資料介紹
使用波長351nm 的半導體泵浦全固態脈沖激光器作為光源,經過位相光柵分束,形成干涉光場,在硅表面直接刻蝕微結構,制作了周期為0.55μm,槽深可達55nm 的一維微光柵和周期為1.25μm,刻蝕深度45nm 的正交微光柵結構.給出了微光柵形貌結構的掃描電子顯微鏡和原子力顯微鏡的測量結果.正交微光柵的一級衍射效率在1.8%~6.3%之間.該研究是改變硅表面微結構,優化硅材料特性的一種新方法,并擴展了大功率激光刻蝕在表面微加工領域的應用。
本文采用半導體泵浦全固態脈沖激光器作為光源,分別用雙光束和四光束進行了干涉刻蝕實驗,在硅材料表面制作了一維和二維正交微光柵結構.這種在硅表面直接進行微加工的方法,工藝簡潔,運行效率和刻蝕微結構精細程度較高。
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