在修理中常見的電磁爐大致分為兩類：

　　由LM339（四電壓比較器）輸出脈沖信號。

　　1： 觸發部分由正負兩組電源，管子用PNP\NPN組成，類似這種電路，后級大多是用大功率管多個復合而成，組成高壓開關部分，在代換中，前一個用帶阻尼的行管替代即可。后幾個則很難找到特性一致的管子，解決的辦法是在散熱器安裝孔允許的情況下改用大電流的管子以減少數量，金屬封裝得如：BUS13A等，塑封的如：BU2525/BU2527/BU2532/D3998一類，用兩個就可以。

　　2：功控管用IGBT絕緣柵開關器件；

　　這些機器特征是不用雙電源觸發，只有+5V和+12V，LM339通過觸發集成塊TA8316帶動IGBT

　　這種情況下只能用此一類的管子代替，損壞程度大致為，只有管子壞，換上即可。其次是整流橋同時損壞，（一般是燒半壁），在其次是觸發集成塊TA8316壞，連帶LM339N一起損壞的很少見。

　　對于高壓模塊，由于這方面的參數手冊很少，希望大家搜集轉貼，以便代換時參考。

　　不能貿然更換，最好有示波器先測其G極波形及幅值（沒有的話用萬用表測此點直流電壓應在1-2.5伏之間變化）。接上線盤前要確定其它幾路小電源供電正常。

　　絕緣柵雙極晶體管（Iusulated Gate Bipolar Transistor）簡稱IGBT，是一種集BJT的大電流密度和MOSFET等電壓激勵場控型器件優點于一體的高壓、高速大功率器件。

　　目前有用不同材料及工藝制作的IGBT， 但它們均可被看作是一個MOSFET輸入跟隨一個雙極型晶體管放大的復合結構IGBT有三個電極（見上圖）， 分別稱為柵極G（也叫控制極或門極） 、集電極C（亦稱漏極） 及發射極E（也稱源極） 。

　　從IGBT的下述特點中可看出， 它克服了功率MOSFET的一個致命缺陷， 就是于高壓大電流工作時， 導通電阻大， 器件發熱嚴重， 輸出效率下降。

　　IGBT的特點：1.電流密度大， 是MOSFET的數十倍。

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