Qorvo 的 UJ4SC075011B7S 是一款 750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結器件或 SiC MOSFET 時需要最少的重新設計。該器件采用 D2PAK-7L 封裝，具有超低柵極電荷和卓越的反向恢復特性，非常適合開關電感負載和任何需要標準柵極驅動的應用。
UJ4SC075011B7S 主要特征
導通電阻 (RDS(on))：11 mohm（典型值）
最高工作溫度：175 °C
出色的反向恢復：Qrr = 274 nC
低體二極管 VFSD：1.1 V
低柵極電荷：QG = 75 nC
閾值電壓 VG(th)：4.5 V（典型值）允許 0 至 15 V 驅動
VDS 最大值(V)750RDS(on) Typ @ 25C (mohm)11內徑最大值(A)104一代第 4 代Tj 最大值(°C)175汽車資質不包裝類型D2PAK-7L
