)率GSM服務(wù)(EDGE)和基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備領(lǐng)域,用來處理語(yǔ)音、視頻和無線電信號(hào)。
以前,電信設(shè)備制造商使用專用的 ASIC 或 DSP-ASIC 組合來達(dá)到自己的目標(biāo)。現(xiàn)在,這些新的 DSP 可以替代那些繁瑣的解決方案;如果足夠強(qiáng)大,它們還可以實(shí)現(xiàn)以前的解決方案所無法實(shí)現(xiàn)的靈活性。對(duì)于那些必須在網(wǎng)絡(luò)部署中持續(xù)使用多年的接入和基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備,而言, 這些靈活的解決方案是大有裨益的。假如這些類型的設(shè)備和應(yīng)用程序的使用壽命得到延長(zhǎng),那么,成功的關(guān)鍵就是靈活性、適應(yīng)性和現(xiàn)場(chǎng)可編程性。
在目前的技術(shù)條件下,ASIC 在靈活性或現(xiàn)場(chǎng)可編程性方面不如 DSP,但 DSP 的能耗較大,這讓芯片設(shè)計(jì)人員左右為難。不過,還是有希望:新一代的多核心 DSP 可以同時(shí)做到高性能和高能效。做到這點(diǎn)的技術(shù)是存在的,但必須先解決“功率耗散”(功率極限)問題。
功率極限
目前,芯片功率耗散的源頭有兩個(gè):以泄漏形式出現(xiàn)的靜態(tài)現(xiàn)象;以開關(guān)運(yùn)算形式出現(xiàn)的動(dòng)態(tài)現(xiàn)象。在采用 90 納米和以下工藝的 CMOS 技術(shù)中,這種功率耗散現(xiàn)象最為明顯。但是,新一代的 DSP 設(shè)計(jì)不僅能減輕和避開這種功率極限,而且實(shí)際上可以提高基礎(chǔ)設(shè)施、接入和 EDGE 設(shè)備的處理能力,同時(shí)限制功率消耗和熱量耗散。
部分特定CMOS 技術(shù)下的能耗界定的關(guān)鍵度量指標(biāo):
?電源電壓
?門開關(guān)速度
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?門功耗
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研究表明,同等功能(如 MAC 單元)的功率密度(即單位面積的功率)在 0.13 微米(含)以上的芯片中相當(dāng)穩(wěn)定。但是,到達(dá) 90 納米時(shí),這個(gè)指標(biāo)會(huì)突然升高。
Power/Area versus Silicon Technology
功率/面積與硅技術(shù)
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