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低邊 IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)

型號(hào): TF0211C-USQ TF0211E-USQ
品牌: TFSS(德律風(fēng)根)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 驅(qū)動(dòng)配置 低邊
  • 驅(qū)動(dòng)通道數(shù) 1
  • 負(fù)載類型 MOSFET ; IGBT
  • 是否隔離 非隔離
  • 電源電壓 4.5V~18V
  • 峰值灌電流 1.9A
  • 峰值拉電流 1.8A
  • 上升時(shí)間 15ns
  • 下降時(shí)間 15ns
  • 傳播延遲 tpLH 35ns
  • 傳播延遲 tpHL 35ns
  • 工作溫度 -40°C~+125°C@(Ta)

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

            TF0211單高速M(fèi)OSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器能夠在低側(cè)驅(qū)動(dòng)配置中驅(qū)動(dòng)1.9A的峰值電流。TF0211邏輯輸入兼容標(biāo)準(zhǔn)TTL和CMOS電平(低至3.3V),輕松與mcu接口。TF0211C提供非反相和反相輸入,而TF0211E提供帶EN控制的非反相輸入。由于TF0211的典型快速傳播時(shí)間為35ns,上升/下降時(shí)間為15ns,非常適合于高速應(yīng)用,如開關(guān)模式電源和PFC電路。

             TF0211采用節(jié)省空間的SOT23-5L封裝,主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)椋弘姵毓芾硐到y(tǒng),DC-DC,開關(guān)電源等行業(yè)。

             

             TF211C-USQ可以完美替代兼容FAN3111CSX.   TF211E-USQ可以完美替代兼容FAN3111ESX.

                                                                                                                                                                                                                                 

 

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