本文研究了金屬蝕刻殘留物，尤其是鈦和鉭殘留物對(duì)等離子體成分和均勻性的影響。通過(guò)所謂的漂浮樣品的x射線光電子能譜分析來(lái)分析室壁，并且通過(guò)光發(fā)射光譜來(lái)監(jiān)測(cè)Cl2、HBr、O2和SF6等離子體中的Cl
2022-05-05 14:26:56
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解決方案：a)樣品在等離子體反應(yīng)器中處理，并在表面分析裝置(XPS、螺旋鉆等)的真空下轉(zhuǎn)移（為了避免空氣暴露中的表面修飾和污染）；b)實(shí)驗(yàn)是在超高真空條件下的精密等離子體設(shè)備中進(jìn)行的，它用離子、自由基和分子束模擬等離子體，但與表面分析設(shè)備兼容。這兩種方法都是有效的，并且各有優(yōu)缺點(diǎn)。
2022-05-19 14:28:151666 
等離子體工藝廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中。比如，IC制造中的所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕或干法刻蝕，等離子體增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體化學(xué)氣相沉積 (HDP CVD)廣泛用于電介質(zhì)
2022-11-15 09:57:312626 熱平衡等離子體中，電子和離子的能量服從玻爾茲曼分布(見(jiàn)下圖)。電容耦合型等離子體源的平均電子能量為2?3eV。等離子體中離子能量主要取決于反應(yīng)室的溫度，是200~400℃或0.04?0.06eV。
2022-12-12 10:47:291171 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 編輯
3.晶圓的處理—微影成像與蝕刻
2012-08-01 23:27:35
小弟想知道8寸晶圓盒的制造工藝和檢驗(yàn)規(guī)范，還有不知道在大陸有誰(shuí)在生產(chǎn)？
2010-08-04 14:02:12
`晶圓制造總的工藝流程芯片的制造過(guò)程可概分為晶圓處理工序（Wafer Fabrication）、晶圓針測(cè)工序（Wafer Probe）、構(gòu)裝工序（Packaging）、測(cè)試工序（Initial
2011-12-01 15:43:10
架上，放入充滿氮?dú)獾拿芊庑『袃?nèi)以免在運(yùn)輸過(guò)程中被氧化或沾污十、發(fā)往封測(cè)Die（裸片）經(jīng)過(guò)封測(cè)，就成了我們電子數(shù)碼產(chǎn)品上的芯片。晶圓的制造在半導(dǎo)體領(lǐng)域，科技含量相當(dāng)?shù)母撸夹g(shù)工藝要求非常高。而我國(guó)半導(dǎo)體
2019-09-17 09:05:06
`微晶片制造的四大基本階段：晶圓制造（材料準(zhǔn)備、長(zhǎng)晶與制備晶圓）、積體電路制作，以及封裝。晶圓制造過(guò)程簡(jiǎn)要分析[hide][/hide]`
2011-12-01 13:40:36
晶圓制造的基礎(chǔ)知識(shí)，適合入門(mén)。
2014-06-11 19:26:35
的印刷焊膏。 印刷焊膏的優(yōu)點(diǎn)之一是設(shè)備投資少，這使很多晶圓凸起加工制造商都能進(jìn)入該市場(chǎng)，為半導(dǎo)體廠商服務(wù)。隨著WLP逐漸為商業(yè)市場(chǎng)所接受，全新晶圓凸起專業(yè)加工服務(wù)需求持續(xù)迅速增長(zhǎng)。 實(shí)用工藝開(kāi)發(fā)
2011-12-01 14:33:02
在硅晶圓被蝕刻入的晶體管起不了任何作用，這一切是由于制造技術(shù)限制而造成的，任何一個(gè)存在上面問(wèn)題的芯片將因不能正常工作而被報(bào)廢。上圖中，一塊硅晶圓中蝕刻了16個(gè)晶體管，但其中4個(gè)晶體管存在缺陷，因此我們
2011-12-01 16:16:40
效率高，它以圓片形式的批量生產(chǎn)工藝進(jìn)行制造，一次完成整個(gè)晶圓芯片的封裝大大提高了封裝效率。 2）具有倒裝芯片封裝的優(yōu)點(diǎn)，即輕，薄，短，小。封裝尺寸接近芯片尺寸，同時(shí)也沒(méi)有管殼的高度限制。 3）封裝芯片
2021-02-23 16:35:18
本人想了解下晶圓制造會(huì)用到哪些生產(chǎn)輔材或生產(chǎn)耗材
2017-08-24 20:40:10
晶圓的制造過(guò)程是怎樣的？
2021-06-18 07:55:24
晶圓級(jí)CSP的返修工藝包括哪幾個(gè)步驟？晶圓級(jí)CSP對(duì)返修設(shè)備的要求是什么？
2021-04-25 08:33:16
晶圓級(jí)CSP裝配回流焊接工藝控制，看完你就懂了
2021-04-25 06:28:40
當(dāng)高頻發(fā)生器接通電源后，高頻電流I通過(guò)感應(yīng)線圈產(chǎn)生交變磁場(chǎng)(綠色)。開(kāi)始時(shí)，管內(nèi)為Ar氣，不導(dǎo)電，需要用高壓電火花觸發(fā)，使氣體電離后，在高頻交流電場(chǎng)的作用下，帶電粒子高速運(yùn)動(dòng)，碰撞，形成“雪崩”式放電，產(chǎn)生等離子體氣流。
2019-10-09 09:11:46
近年來(lái)，等離子體技術(shù)的使用范圍正在不斷擴(kuò)大。在半導(dǎo)體制造、殺菌消毒、醫(yī)療前線等諸多領(lǐng)域，利用等離子體特性的應(yīng)用不斷壯大。CeraPlas? 是TDK 開(kāi)發(fā)的等離子體發(fā)生器，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，它可以在
2022-05-18 15:16:16
等離子弧切割機(jī)是借助等離子切割技術(shù)對(duì)金屬材料進(jìn)行加工的機(jī)械。等離子切割是利用高溫等離子電弧的熱量使工件切口處的金屬部分或局部熔化(和蒸發(fā))，并借高速等離子的動(dòng)量排除熔融金屬以形成切口的一種加工方法。
2019-09-27 09:01:37
等離子發(fā)生器的主要工作原理是將低電壓通過(guò)升壓電路升至正高壓及負(fù)高壓，利用正高壓及負(fù)高壓電離空氣產(chǎn)生大量的正離子及負(fù)離子，負(fù)離子的數(shù)量大于正離子的數(shù)量。
2019-09-30 09:00:48
等離子顯示器的工作原理是什么？ＰＤＰ等離子顯示器有哪些特點(diǎn)？等離子顯示器比傳統(tǒng)的顯像管和ＬＣＤ液晶顯示器具有哪些技術(shù)優(yōu)勢(shì)？
2021-06-07 06:06:32
為了提高等離子消融手術(shù)系統(tǒng)的頻率輸出,提出一種新型的全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。應(yīng)用LCR諧振原理,對(duì)傳統(tǒng)的全橋逆變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn),當(dāng)諧振電路工作在恰當(dāng)?shù)膮^(qū)域可以實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管的零電壓的開(kāi)通和近似零電壓的關(guān)斷,能
2023-09-20 07:38:22
】：1引言電子元器件在生產(chǎn)過(guò)程中由于手印、焊劑、交叉污染、自然氧化等，其表面會(huì)形成各種沾污。這些沾污包括有機(jī)物、環(huán)氧樹(shù)脂、焊料、金屬鹽等，會(huì)明顯影響電子元器件在生產(chǎn)過(guò)程中的相關(guān)工藝質(zhì)量，例如繼電器的接觸電阻，從而降低了電子元器件的可靠性和成品合格率。等離子體是全文下載
2010-06-02 10:07:40
等離子顯示屏是由相距幾百微米的兩塊玻璃板，中間排列大量的等離子腔密封組成的。每個(gè)等離子腔都充有惰性氣體，通過(guò)對(duì)其施加電壓來(lái)產(chǎn)生紫外光，從而激勵(lì)顯示屏上的紅綠藍(lán)三基色熒光粉發(fā)光。每個(gè)等離子腔體等效于一個(gè)像素，其工作機(jī)理類似普通日光燈。由這些像素的明暗和顏色變化，來(lái)合成各種灰度和色彩的電視圖像。
2019-10-17 09:10:18
等離子電視工作原理與日光燈很相似，等離子電視也叫3D等離子電視，它采用了等離子管作為發(fā)光元件，屏幕上每一個(gè)等離子管對(duì)應(yīng)一個(gè)像素，屏幕以玻璃作為基板，基板間隔一定距離，四周經(jīng)氣密性封接形成一個(gè)個(gè)放電
2014-02-10 18:20:48
等離子的使用壽命是多久？ 答： 等離子電視的使用壽命大約為6
2009-05-24 18:00:55
等離子適合什么環(huán)境？ 由于先天的成像原理，等離子電視比較適合較暗的環(huán)境，那些亮麗的場(chǎng)所并不適合等離子電視使用。
2009-05-24 18:10:24
到一塊玻璃板上。4.[IC制造] IC制造是指在單晶硅片上制作集成電路芯片，其流程主要有蝕刻、氧化、擴(kuò)散/離子植入、化學(xué)氣相沉積薄膜和金屬濺鍍。擁有上述功能的公司一般被稱為晶圓代工廠。5.[IC測(cè)試
2019-01-02 16:28:35
本文旨在探索一種確保 LCD 和等離子 TV 屏幕亮度的方式，以便對(duì)屏幕上的各個(gè)點(diǎn)執(zhí)行顏色溫度測(cè)試。
2019-11-01 11:39:29
工藝方法是整個(gè)板子上都鍍銅,感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層（見(jiàn)圖3）。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比,全板鍍銅的最大缺點(diǎn)是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時(shí)還必須都把它們腐蝕掉。因此當(dāng)
2018-11-26 16:58:50
密度積層式多層印制電路板制造需求的不斷增加，大量運(yùn)用到激光技術(shù)進(jìn)行鉆盲孔制造，作為激光鉆盲孔應(yīng)用的付產(chǎn)物——碳而言，需于孔金屬化制作工藝前加以去除。此時(shí)，等離子體處理技術(shù)，毫不諱言地?fù)?dān)當(dāng)其了除去碳化物
2018-09-21 16:35:33
的電氣特性和物理特性的要求。其中Tg應(yīng)大于150攝氏度而介電常數(shù)大都也應(yīng)小于等于4.0。 3.圖形轉(zhuǎn)移形成等離子體蝕刻窗口(微導(dǎo)通孔圖形) 這一步和常規(guī)pcb電路板圖形轉(zhuǎn)移制造工藝一樣。經(jīng)過(guò)貼壓并固化
2017-12-18 17:58:30
近年來(lái)，等離子體技術(shù)的使用范圍正在不斷擴(kuò)大。在半導(dǎo)體制造、殺菌消毒、醫(yī)療前線等諸多領(lǐng)域，利用等離子體特性的應(yīng)用不斷壯大。CeraPlas? 是TDK 開(kāi)發(fā)的等離子體發(fā)生器，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，它可以在
2022-05-17 16:41:13
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：CMOS 單元工藝編號(hào)：JFSJ-21-027作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圓生產(chǎn)需要三個(gè)一般過(guò)程：硅
2021-07-06 09:32:40
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：DI-O3水在晶圓表面制備中的應(yīng)用編號(hào)：JFSJ-21-034作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:36:27
GaN 襯底上獲得高性能的薄膜器件，必須使 GaN 襯底的表面沒(méi)有劃痕和損壞。因此，晶圓工藝的最后一步 CMP 對(duì)后續(xù)同質(zhì)外延 GaN 薄膜和相關(guān)器件的質(zhì)量起著極其重要的作用。CMP 和干蝕刻似乎
2021-07-07 10:26:01
方面存在局限性，因此需要探索自上而下、依賴蝕刻的 GaN NW 制造工藝。這項(xiàng)工作的重點(diǎn)是改進(jìn)自上而下的 GaN 納米線的制造方法，并為 SPE 的制造奠定了潛在的工藝。使用干法和濕法蝕刻的組合，現(xiàn)有
2021-07-08 13:11:24
大多數(shù) III 族氮化物的加工都是通過(guò)干式等離子體蝕刻完成的。 干式蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷 并且難以獲得激光所需的光滑蝕刻側(cè)壁。通過(guò)干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁的粗糙度約為 50 nm，盡管最近
2021-07-07 10:24:07
。光刻膠的圖案通過(guò)蝕刻劑轉(zhuǎn)移到晶片上。沉積：各種材料的薄膜被施加在晶片上。為此，主要使用兩種工藝，物理氣相沉積 (PVD) 和化學(xué)氣相沉積 (CVD)。制作步驟：1.從空白晶圓開(kāi)始2.自下而上構(gòu)建
2021-07-08 13:13:06
`書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：在硅上生長(zhǎng)的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號(hào)：JFSJ-21-034作者：炬豐科技 摘要：在硅 (Si) 上生長(zhǎng)的直接帶隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
納米到底有多細(xì)微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
的輔助。 測(cè)試是為了以下三個(gè)目標(biāo)。第一，在晶圓送到封裝工廠之前，鑒別出合格的芯片。第二，器件/電路的電性參數(shù)進(jìn)行特性評(píng)估。工程師們需要監(jiān)測(cè)參數(shù)的分布狀態(tài)來(lái)保持工藝的質(zhì)量水平。第三，芯片的合格品與不良品
2011-12-01 13:54:00
1、為什么晶圓要做成圓的？如果做成矩形，不是更加不易產(chǎn)生浪費(fèi)原料？2、為什么晶圓要多出一道研磨的工藝？為什么不能直接做成需求的厚度？
2014-01-20 15:58:42
與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來(lái)講，等離子清洗實(shí)質(zhì)上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進(jìn)行干式蝕刻工藝的設(shè)備包括反應(yīng)室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應(yīng)室。氣體被導(dǎo)入并與等離子
2018-09-03 09:31:49
單晶的晶圓制造步驟是什么？
2021-06-08 06:58:26
今日分享晶圓制造過(guò)程中的工藝及運(yùn)用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過(guò)程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
把一面的銅箔蝕刻掉，不存在上下位置精度問(wèn)題。該工藝與在下面所敘述的等離子體蝕孔和化學(xué)蝕孔雷同。目前受激準(zhǔn)分子激光加工的孔是最微細(xì)的。受激準(zhǔn)分子激光是紫外線，直接破壞基底層樹(shù)脂的結(jié)構(gòu)，使樹(shù)脂分子離散
2019-01-14 03:42:28
上下孔的位置精度可能會(huì)制約鉆孔的孔徑。如果是鉆盲孔，只要把一面的銅箔蝕刻掉，不存在上下位置精度問(wèn)題。該工藝與在下面所敘述的等離子體蝕孔和化學(xué)蝕孔雷同。 目前受激準(zhǔn)分子激光加工的孔是最微細(xì)的。受激
2016-08-31 18:35:38
同尺寸的等離子為什么比液晶便宜？同尺寸的等離子為什么比液晶便宜，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">等離子的亮度和看電視的效果比液晶好象還要好些？ 造成這種情況的成因有
2009-05-24 18:13:16
在印制電路加工中﹐氨性蝕刻是一個(gè)較為精細(xì)和覆雜的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程,卻又是一項(xiàng)易于進(jìn)行的工作。只要工藝上達(dá)至調(diào)通﹐就可以進(jìn)行連續(xù)性的生產(chǎn), 但關(guān)鍵是開(kāi)機(jī)以后就必需保持連續(xù)的工作狀態(tài)﹐不適宜斷斷續(xù)續(xù)地生產(chǎn)
2017-06-23 16:01:38
目晶圓提高了設(shè)計(jì)效率，降低了開(kāi)發(fā)成本，為設(shè)計(jì)人員提供了實(shí)踐機(jī)會(huì)，并促進(jìn)了集成電路設(shè)計(jì)成果轉(zhuǎn)化，對(duì)IC設(shè)計(jì)人才的培訓(xùn)，及新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)研制均有相當(dāng)?shù)拇龠M(jìn)作用。隨著制造工藝水平的提高，在生產(chǎn)線上制造芯片
2011-12-01 14:01:36
使用等離子清洗技術(shù)清洗晶圓去除晶圓表面的有機(jī)污染物等雜質(zhì)，但是同時(shí)在等離子產(chǎn)生過(guò)程中電極會(huì)出現(xiàn)金屬離子析出，如果金屬離子附著在晶圓表面也會(huì)對(duì)晶圓造成損傷，如果在使用等離子清洗技術(shù)清洗晶圓如何規(guī)避電極產(chǎn)生的金屬離子？
2021-06-08 16:45:05
的硅晶圓）的優(yōu)異效率和增益性能，等離子照明首次有望主宰照明市場(chǎng)。由于射頻能量等離子照明能夠以低于傳統(tǒng)技術(shù)的成本提高效率和可控性，升級(jí)到節(jié)能解決方案就像更換燈泡一樣簡(jiǎn)單。現(xiàn)有路燈的燈具、接線和燈架應(yīng)完全
2017-12-14 10:24:22
應(yīng)用于生長(zhǎng)室等離子照明顯著發(fā)展的一個(gè)應(yīng)用是園藝。LEP能夠發(fā)射類似于自然光（包括紫外線UVA和紫外線UVB）的連續(xù)全光譜光，無(wú)需像LED所用光一樣進(jìn)行二次熒光轉(zhuǎn)換，因此，無(wú)論大型還是小型生長(zhǎng)照明環(huán)境
2018-02-07 10:15:47
怎么選擇晶圓級(jí)CSP裝配工藝的錫膏？
2021-04-25 08:48:29
招聘6/8吋晶圓測(cè)試工藝工程師/主管1名工作地點(diǎn)：無(wú)錫工資：面議要求：1. 工藝工程師：晶圓測(cè)試經(jīng)驗(yàn)3年以上，工藝主管：晶圓測(cè)試經(jīng)驗(yàn)5年以上；2. 精通分立器件類產(chǎn)品晶圓測(cè)試，熟悉IC晶圓測(cè)試尤佳
2017-04-26 15:07:57
本文開(kāi)發(fā)了一套基于PC+PLC等離子熔射自動(dòng)控制系統(tǒng)。經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，系統(tǒng)具有良好的抗干擾能力，能夠適應(yīng)等離子熔射工藝需求，為該工藝由技術(shù)轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)力奠定了一定基礎(chǔ)。
2021-05-06 10:20:09
替代傳統(tǒng)的熒光燈管，畫(huà)面更優(yōu)質(zhì)，理論壽命更長(zhǎng)，制作工藝更環(huán)保，并且能使液晶顯示面板更薄。二、液晶、等離子和Led液晶電視大比拼 1、工作原理各有所長(zhǎng)形象點(diǎn)說(shuō)，液晶分子就是一扇扇小窗戶，這些小窗戶不但
2012-02-15 20:07:08
濕蝕刻是光刻之后的微細(xì)加工過(guò)程，該過(guò)程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ)；最常見(jiàn)的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，因?yàn)樗没瘜W(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
激光用于晶圓劃片的技術(shù)與工藝 激光加工為無(wú)接觸加工，激光能量通過(guò)聚焦后獲得高能量密度，直接將硅片
2010-01-13 17:01:57
spec-troscopy,LIBS)是近年發(fā)展起來(lái)的一種基于激光與材料相互作用的物理學(xué)與光譜學(xué)交叉的物質(zhì)組分定量分析技術(shù)[1-3]。其原理是利用聚焦的強(qiáng)激光束入射樣品表面產(chǎn)生激光等離子體,等離子體輻射光譜含有被測(cè)物質(zhì)的組分和組分全文下載
2010-04-22 11:33:27
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實(shí)二者是一個(gè)概念。集成電路（IC）是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法
2011-12-02 14:30:44
芯片制造全工藝流程詳情
2020-12-28 06:20:25
是由石英沙所精練出來(lái)的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體的材料，將其切片就是芯片制作具體需要的晶圓。晶圓越薄，成產(chǎn)的成本越低，但對(duì)工藝就要
2016-06-29 11:25:04
石英沙所精練出來(lái)的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體的材料，將其切片就是芯片制作具體需要的晶圓。晶圓越薄，成產(chǎn)的成本越低，但對(duì)工藝就要
2018-08-16 09:10:35
及LED器件，這樣就很大程度上降低了LED晶圓的產(chǎn)出效率。激光加工是非接觸式加工，作為傳統(tǒng)機(jī)械鋸片切割的替代工藝，激光劃片切口非常小，聚焦后的激光微細(xì)光斑作用的晶圓表面迅速氣化材料，在LED有源區(qū)之間制造
2011-12-01 11:48:46
工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比,全板鍍銅的最大缺點(diǎn)是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時(shí)還必須都把它們腐蝕掉。因此當(dāng)導(dǎo)線線寬十分精細(xì)時(shí)將會(huì)產(chǎn)生一系列的問(wèn)題。同時(shí),側(cè)腐蝕會(huì)嚴(yán)重影響線條的均勻性
2018-09-19 15:39:21
怎么實(shí)現(xiàn)等離子電源的EMC設(shè)計(jì)？PCB布板時(shí)需要注意什么？
2021-04-09 06:54:43
選購(gòu)等離子電視的幾大誤區(qū)大屏幕平板電視正受到越來(lái)越多的消費(fèi)者關(guān)注與選擇，眾多消費(fèi)者認(rèn)為液晶電視比等離子更節(jié)能、壽命更長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，似乎成為了消費(fèi)者的選擇液晶電視的主要原因。實(shí)際上選購(gòu)等離子電視有以下二大
2009-12-16 09:36:34
長(zhǎng)虹等離子(50638X、50738X)模組紅點(diǎn)問(wèn)題解決方案文件下載
2021-06-03 06:54:18
晶圓等離子去膠機(jī)VP-RS15真空腔體不銹鋼材質(zhì)，腔體容積15升，功率500W，頻率13.56MHz，能對(duì)材料起到清潔、刻蝕、活化、改性的作用，滿功率運(yùn)行3分鐘，腔體溫度不高于45℃，不損傷樣品
2022-09-22 09:39:08
議程液晶/等離子電視電源系統(tǒng)簡(jiǎn)介液晶/等離子電視電源系統(tǒng)的解決方案英飛凌推薦產(chǎn)品英飛凌demoboard背光電源液晶/等離子電視電源系統(tǒng)簡(jiǎn)介液晶/等離子電視電
2010-06-13 09:07:24
44 Ethereum的聯(lián)合創(chuàng)始人Vitalik Buterin提出了一種名為等離子體現(xiàn)金的區(qū)塊鏈擴(kuò)展解決方案，這是一種甚至“更可伸縮”的現(xiàn)有解決方案。等離子體現(xiàn)金由Buterin和開(kāi)發(fā)者Dan
2018-03-13 07:31:00739 ，就由博世智能制造解決方案事業(yè)部（以下簡(jiǎn)稱ATMO-3CN）的專家來(lái)帶我們探索等離子涂層技術(shù)的奧秘。 12 本期專家： Yu Sisley 博世智能制造解決方案事業(yè)部涂層生產(chǎn)及工程項(xiàng)目工藝工程師。畢業(yè)于英國(guó)曼徹斯特大學(xué)，先進(jìn)材料工程碩士及
2021-06-18 09:51:174313 本文對(duì)單晶石英局部等離子體化學(xué)刻蝕工藝的主要工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。在射頻(射頻，13.56兆赫)放電激勵(lì)下，在CF4和H2的氣體混合物中進(jìn)行蝕刻。采用田口矩陣法的科學(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)來(lái)檢驗(yàn)腔室壓力、射頻發(fā)生器
2022-02-17 15:25:421804 
通過(guò)使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡(jiǎn)化后處理序列，從而縮短前工藝處理時(shí)間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟；將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟；和RCA清洗步驟。
2022-04-11 17:02:43783 
通過(guò)使用多級(jí)等離子體蝕刻實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)、用于蝕刻后光致抗蝕劑去除的替代方法，以及開(kāi)發(fā)自動(dòng)蝕刻后遮蓋物去除順序；一種可再現(xiàn)的基板通孔處理方法被集成到大批量GaAs制造中。對(duì)于等離子體蝕刻部分，使用光學(xué)顯微鏡
2022-06-23 14:26:57516 
反應(yīng)性離子蝕刻綜合了離子蝕刻和等離子蝕刻的效果：其具有一定的各向異性，而且未與自由基發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的材料會(huì)被蝕刻。首先，蝕刻速率顯著增加。通過(guò)離子轟擊，基材分子會(huì)進(jìn)入激發(fā)態(tài)，從而更加易于發(fā)生反應(yīng)。
2022-09-19 15:17:553393 體何時(shí)完全蝕刻了一個(gè)特定的層并到達(dá)下一個(gè)層。通過(guò)監(jiān)測(cè)等離子體在蝕刻過(guò)程中產(chǎn)生的發(fā)射線，可以精確跟蹤蝕刻過(guò)程。這種終點(diǎn)檢測(cè)對(duì)于使用基于等離子體的蝕刻工藝的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)至關(guān)重要。 等離子體是一種被激發(fā)的、類似氣
2022-09-21 14:18:37696 
氧等離子體和氫等離子體都可用于蝕刻石墨烯。兩種石墨烯氣體等離子刻蝕的基本原理是通過(guò)化學(xué)反應(yīng)沿石墨烯的晶面進(jìn)行刻蝕。不同的是，氧等離子體攻擊碳碳鍵后形成一氧化碳、二氧化碳等揮發(fā)性氣體，而氫等離子體則形成甲烷氣體并與之形成碳?xì)滏I。
2022-06-21 14:32:25391 
大家都知道，目前等離子表面處理工藝應(yīng)用于LCD、LED、IC、PCB、SMT、BGA、引線框、平板顯示器的清洗和蝕刻等領(lǐng)域。等離子表面清洗IC可以顯著提高導(dǎo)線耦合強(qiáng)度，降低電路故障的可能性。溢出
2022-09-27 10:05:05897 
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
干法蝕刻（dry etch）工藝通常由四個(gè)基本狀態(tài)構(gòu)成：蝕刻前（before etch），部分蝕刻（partial etch），蝕刻到位（just etch），過(guò)度蝕刻（over etch），主要表征有蝕刻速率，選擇比，關(guān)鍵尺寸，均勻性，終點(diǎn)探測(cè)。
2023-10-18 09:53:19788 
等離子體工藝是干法清洗應(yīng)用中的重要部分，隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，等離子體清洗的優(yōu)勢(shì)越來(lái)越明顯。文章介紹了等離子體清洗的特點(diǎn)和應(yīng)用，討論了它的清洗原理和優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。最后分析了等離子體清洗工藝的關(guān)鍵技術(shù)及解決方法。
2023-10-18 17:42:36453 
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開(kāi)關(guān)中。就器件制造而言，GaN的相關(guān)材料，如AlGaN，憑借其物理和化學(xué)穩(wěn)定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24294 
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