適用于 USB 3.0 且具有 5A 浪涌額定值的雙路 0.7pF、5.5V ±8kV ESD 保護二極管
| Number of channels (#) | 2 |
| IO capacitance (Typ) (pF) | 0.7 |
| Vrwm (V) | 5.5 |
| IEC 61000-4-2 contact (+/- kV) | 8 |
| IEC 61000-4-5 (A) | 5 |
| Bi-/uni-directional | Uni-Directional |
| Dynamic resistance (Typ) (?) | 0.6 |
| Clamping voltage (V) | 8 |
| IO leakage current (Max) (nA) | 100 |
| Rating | Catalog |
| Operating temperature range (C) | -40 to 85 |
- 支持 USB 3.0 數(shù)據(jù)速率 (5Gbps)
- IEC 61000-4-2 ESD 保護（4 級接觸式）
- IEC 61000-4-5 浪涌保護
- 5A (8/20μs)
- 低電容
- DRT：0.7pF（典型值）
- DQA：0.8pF（典型值）
- 動態(tài)電阻：0.6Ω（典型值）
- 節(jié)省空間的 DRT、DQA 封裝
- 直通引腳映射
TPD2EUSB30、TPD2EUSB30A 和 TPD4EUSB30 是基于 2 通道和 4 通道瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 的靜電放電 (ESD) 保護二極管陣列。TPDxEUSB30/A 器件的額定 ESD 沖擊消散值達到了 IEC 61000-4-2 國際標準（接觸式）規(guī)定的最高水平。根據(jù) IEC 61000-4-5（浪涌）規(guī)范，這類器件還可提供 5A (8/20μs) 的峰值脈沖電流額定值。
TPD2EUSB30A 具有 4.5V 的低直流擊穿電壓。憑借低電容、低擊穿電壓和低動態(tài)電阻，TPD2EUSB30A 器件可為高速差分 IO 提供出色的保護。
TPD2EUSB30 和 TPD2EUSB30A 可采用節(jié)省空間的 DRT (1mm × 1mm) 封裝。TPD4EUSB30 可采用節(jié)省空間的 DQA (2.5mm × 1.0mm) 封裝。
