ip6520芯片代換料XPM5220單C口快充協議芯片

型號： ip6520

--- 產品參數 ---

品牌富滿
型號 XPM5220
封裝 QFN4x4-16L
功率 65W
可兼容替代 ip6520

--- 產品詳情 ---

供應ip6520芯片代換料XPM5220單C口快充協議芯片，提供XPM5220關鍵參數，廣泛應用于AC-DC 適配器、車載充電器等設備的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>

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產品文章方案資料

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65w氮化鎵充電器2c1a方案| 過認證、低成本！2024-11-01 17:06

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充電器氮化鎵芯片
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MOS管
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MOS
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IRFB4227PBF TO-220替代料200v mos管SVT20240NT 士蘭微MOS代理2022-06-27 14:57

MOSFET作為功率半導體廣泛應用于汽車、家電、光伏、風電、軌交等領域，長期以來一直被國外廠商占據著大部分市場份額，受益于龐大的終端消費需求，國內終端廠商推進進口替代，驪微電子推出SVT20240NTN溝道增強型MOS管可替代IRFB4227PBFTO-220場效應管。irfb4227場效應管替代料SVT20240NT特征■72A,200V,RDs(on)(

MOS
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viper12a芯片代換料AP8012H電源控制芯片，降低成本！2022-06-21 17:14

VIPER12A芯片采用SO-8或DIP-8兩種封裝，是ST，VIPer產品系列，應用功率5W-10W，典型應用于電池充電器的壁掛式適配器，以及電視和監視的待機電源領域，隨著缺貨漲價以及國內芯片產業生態發展的完善，國產替代勢在必行，AP8012H在不改PCB及外圍參數下可兼容替代viper12a芯片，實現進口替代！viper12a替代芯片ap8012h特征■

viper12a 電源控制芯片
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杭州士蘭微mos有哪些型號及mos代理商2022-06-01 15:43

士蘭微mos管產品主要包括低高壓、超結mos管，實現了溝槽柵低壓MOS，溝槽屏蔽柵SGT-MOS，超級結MOS和IGBT等多個產品的量產，廣泛應用于家電、工業、LED照明、汽車、消費類電子、影音設備等，缺貨漲價潮助力國產替代加速，士蘭微不斷推進產品開發和升級，不僅在產能端實現了擴增，而且產品結構也在從低階產品向更高價值量產品升級，實現進口替代。高壓超結MOS

MOS
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ncp1252a芯片代替料啟達啟臣微CR1252A2022-05-20 11:19

受多重因素影響，芯片的供應緊張仍未緩解，在缺“芯”困局之下，國產替代的呼聲愈發高漲，許多國產廠商選擇“PINtopin”的替代模式入局，驪微電子代理的啟達啟臣微CR1252A電源驅動芯片可代替ncp1252A芯片。ncp1252a代替芯片CR1252A特征■SOP-8L封裝■內置軟啟動■內置斜波補償■峰值電流限制■內置輸入欠壓自動恢復■內置LEB前沿消隱功能

芯片
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ir2104驅動芯片代換料ID7U603SEC-R1 600V半橋預驅方案2023-03-29 09:24

ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅動芯片，可兼容代換IR2104，應用領域于中小型功率電機驅動、功率MOSFET或IGBT驅動、照明鎮流器、半橋驅動逆變器、全橋驅動逆變器等領域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點■浮動工作電壓可達600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5

芯片驅動
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20W A+C雙口pd快充充電器方案|一站式服務2023-03-09 16:41

自iPhone8開始，后續的蘋果手機都支持快充，然而隨著iPhone12系列手機的推出以及取消多部機型標配充電器這一傳統，從iPhone的全球出貨量來看，已經造成了上億規模的快充市場空缺，深圳市驪微電子科技有限公司專注于電源方案設計開發，順勢推出20WA+C雙口pd快充充電器方案，提供一站式服務。20WA+C雙口pd快充充電器方案主控芯片采用PN8161SE-U1，該芯片內部集成了準諧振工作的電流

充電器快充
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5W/10W/12W/15W/18W/20W/24W/36W/65W充電器芯片方案2022-10-19 15:59

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充電器芯片
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30V/40V/60V/80V/100V/150V/200V 常用mos管選型方案2022-08-01 14:35

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IR2110國產替代芯片ID7S625高壓逆變器驅動芯片方案2022-07-30 16:06

常見的MOS管驅動方式有非隔離的直接驅動、自舉驅動，和有隔離的變壓器驅動、光耦隔離驅動等，ir2110驅動芯片替代料ID7S625高壓高低側柵極驅動芯片是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率的MOSFET和IGBT柵極驅動器，廣泛應用于DCDC轉換器、功率MOSFET和IGBT驅動、DC/AC轉換器等領域。ir2110替代芯片ID7S625特征■芯片工作電壓范圍10V~20V■輸入邏輯兼容3.3

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