型號 NTS4101PT1G絲印 VBK2298品牌 VBsemi參數 頻道類型 P溝道 額定電壓 20V 額定電流 3A RDS(ON) 98mΩ @ 4.5V，117.6mΩ @ 2.5V 門源電壓范圍 12V 門源閾值電壓范圍 0.6V~2V 封裝類型 SC703應用簡介 NTS4101PT1G（絲印 VBK2298）是VBsemi公司生產的一款P溝道功率MOSFET。以下是詳細的參數說明和應用簡介 詳細參數說明 NTS4101PT1G是一款P溝道功率MOSFET。主要參數包括額定電壓為20V，額定電流為3A，RDS(ON)為98mΩ @ 4.5V，117.6mΩ @ 2.5V，門源電壓范圍為12V，門源閾值電壓范圍為0.6V~2V，封裝類型為SC703。應用領域 NTS4101PT1G（VBK2298）適用于多種領域和應用場景，主要用于需要P溝道功率MOSFET的電路。以下是一些典型的應用領域 1. 電源管理模塊 NTS4101PT1G可用于電源管理模塊中，提供高效的電能轉換和穩定的電流輸出，改善系統的功耗和效率。2. 電池管理系統 它適用于電池管理系統中的充放電控制電路，提供高效能和可靠的電池管理。3. 低功耗應用 NTS4101PT1G也適用于低功耗應用中的電源開關和信號控制等方面。綜上所述，NTS4101PT1G（VBK2298）是一款P溝道功率MOSFET，適用于電源管理模塊、電池管理系統和低功耗應用等領域模塊。它具有低導通電阻和高耐壓的特點，適用于需要高功率和高效能的電路。
--- 產品參數 ---
- 頻道類型 P溝道
- 額定電壓 20V
- 額定電流 3A
- RDS(ON) 98mΩ @ 4.5V，117.6mΩ @ 2.5V
- 門源電壓范圍 12V
- 門源閾值電壓范圍 0.6V~2V
- 封裝類型 SC703
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
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