產(chǎn)品簡介

         被動鎖模技術由于便于組裝， 操作簡單等優(yōu)點， 已被人們廣泛的應用于各類激光腔中來產(chǎn)生超短脈沖串。Eachwave專業(yè)提供被動鎖模器件BATOP半導體可飽和吸收鏡SESAM：可飽和吸收鏡（SAM） ，可被安裝在寬譜激光腔中進行模式鎖定。通過可飽和吸收體的損耗機制，連續(xù)激光器中雜亂的多脈沖可以被調(diào)制成有規(guī)律的超短脈沖串。

        可飽和吸收體在強光下被漂白，可以使大部分腔內(nèi)能量通過可飽和吸收體到達反射鏡，并再次反射回激光腔中；在弱光下，表現(xiàn)為吸收未飽和的特性，吸收掉所有入射光，有效的把這部分弱光從激光腔中去除掉，表現(xiàn)了調(diào) Q 鎖模的抑制作用。而且由于吸收掉了脈沖前沿部分，脈沖寬度在反射過程中會逐漸變窄。

        Eachwave推出的BATOP半導體可飽和吸收鏡SESAM包含一個布拉格反射鏡（Bragg-mirror）生長在基底上（如GaAs晶圓），然后可飽和吸收層做在布拉格反射鏡上。盡管半導體可飽和吸收鏡已經(jīng)被廣泛的用于各種激光腔中進行模式鎖定，但是SAM的應用還是要根據(jù)具體情況被精確地設計，如不同的激光器具有不同損耗，增益譜，腔內(nèi)功率等等，可飽和吸收體的參數(shù)都需要跟這些參數(shù)相匹配。

   BATOP 是激光被動鎖模器件-可飽和吸收體的專業(yè)供應商。可飽和吸收產(chǎn)品集合了各式各樣的不同的器件，包括可飽和吸收鏡(SESAM)，可飽和輸出耦合鏡(SOC)，共振可飽和吸收鏡RSAM，可飽和噪聲抑制器SANOS，和用于透過應用的可飽和吸收體(SA)。迄今為止，可飽和吸收產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了800nm到2.6μm的常用激光波長范圍；封裝形式多樣，可適用于不同激光系統(tǒng)結構。

半導體可飽和吸收鏡SESAM產(chǎn)品  

Wavelength region   790 nm ... 830 nm:        800 nm

Wavelength region   910 nm ... 990 nm:         940 nm | 980 nm

Wavelength region 1020 nm ... 1150 nm:       1040 nm | 1064 nm | 1100 nm       

Wavelength region 1110 nm ... 1320 nm:       1150 nm | 1300 nm

Wavelength region 1320 nm ... 1460 nm:       1340 nm | 1420 nm

Wavelength region 1470 nm ... 1660 nm:       1510 nm | 1550 nm | 1645 nm       

Wavelength region 1900 nm ... 3200 nm:       2000 nm | 2150 nm | 2400 nm | 3000 nm

半導體可飽和吸收鏡的不同封裝形式

>> 裸片SAM

? GaAs 芯片尺寸：1 mm x 1 mm 或1.3 mm x 1.3 mm 

? 芯片厚度：450 μm 

? 芯片背面 ：原切/磨砂

? SESAM芯片正面鍍保護電解質(zhì)膜

? SAM與FC/PC接口的光纖頭之間的鏈接可以輕松拆卸，利用這個封裝，可以在一臺激光器上就實現(xiàn)測試多個SAM性能的目的。

? 當SAM表面有不幸損傷，可以輕松換芯片，所以再次實驗可以用同樣的的SAM芯片。

>> 帶有散熱底座的自由空間可飽和吸收鏡SAM

? GaAs 芯片尺寸               4 mm x 4 mm

? 芯片厚度                      450 μm    150um可選

? 芯片背面                      原切/磨砂

? SESAM芯片正面鍍保護電解質(zhì)膜

? SESAM 固定在半英寸/一英寸的Cu底座上

>> 帶有水冷封裝的可飽和吸收鏡SAM

? GaAs 芯片尺寸： 4 mm x 4 mm

? 芯片厚度 ：450 μm  

? 芯片背面：原切/磨砂

? SESAM芯片正面鍍保護電解質(zhì)膜

? SESAM 鍍金的Cu底座上，并帶有水冷裝置

>> 帶有光纖封裝的可飽和吸收鏡SAM

? GaAs 芯片尺寸： 4 mm x 4 mm

? 芯片厚度  ：450 μm  

? SAM芯片用膠粘在一個單模光纖一端，光纖接頭FC/APC，其他接頭類型可選