--- 產品參數 ---
- 描述 用于 TDD 接收器的 2.3 至 2.8 GHz 雙通道
- 頻率 2.3 至 2.8 GHz
- 當前的 0.08 至 110 毫安
- 發射功率 53分貝
- 發射增益 發射增益
- 電壓 4.75 至 5.25 V
--- 產品詳情 ---
ADRF5519BCPZN-RL
Analog Devices 的 ADRF5519 是一款雙通道接收器前端模塊 (FEM),工作頻率范圍為 2.3 至 2.8 GHz。它是一個集成射頻多芯片模塊,每個通道上有一個兩級 LNA 和大功率 SPDT 開關。FEM 設計用于通信接收器中的時分雙工 (TDD)。
ADRF5519 可以在各種模式下工作 - 在高增益模式下,它在 2.6 GHz 時提供 35 dB 的增益,噪聲系數小于 1 dB。在低增益模式下,兩級 LNA 的一級處于旁路,提供 14 dB 的增益。在掉電模式下,ADRF5519 中的 LNA 被關閉并消耗 12 mA 的電流。在發射操作中,SPDT 開關可以處理 43 dBm (20 W) 的平均 LTE 功率,并具有 0.5 dB 的插入損耗。
ADRF5519 是一款雙通道、集成射頻前端多芯片模塊,專為工作頻率范圍為 2.3 GHz 至 2.8 GHz 的時分雙工 (TDD) 應用而設計。ADRF5519 配置為雙通道,具有級聯兩級低噪聲放大器 (LNA) 和高功率硅單刀雙擲 (SPDT) 開關。
在高增益模式下,級聯的兩級 LNA 和開關在 2.6 GHz 時提供 1.0 dB 的低噪聲系數 (NF) 和 35 dB 的高增益,輸出三階截點 (OIP3) 為 32 dBm(典型值) )。在低增益模式下,兩級 LNA 的一級處于旁路,在 36 mA 的較低電流下提供 14 dB 的增益。在掉電模式下,LNA 關閉,器件消耗 12 mA。
在發射操作中,RF 輸入連接到終端引腳(ANT-CHA 或 ANT-CHB 分別連接到 TERM-CHA 或 TERM-CHB)。該開關提供 0.5 dB 的低插入損耗,并處理 43 dBm 的長期演進 (LTE) 平均功率(9 dB 峰均比 (PAR)),以實現全壽命運行。
該器件采用符合 RoHS 標準的緊湊型 6 mm × 6 mm、40 引腳 LFCSP 封裝。
應用
- 無線基礎設施
- TDD海量多輸入多輸出和有源天線系統
- 基于TDD的通信系統
產品規格
產品詳情
零件號
ADRF5519
制造商
模擬設備
描述
用于 TDD 接收器的 2.3 至 2.8 GHz 雙通道 FEM
一般參數
類型 接收模塊
配置 低噪聲放大器,開關
開關配置 單刀雙擲
應用行業 無線基礎設施、TDD 大規模多輸入多輸出和有源天線系統、基于 TDD 的通信系統
特征 掉電模式和低增益模式,正邏輯控制
樂隊 單頻段
頻率 2.3 至 2.8 GHz
當前的 0.08 至 110 毫安
發射功率 53分貝
發射增益 14 至 35 分貝
電壓 4.75 至 5.25 V
接收噪聲系數 1分貝
插入損耗 0.5分貝
隔離 20 至 65 分貝
包裝類型 芯片
包裹 40 引腳 LFCSP
方面 6 × 6 毫米
年級 商業的
RoHS 是的
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