SVF4N90D大功率900V高壓MOS管TO252封裝-4n90場效應管參數

型號： SVF4N90D

--- 產品參數 ---

品牌士蘭微
型號 SVF4N90D
封裝 TO252
電壓 900V
電流 4A

--- 產品詳情 ---

SVF4N90D大功率900V高壓MOS管TO252封裝廣泛應用于AC-DC開關電源，DC-DC電源轉換器，高壓H橋PWM馬達驅動，更多-4n90場效應管參數產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>

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MOS管
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IRFB4227PBF TO-220替代料200v mos管SVT20240NT 士蘭微MOS代理2022-06-27 14:57

MOSFET作為功率半導體廣泛應用于汽車、家電、光伏、風電、軌交等領域，長期以來一直被國外廠商占據著大部分市場份額，受益于龐大的終端消費需求，國內終端廠商推進進口替代，驪微電子推出SVT20240NTN溝道增強型MOS管可替代IRFB4227PBFTO-220場效應管。irfb4227場效應管替代料SVT20240NT特征■72A,200V,RDs(on)(

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士蘭微mos管產品主要包括低高壓、超結mos管，實現了溝槽柵低壓MOS，溝槽屏蔽柵SGT-MOS，超級結MOS和IGBT等多個產品的量產，廣泛應用于家電、工業、LED照明、汽車、消費類電子、影音設備等，缺貨漲價潮助力國產替代加速，士蘭微不斷推進產品開發和升級，不僅在產能端實現了擴增，而且產品結構也在從低階產品向更高價值量產品升級，實現進口替代。高壓超結MOS

MOS
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ncp1252a芯片代替料啟達啟臣微CR1252A2022-05-20 11:19

受多重因素影響，芯片的供應緊張仍未緩解，在缺“芯”困局之下，國產替代的呼聲愈發高漲，許多國產廠商選擇“PINtopin”的替代模式入局，驪微電子代理的啟達啟臣微CR1252A電源驅動芯片可代替ncp1252A芯片。ncp1252a代替芯片CR1252A特征■SOP-8L封裝■內置軟啟動■內置斜波補償■峰值電流限制■內置輸入欠壓自動恢復■內置LEB前沿消隱功能

芯片
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ir2104驅動芯片代換料ID7U603SEC-R1 600V半橋預驅方案2023-03-29 09:24

ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅動芯片，可兼容代換IR2104，應用領域于中小型功率電機驅動、功率MOSFET或IGBT驅動、照明鎮流器、半橋驅動逆變器、全橋驅動逆變器等領域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點■浮動工作電壓可達600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5

芯片驅動
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20W A+C雙口pd快充充電器方案|一站式服務2023-03-09 16:41

自iPhone8開始，后續的蘋果手機都支持快充，然而隨著iPhone12系列手機的推出以及取消多部機型標配充電器這一傳統，從iPhone的全球出貨量來看，已經造成了上億規模的快充市場空缺，深圳市驪微電子科技有限公司專注于電源方案設計開發，順勢推出20WA+C雙口pd快充充電器方案，提供一站式服務。20WA+C雙口pd快充充電器方案主控芯片采用PN8161SE-U1，該芯片內部集成了準諧振工作的電流

充電器快充
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5W/10W/12W/15W/18W/20W/24W/36W/65W充電器芯片方案2022-10-19 15:59

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充電器芯片
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IR2110國產替代芯片ID7S625高壓逆變器驅動芯片方案2022-07-30 16:06

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30W pd快充方案PN8165+PN8307H兼容20W PD方案2022-05-24 16:02

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