1310nm半導體光放大器SOA芯片
見合八方1310nm波長的半導體光放大器（SOA）芯片系列具有高增益，高功率，低偏振和寬譜等優點，符合GR-468-CORE標準。該芯片全工藝國產，與國外主流SOA芯片兼容，支持訂制、交期短、供貨快。主要應用于光纖通信的高速光信號放大產品中。
產品亮點
- SOA芯片全國產，工藝自主可控
- 與主流SOA廠家結構尺寸一致，兼容性強
- 性價比高，交期短，供貨快，需求訂制，快速迭代
產品應用
- 蝶形或小box封裝的半導體光放大器，用于40G/100G高速業務的光放大
- 集成在100G光模塊的ROSA中，提高光功率預算
- 硅光子集成產品中，用于彌補1310nm光信號的傳輸損耗
典型特性
產品規格（芯片溫度@25℃）
參數 | 符號 | 工作條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
中心波長 | LC | --- | 1260 | 1300 | 1340 | nm |
帶寬 | Dλ | @-3dB | --- | 70 | --- | nm |
工作電流 | If | --- | --- | 120 | 300 | mA |
飽和光功率 | P0 | If=120mA | 11 | --- | --- | dBm |
小信號增益 | G | If=120mA Pin=-25dBm | 14 | 15 | 16 | dB |
芯片出光角度 | --- | --- | --- | 30 | --- | ° |
噪聲系數 | NF | --- | --- | 7.5 | --- | dB |
偏振相關增益 | PDG | --- | --- | 1.0 | 2.0 | dB |
正向電壓 | Vf | --- | --- | --- | 1.8 | V |
光斑尺寸 | qL/qT | --- | --- | 16/30 | --- | ° |
工作溫度 | TC | I=Iop | -10 | --- | 70 | ℃ |
存儲溫度 | Tstg | --- | -40 | --- | 85 | ℃ |
芯片尺寸(長x寬L x高) | --- | --- | 900x400x100 (+/-15) | μm | ||
結構尺寸（mm）
