MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標(biāo)準(zhǔn)（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時(shí)提供RAM寫保護(hù)。當(dāng)電源開(kāi)始出現(xiàn)故障時(shí)，RAM受到寫保護(hù)，并且器件切換到電池備用模式。
應(yīng)用
- μP控制系統(tǒng)
- 計(jì)算機(jī)：臺(tái)式機(jī)、工作站和服務(wù)器
- 嵌入式系統(tǒng)
- 備用電池
- 存儲(chǔ)器寫保護(hù)
- 工作模式靜態(tài)電流：230μA
- 備用模式靜態(tài)電流：2nA
- 電池保鮮密封
- 可選冗余電池
- VCC 電源開(kāi)關(guān)具有低正向壓降
- 5%或10%電源故障檢測(cè)選項(xiàng)
- 在上電期間測(cè)試電池狀況
- 采用8引腳SO封裝
DS9092
DS9092GT
DS9092T
DS9092R
DS9092RG
DS9100A
DS9100B
DS9100C
DS1404
DS1411
DS1411-009
DS1411-S09
DS1402-BP8
DS1402-BR8
DS1402-RP8
DS1402D-DB8
DS1402D-DR8
MXD1210
MAX1259
