特點(diǎn)
AON6236采用溝槽MOSFET技術(shù)，該技術(shù)經(jīng)過(guò)專門優(yōu)化，可提供最高效的高頻開(kāi)關(guān)性能。由于RDS（ON）和Crss的組合極低，功率損耗降至最低。此外，切換行為得到了很好的控制
描述
A.RθJA的值是用安裝在1in2 FR-4板上的裝置測(cè)量的，帶有2oz。銅，在TA=25°C的靜止空氣環(huán)境中。功率耗散PDSM基于RθJA和150°C的最大允許結(jié)溫。任何給定應(yīng)用程序中的值取決于用戶的特定板設(shè)計(jì)。B.功率耗散PD基于TJ（MAX）=150°C，使用結(jié)-殼熱阻，在使用額外散熱的情況下設(shè)置耗散上限更有用。C.重復(fù)額定值，脈沖寬度受結(jié)溫TJ（MAX）=150°C的限制。額定值基于低頻率和工作循環(huán)，以保持初始TJ=25°C。D.RθJA是從結(jié)到情況RθJC和情況到環(huán)境的熱阻之和。E.圖1至圖6中的靜態(tài)特性是使用<300μs脈沖獲得的，占空比最大為0.5%。這些曲線基于結(jié)-殼熱阻抗，假設(shè)最大結(jié)溫度為TJ（max）=150°C，用安裝在大型散熱器上的設(shè)備測(cè)量該熱阻抗。SOA曲線提供單個(gè)脈沖額定值。G.最大額定電流受封裝限制。H.這些測(cè)試是在設(shè)備安裝在1 in2 FR-4板上的情況下進(jìn)行的，板上有2 oz。銅，在TA=25°C的靜止空氣環(huán)境中。
