隔離器采用2.5 V至6.5 V邏輯輸入電壓工作，可與低壓系統(tǒng)兼容。與采用高壓電平轉(zhuǎn)換方法的柵極驅(qū)動器相比，ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2的輸入與各輸出之間具有真電氣隔離優(yōu)勢。

ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2均內(nèi)置有重疊保護，且允許進行死區(qū)時間調(diào)節(jié)。死區(qū)時間引腳(DT)和GND1引腳之間的單個電阻在高端和低端輸出之間的次級側(cè)設(shè)置死區(qū)時間。

如果ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2上的內(nèi)部溫度超過TSD溫度，內(nèi)部熱關(guān)斷(TSD)將輸出設(shè)置為低輸出。因此，ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2能夠可靠地控制廣泛正或負開關(guān)電壓范圍下的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)/金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)配置的開關(guān)特性。

應用

• 開關(guān)電源
• 隔離式IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器
• 工業(yè)逆變器
• 氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)兼容

• 4 A峰值電流(<2 Ω RDSON_x)
• 邏輯輸入電壓：2.5 V至6.5 V
• 輸出電源電壓：4.5 V至35 V
• UVLO VDD1趨正閾值：2.5 V（最大值）
• 用于VDDA和VDDB趨正閾值的多個UVLO選項
  • A級：4.5 V（最大值）
  • B級：7.5 V（最大值）
  • C級：11.6 V（最大值）
• 精密時序特性
  • 傳輸延遲：44 ns（最大值）
• 可調(diào)的死區(qū)時間和雙輸入(ADuM4221)
• 可調(diào)的死區(qū)時間和單輸入(ADuM4221-1)
• 無死區(qū)時間控制和雙輸入(ADuM4221-2)
• CMOS輸入邏輯電平
• 高共模瞬變抗擾度：150 kV/μs
• 工作結(jié)溫最高可達：125°C
• 默認低電平輸出
• 安全和法規(guī)認證（申請中）
  • UL認證(UL 1577)
    • 5700 V rms持續(xù)1分鐘
  • CSA元件驗收通知5A
  • VDE合格證書
    • DIN V VDE V 0884-11: VIORM = 849 V 峰值
• 增強爬電距離寬體、16引腳SOIC_IC封裝

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