DU2810S
射頻功率 MOSFET 晶體管 10W，2-175MHz，28V
射頻功率 MOSFET 晶體管 10W，2-175MHz，28V
射頻功率 MOSFET 晶體管 10W，2-175MHz，28V
射頻功率 MOSFET 晶體管 10W，2-175MHz，28V
特征
- N 溝道增強型器件
- 低本底噪聲
- 公共源配置
- 用于寬帶操作的較低電容
- DMOS結構
產品規格
零件號
DU2810S
描述
射頻功率 MOSFET 晶體管 10W，2-175MHz，28V
最小頻率(MHz)
2個
最大頻率(MHz)
175
偏壓(V)
28.0
噘嘴（W）
10.00
增益（分貝）
13:00
效率（％）
55
類型
數字金屬氧化物半導體
包裹
法蘭陶瓷包
包裹類別
陶瓷法蘭安裝
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MRF141G DU2810S
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