射頻離子源,真空鍍膜離子源

離子源

型號： RFICP 40

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

產(chǎn)地美國
類型 RF 射頻源
品牌 KRi

--- 產(chǎn)品詳情 ---

因產(chǎn)品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實際成交合同為準

KRi 射頻離子源 RFICP 40
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射頻離子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內. 離子源 RFICP 40 設計采用創(chuàng)新的柵極技術用于研發(fā)和開發(fā)應用. 離子源 RFICP 40 無需電離燈絲設計, 適用于通氣氣體是活性氣體時的工業(yè)應用. 標準配置下 RFICP 40 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.

射頻離子源 RFICP 40 特性:
1. 離子源放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術提供高密度離子, 工藝時間更長.
2. 離子源結構模塊化設計, 使用更簡單; 基座可調節(jié), 優(yōu)化蝕刻率和均勻性.
3. 提供聚焦, 發(fā)散, 平行的離子束
4. 離子源自動調節(jié)技術保障柵極的使用壽命和可重復的工藝運行
5. 柵極材質鉬和石墨,堅固耐用
6. 離子源中和器 Neutralizer, 測量和控制電子發(fā)射,確保電荷中性

KRI 射頻離子源 RFICP 40 技術參數(shù):

KRi 射頻離子源典型應用：
預清洗 PC
表面改性
輔助鍍膜 (光學鍍膜 ) IBAD
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

KRi 射頻離子源 RFICP 40 客戶案例：
安裝于 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng), 進行 IBAD 輔助鍍膜 (玻璃上鍍反射涂層).

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)寬束離子源, 根據(jù)設計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.

若您需要進一步的了解 KRi 射頻離子源, 請聯(lián)絡上海伯東葉女士,分機107

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