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電子發(fā)燒友網(wǎng)>可編程邏輯>單粒子翻轉(zhuǎn)引起SRAM型FPGA的故障機理闡述

單粒子翻轉(zhuǎn)引起SRAM型FPGA的故障機理闡述

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2017-11-17 04:04:012101

基于FPGA的三模冗余容錯技術(shù)的研究

基于SRAMFPGA對于空間粒子輻射非常敏感,很容易產(chǎn)生軟故障,所以對基于FPGA的電子系統(tǒng)采取容錯措施以防止此類故障的出現(xiàn)非常重要。通過對敏感電路使用三模冗余( TMR)方法并利用FPGA 的動態(tài)可重構(gòu)特性,可以有效的增強FPGA 的抗單粒子性能,解決FPGA對因空間粒子輻射而形成的軟故障
2017-11-18 11:40:0210826

ARM Cortex-M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究

引言 目前,對于存儲單元SRAM的研究都是基于硬件電路來完成,而且這些方法都是運用在生產(chǎn)過程中,但是生產(chǎn)過程并不能完全杜絕SRAM的硬件故障。在其使用過程中,如果SRAM硬件出錯,將導致程序出錯而且
2017-12-01 06:10:07368

MMC-HVDC直流雙極短路故障機理分析

converter)-HVDC系統(tǒng)建立了一套完整的直流雙極短路故障機理分析的解析模型,分別對換流器閉鎖前,換流器閉鎖后和交流斷路器斷開后3個階段的故障機理進行了詳細分析,并給出了
2017-12-22 10:21:0518

ARINC659總線的單粒子翻轉(zhuǎn)識別

,對ARINC659總線標準背板總線組件在空間環(huán)境應用下的單粒子翻轉(zhuǎn)效應敏感環(huán)節(jié)進行識別,并提出了有針對性的抗單粒子翻轉(zhuǎn)加固設(shè)計措施,最后通過地面模擬試驗對抗單粒子翻轉(zhuǎn)加固措施的正確性和有效性進行了驗證。試驗表明進行單粒子翻轉(zhuǎn)加固設(shè)計后的ARI
2018-01-29 17:22:110

Microsemi PolarFire FPGA相比基于SRAMFPGA 耗電量最高可降低50%

的邏輯元件,相比基于SRAMFPGA來說,耗電量最高可降低50%。該器件提供出眾的安全性、單粒子翻轉(zhuǎn) (SEU) 免疫結(jié)構(gòu)和串行器/解串器 (SerDes) 性能,適用于通信、國防、航空、工業(yè)自動化和物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 等市場的各種應用。
2019-01-19 10:34:111803

FPGA的存儲解決方案——外掛SRAM

外部SRAM是指連接在FPGA外部的靜態(tài)RAM(SRAM)。外部SRAM存儲器也有很多種類。對于外部SRAM的選擇是由應用需求的性質(zhì)決定的。使用外部SRAM存儲器兼具優(yōu)缺點。 優(yōu)點 外部SRAM
2019-11-18 23:20:225234

一種基于SRAMFPGA的實時容錯自修復系統(tǒng)設(shè)計概述

中,如α粒子、宇宙射線、外太空強輻射等等惡劣環(huán)境,加之一些電子系統(tǒng)工作在地面的高電磁輻射環(huán)境中,這些輻射環(huán)境中充滿了各種高能粒子,高能粒子撞擊工作中的電子器件會引發(fā)輻射效應,如單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU)等,并導致器件發(fā)生故障,由輻射效應引起的軟錯誤是導致空間環(huán)境中電子系統(tǒng)失效的重要原因之一[1]。
2019-11-19 15:17:24989

在芯片設(shè)計階段如何防護“單粒子翻轉(zhuǎn)

粒子翻轉(zhuǎn)(Single-Event Upsets,SEU)指的是元器件受輻照影響引起電位狀態(tài)的跳變,“0”變成“1”,或者“1”變成“0”,但一般不會造成器件的物理性損傷。正因為“單粒子翻轉(zhuǎn)”頻繁出現(xiàn),因此在芯片設(shè)計階段需要重點關(guān)注。這也是這篇文章的重點。
2020-11-29 11:07:104795

有效容忍單粒子多點翻轉(zhuǎn)的加固鎖存器

隨著集成電路工藝不斷改進,電荷共享效應誘發(fā)的單粒子多點翻轉(zhuǎn)已經(jīng)成為影響芯片可靠性的重要因素為此提出一種有效容忍單粒子多點翻轉(zhuǎn)的加固鎖存器:低功耗多點翻轉(zhuǎn)加固鎖存器( low power
2021-06-03 14:42:3614

基于改進二進制粒子群算法的配電網(wǎng)故障檢測

基于改進二進制粒子群算法的配電網(wǎng)故障檢測
2021-06-22 11:55:4224

剖析RS232、RS485時序?qū)ζ?b class="flag-6" style="color: red">機理和故障排查有啟發(fā)和理解

剖析RS232、RS485時序?qū)ζ?b class="flag-6" style="color: red">機理和故障排查有啟發(fā)和理解
2022-01-24 09:37:575

航空電子設(shè)計之“單粒子翻轉(zhuǎn)”問題

粒子效應是一種瞬態(tài)效應,指某個特定的高能粒子穿過電路敏感區(qū)域所引起的電路故障,這個故障可能是可恢復的或是永久性的。
2022-07-13 11:23:053567

粒子翻轉(zhuǎn)效應的FPGA模擬技術(shù) (上)

隨著半導體工藝的不斷發(fā)展,器件特征尺寸逐漸減少,激發(fā)單粒子翻轉(zhuǎn)(Single Event Upset, SEU)效應所需的能量閾值呈幾何級下降趨勢。例如,65 nm工藝下器件發(fā)生電平翻轉(zhuǎn)需6500個電荷,16 nm工藝下器件電平翻轉(zhuǎn)僅需1000個電荷 。
2023-02-09 10:12:211126

粒子翻轉(zhuǎn)效應的FPGA模擬技術(shù) (下)

**旁路電路注入故障** 旁路電路技術(shù)的實現(xiàn)原理和掃描鏈技術(shù)類似,在原有的電路結(jié)構(gòu)上添加附加電路來使電路能夠模擬單粒子翻轉(zhuǎn)效應 ^[25-26]^ 。以寄存器為例,在正常狀態(tài)下寄存器保持其原本的功能,在故障注入模式下通過外部控制信號驅(qū)動附加電路從旁路修改寄存器的數(shù)值。
2023-02-09 10:13:25764

SRAMFPGA在軌會遇到的問題及其影響

SRAMFPGA屬于核心元器件,因此對SRAMFPGA進行抗輻照加固設(shè)計非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAMFPGA在軌會遇到的問題及其影響。
2023-08-11 10:30:451264

SRAMFPGA的抗輻照加固設(shè)計

讓一顆SRAMFPGA在太空長期穩(wěn)定運行的難度,就類似練成獨孤九劍的難度。
2023-08-15 10:36:081905

instance是何時翻轉(zhuǎn)的?每次有多少instance在翻轉(zhuǎn)

在run dynamic vectorless IR時,instance是何時翻轉(zhuǎn)的?每次有多少instance在翻轉(zhuǎn)
2024-01-26 09:31:44172

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