特點
對于同步MOSFET Q2，Rds（導通）是一個重要特性；然而，柵極電荷的重要性再次不容忽視，因為它影響三個關鍵領域。在輕負載下，MOSFET仍然必須由控制IC導通和截止，因此柵極驅動損耗變得更加顯著。其次，輸出電荷Qoss和反向恢復電荷Qrr都產生了傳輸到Q1的損耗，并增加了器件中的損耗。第三，柵極電荷將影響MOSFET對Cdv/dt導通的敏感性。Q2的漏極連接到轉換器的開關節點，因此可以看到地和Vin之間的轉換。當Q1導通和截止時，漏極電壓dV/dt有一個變化率，該變化率電容耦合到Q2的柵極，并且可以在柵極上引起足以導通MOSFET的電壓尖峰，從而產生擊穿電流。必須將Qgd/Qgs1的比率最小化，以降低Cdv/dt導通的電勢。
