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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SI4559EY-T1-E3-VB場效應管一款N+P溝道SOP8封裝的晶體管

型號: SI4559EY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • 溝道 N+P溝道
  • 封裝 SOP8封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號:SI4559EY-T1-E3-VB
絲?。篤BA5638
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 溝道類型:N+P溝道
- 額定電壓:±60V
- 最大連續(xù)電流:6.5A (N溝道) / -5A (P溝道)
- 靜態(tài)導通電阻(RDS(ON)):28mΩ (N溝道) / 51mΩ (P溝道) @ 10V, 34mΩ (N溝道) / 60mΩ (P溝道) @ 4.5V
- 閾值電壓(Vth):±1.9V
- 封裝類型:SOP8

應用簡介:
SI4559EY-T1-E3-VB是一款N+P溝道MOSFET,同時包含了N溝道和P溝道MOSFET,適用于各種電源開關和功率控制應用。以下是一些可能的應用領域:

1. 電源開關:這款N+P溝道MOSFET適用于電源開關,可以用于電源管理、逆變器、電源供應和穩(wěn)壓器等應用,以提供高效的電能控制和穩(wěn)定的電壓輸出。

2. 電機控制:N+P溝道MOSFET可用于電機驅動,電機控制,以及需要同時進行正向和反向電流控制的應用,如雙電源H橋驅動器。

3. 汽車電子:在汽車電子中,這種MOSFET可以用于車輛電源管理、電機驅動、電動汽車充電設備等應用,以提供正向和反向電流控制。

4. 高頻開關電源:適用于高頻開關電源和逆變器,如通信設備、太陽能逆變器、變頻空調等領域,可以實現(xiàn)高效的電能

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