深圳市港禾科技有限公司

產品描述

NSD2621是納芯微最新推出的專為GaN設計的高壓半橋驅動芯片。該芯片采用了納芯微的成熟電容隔離技術，高邊驅動可以支持-700V到+700V的共模電壓，150 V/ns的SW電壓變化斜率，同時具有低傳輸延時和低通道間延時的特性。兩通道均能提供2A/-4A的驅動能力。

高低邊的驅動級都采用了專門的電壓調節器，以確保驅動電壓在GaN柵極可接受的穩定范圍內，使得GaN不論在何種情況下，都能正常工作。同時具備了UVLO保護功能，保護電源系統工作安全。

產品特性

- 高壓側電壓范圍：+/-700V；

- 高低邊獨立 UVLO 保護功能；

- +2/-4A 驅動電流能力;

- 內置LDO，使驅動電壓更穩定可靠;

- 集成Miller Clamp，電流能力2A;

- 低于 60ns 傳播延時，低于 10ns 高低邊延時匹配;

- +5/-5V 邏輯地偏置;

- 150V/ns 的高壓側 dV/dt 抗干擾能力;

- Operation ambient temperature:-40℃ ~125℃

- 封裝形式: LGA (4*4mm)

- 驅動電壓輸出NSD2621A: 6V/ NSD2621B: 5.5V/ NSD2621C: 5V

應用場景

- 半橋、全橋、LLC電源拓撲

- 適配器高密電源

- 太陽能、電機驅動及新能源領域

產品電路示意圖：

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