非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 (Flash Memory) 與只讀存儲器 (Read-Only Memory)。其中,快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:1513 來源:滿天芯,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 據(jù)韓媒報道,三星計劃在本月至下月同主要移動端、PC 端、服務(wù)器端客戶就NAND閃存價格重新談判,目標漲價15~20%。經(jīng)歷一年多的供過于求之后,三星
2024-03-19 09:31:57115 年報顯示,公司營業(yè)收入首次突破4000億元大關(guān),達4009億元,同比增長 22.01%;歸母凈利潤為441億元,同比增長43.58%。
2024-03-18 15:28:49350 三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低;在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判,目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22217 三星電子,全球半導體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),近期在其位于中國西安的NAND閃存工廠實現(xiàn)了開工率的顯著回升,從去年的低谷20-30%提升至目前的70%。這一變化不僅反映了三星電子對市場趨勢的敏銳洞察和快速響應(yīng),也凸顯了中國智能手機市場回暖以及全球半導體庫存調(diào)整對產(chǎn)業(yè)鏈上游的積極影響。
2024-03-14 12:32:26317 據(jù)最新報道,全球領(lǐng)先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產(chǎn)策略,并計劃在本月內(nèi)將開工率提升至90%。這一策略調(diào)整反映出市場需求的變化和公司對于行業(yè)發(fā)展的積極預(yù)期。
2024-03-07 10:48:35263 潘建成表示,群聯(lián)當前正面臨供應(yīng)短缺問題,若NAND閃存制造商以合理價格提供穩(wěn)定的供應(yīng),將有助于緩解群聯(lián)的困境。他認為,原廠擴大產(chǎn)能,有利于維護NAND市場秩序,使價格合理回歸,否則過高的漲勢會打壓下游廠商需求。
2024-03-05 14:05:0481 據(jù)統(tǒng)計,鎧俠是全球第二大NAND芯片制造商,市場份額約為15%-20%,緊隨其后的是韓國的三星。面對之前NAND報價持續(xù)下跌的困境,鎧俠率先采取了減產(chǎn)策略,幅度達到了三成。
2024-03-05 09:23:51143 行動計劃》
深圳市提出在鴻蒙原生應(yīng)用發(fā)展上的具體目標:在2024年內(nèi)實現(xiàn)深圳市鴻蒙原生應(yīng)用數(shù)量占全國總量10%以上;深圳市主要垂域?qū)崿F(xiàn)鴻蒙原生應(yīng)用全覆蓋;鴻蒙開發(fā)課程進入深圳市主要高校和培訓機構(gòu),取得
2024-03-04 21:42:55
如題,了解頭部企業(yè)
2024-03-02 15:53:42
前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45158 NAND閃存作為如今各種電子設(shè)備中常見的非易失性存儲器,存在于固態(tài)硬盤(SSD)、USB閃存驅(qū)動器和智能手機存儲等器件。而隨著電腦終端、企業(yè)存儲、數(shù)據(jù)中心、甚至汽車配件等應(yīng)用場景要求的多樣化
2024-02-05 18:01:17418 江波龍首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash于近日問世。該產(chǎn)品采用BGA132封裝,支持Toggle DDR模式,數(shù)據(jù)訪問帶寬可達400MB/s,將有望應(yīng)用于eMMC、SSD等產(chǎn)品上。
2024-02-01 15:08:48361 )和NAND(NAND Flash Memory)。 eMMC是一種嵌入式多媒體控制器,它為移動設(shè)備(如智能手機和平板電腦)提供了一種高性能的存儲解決方案。它包括一個閃存控制器、一個NAND閃存芯片和一些
2024-01-08 13:51:46597 什么是SD NAND?它俗稱貼片式T卡,貼片式TF卡,貼片式SD卡,貼片式內(nèi)存卡,貼片式閃存卡,貼片式卡...等等。雖然SD NAND 和TF卡稱呼上有些類似,但是SD NAND和TF卡有著本質(zhì)上的區(qū)別。
2024-01-06 14:35:57861 NAND介紹
什么是SD NAND?它俗稱貼片式T卡,貼片式TF卡,貼片式SD卡,貼片式內(nèi)存卡,貼片式閃存卡,貼片式卡...等等。雖然SD NAND 和TF卡稱呼上有些類似,但是SD NAND和TF
2024-01-05 17:54:39
NAND產(chǎn)品中,同樣代表市場行情的256Gb TLC,第四季度單價為1.85美元左右,相比三季度上漲12%。
2023-12-26 13:54:3199 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20734 增加3D(三維)NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因為支持傳統(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計將在不久的將來達到其極限。2025 年至 2030 年間,新的基礎(chǔ)技術(shù)的引入和轉(zhuǎn)化很可能會變得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26243 據(jù)報道,韓國SK集團于2020年斥資400億韓元收購當?shù)劐\湖石化的電子材料業(yè)務(wù),收購后成立的新子公司SK Materials Performance(SKMP)已開發(fā)出一種高厚度KrF光刻膠,并通過了SK海力士的性能驗證,這將有利于SK海力士3D NAND閃存的技術(shù)開發(fā)。
2023-11-29 17:01:56433 全社會用電量的比重達到11%左右,后續(xù)逐年提高,確保2025年非化石能源消費占一次能源消費的比重達到20%左右。2022年8月,工業(yè)和信息化部辦公廳等三部門印發(fā)《關(guān)于促進光伏產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈協(xié)同發(fā)展的通知
2023-11-21 16:07:04
目前,Marvell以自主開發(fā)或外包的方式,為掌握nand閃存ic市場而展開競爭。因此,Marvell在企業(yè)市場上的運營受到了影響,Marvell正在縮小相關(guān)團隊。
2023-11-17 10:28:48362 鎧俠公司為應(yīng)對存儲芯片價格的持續(xù)下跌,從2022年10月開始采取了將晶片減產(chǎn)30%的措施。2023年q3的nand閃存價格將比q2上漲5%至9%,出貨量將比前一個月減少10至14%。以美元為準,nand閃存價格將比前一個月上漲0至4%。
2023-11-15 10:17:03335 但是,存儲芯片大企業(yè)的價格已經(jīng)出現(xiàn)上漲跡象。還有外電報道說,已經(jīng)從dram開始的存儲器價格上升趨勢正在擴大到nand閃存。
2023-11-13 14:53:28487 2021年至2027年,以百萬計為單位的NAND晶圓復合年均增長率(CAGR)為3%(見圖3),其中,汽車應(yīng)用增長最快,CAGR為20%;其次則是數(shù)據(jù)中心,其CAGR為13%。
2023-11-06 12:38:24395 奇瑞集團10月份銷售汽車200,313輛,同比增長50.8%;單月銷量首次突破20萬輛,再次刷新紀錄。近4個月以來,奇瑞集團已連續(xù)跨越15萬、17萬、19萬和20萬的單月銷量新臺階。1-10月份
2023-11-06 09:52:23198 三星采取此舉的目的很明確,希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個閃存市場,穩(wěn)定NAND閃存價格,并實現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場等目標。
2023-11-03 17:21:111214 值得注意的是,信達證券此前援引行業(yè)消息稱,近日三星向客戶公布Q4官價,MobileDRAM合約價環(huán)比漲幅預(yù)估將擴大至11%-25%;NAND Flash方面,UFS4.0漲幅約2%左右,eMCP、uMCP漲幅不等,平均漲幅20%以上,最高漲幅高達66%。
2023-11-03 15:54:34370 根據(jù)近日三星向客戶公布的四季度官價,移動DRAM合約價環(huán)比漲幅在11%-25%左右。NAND閃存方面,UFS4.0漲幅約2%,eMCP、uMCP漲幅不等,平均漲幅20%以上,最高漲幅高達66%。
2023-11-03 15:37:32281 這是國內(nèi)半導體業(yè)界多名消息人士透露的。據(jù)悉,三星繼本季度將nand閃存價格上調(diào)10%至20%后,還決定明年第1、2季度也按季度上調(diào)20%。這是為了穩(wěn)定nand型價格和實現(xiàn)明年上半年市場逆轉(zhuǎn)目標而采取的措施。
2023-11-03 12:22:311025 ds18b20的分辨率是什么意思??
2023-11-03 07:42:59
據(jù)多名半導體業(yè)界消息人士稱,三星繼本季度將nand閃存價格上調(diào)10至20%后,決定明年第一季度和第二季度也分別上調(diào)20%。三星電子正在努力穩(wěn)定nand閃存價格,試圖在明年上半年逆轉(zhuǎn)市場。
2023-11-02 10:35:01523 51單片機中unsigned short占多少字節(jié)
2023-10-27 07:02:12
從2024年第四季度開始,DRAM和NAND閃存的價格將全面上漲,這已經(jīng)導致國內(nèi)存儲器下游企業(yè)的閃存采購成本上漲了近20%,而內(nèi)存采購成本上漲了約30%。
2023-10-17 17:13:49793 中芯國際方面表示:“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點,已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)。”目前主要用于數(shù)碼相機等的閃存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265 三星決定升級西安工廠的原因大致有兩個。第一,在nand閃存市場尚未出現(xiàn)恢復跡象的情況下,在nand閃存市場保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開始的it景氣低迷和半導體景氣低迷的影響,三星nand的銷量增加,從而使虧損擴大。
2023-10-16 14:36:00832 據(jù)韓國貿(mào)易部16日公布的資料顯示,韓國9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%,但8月份減少了8.9%。存儲器半導體業(yè)界的另一個支柱——3.3354萬dram的出口在同期減少了24.6%。這比上個月的35.2%有所減少。
2023-10-16 14:17:21244 根據(jù)專利摘要,本發(fā)明實際公開了nand閃存芯片的測試樣本,測試樣本由多個相同的樣本區(qū)域組成,每個樣本區(qū)域包含多個相鄰的數(shù)據(jù)塊。相鄰的幾個數(shù)據(jù)塊會測試不同的擦除次數(shù)。在多個相同的樣本區(qū)域中,任意兩個相鄰的樣本區(qū)域之間的間隔預(yù)先設(shè)定相鄰數(shù)據(jù)塊的數(shù)量。
2023-10-13 09:47:33313 目前,NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù),但是據(jù)我了解,還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 避難是在智能手機、電腦、數(shù)據(jù)中心等使用儲存裝置“nand閃存”的企業(yè),由于存儲器市場的需求減少,企業(yè)紛紛減產(chǎn),因此預(yù)計到2024年以后需求才會恢復。
2023-09-22 10:13:24683 業(yè)內(nèi)人士說:“nand閃存價格將比dram快反彈”,“nand閃存供應(yīng)商們的赤字繼續(xù)擴大,因此銷售價格正在接近生產(chǎn)成本,供應(yīng)商們?yōu)榱司S持運營,擴大減產(chǎn),價格停止下跌,反彈率領(lǐng)的”。
2023-09-11 14:56:17508 閃存芯片是非揮發(fā)存儲芯片,廣泛用于電子產(chǎn)品,特別是如數(shù)碼相機、MP3播放器、手機、全球定位系統(tǒng)(GPS)、高端筆記本電腦和平板電腦等移動電子產(chǎn)品的存儲應(yīng)用。
2023-09-11 09:32:31833 沒有SPI-Nand, NAND 無法啟動
2023-09-06 06:24:06
nuc980裸機程序超過1個block如何下載到spi nand?
2023-09-04 06:59:21
請問N9H20有沒有同時使用SD卡和NAND的范例?
我想把SD卡里面的文件拷貝到NAND里面去。
2023-09-04 06:32:06
三星業(yè)績近期表現(xiàn)非常差,三星為了增強NAND閃存競爭力計劃在2024年升級其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈。
2023-08-30 16:10:02192 自20世紀60年代首次生產(chǎn)出集成邏輯門以來,各種數(shù)字邏輯電路技術(shù)層出不窮。本次實驗將研究晶體管-晶體管邏輯(TTL)電路逆變器(非門)和2輸入NAND門配置。
2023-08-28 16:36:23531 超過 300 層;采用雙層堆棧架構(gòu)。 而SK海力士則計劃在2025 年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)的321層NAND 閃存。
2023-08-21 18:30:53281 三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認為,三星的nand閃存產(chǎn)量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績中,由于市場持續(xù)低迷,三星電子正式公布了存儲器減產(chǎn)計劃。
2023-08-16 10:23:58423 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開發(fā)進展情況。
2023-08-10 16:01:47704 據(jù)《電子時報》報道,三星提出的512gb nand閃存晶片單價為1.60美元,比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示,由于上下nand閃存的庫存緩慢,很難說服上調(diào)價格。
2023-08-02 11:56:24762 在當今科技時代,數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長,NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來,虛擬SLC(pSLC)閃存技術(shù)的引入,為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35790 在當今科技時代,數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長,NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來,虛擬 SLC(pSLC)閃存技術(shù)的引入,為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC 閃存的原理、優(yōu)勢以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。
2023-08-01 11:15:471559 官方網(wǎng)站:深圳市雷龍發(fā)展有限公司
目前雷龍發(fā)展代理的 SD NAND 已可在立創(chuàng)商城搜索到,其詳情頁也附有手冊。
芯片簡介
芯片外觀及封裝
實拍圖:
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根據(jù)官方文檔介紹,此款芯片采用 LGA-8
2023-07-28 16:23:18
SK海力士收購Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重新組建的Solidigm公司非常活躍,最近披露了其近期NAND、SSD規(guī)劃路線圖,預(yù)計2023年上半年陸續(xù)落地。
2023-07-24 17:06:29902 對 NAND 存儲器的需求也大幅增加。從移動或便攜式固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心,從企業(yè)固態(tài)硬盤再到汽車配件, NAND 閃存的應(yīng)用領(lǐng)域和使用場景愈發(fā)多樣化,各種要求也隨之出現(xiàn),常見的譬如更高的讀寫速度、最大化的存儲容量、更低的功耗和更低的成本等等
2023-07-24 14:45:03424 隨著游戲產(chǎn)業(yè)和數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展,全球 NAND 市場正呈擴張之勢。而由于新冠疫情的爆發(fā),人們更多選擇遠程辦公和在線課程,對數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)器的需求隨之增長
2023-07-24 14:42:48808 長江存儲已經(jīng)將3D NAND閃存做到了232層堆疊,存儲密度15.47Gb每平方毫米,而且傳輸速度高達2400MT/s,妥妥的世界第一,結(jié)果被美國一直禁令給攔住了,死死限制在128層,但我們肯定不會坐以待斃。
2023-07-20 09:44:311233 基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案,采用了232層3D TLC NAND閃存;速度提升很大,可以達到最高
2023-07-19 19:02:21864 蘋果閃存和SSD都基于閃存技術(shù),但存在一些細微差別。蘋果閃存是專為蘋果產(chǎn)品而開發(fā)的,使用NAND(非易失性閃存)芯片技術(shù),而SSD可以是通用的,采用不同類型的閃存芯片,如NAND、MLC(多級單元)或TLC(三級單元)。
2023-07-19 15:21:372102 NAND閃存,所有主要閃存制造商都在積極采用各種方法來降低閃存的每位成本,同時創(chuàng)造出適用于各種應(yīng)用的產(chǎn)品。閃存制造商還在積極展開研究,期望能夠擴展3D NAND閃存的垂直層數(shù)。雖然15nm似乎是NAND閃存目前能夠達到的最小節(jié)點,但開發(fā)者
2023-07-18 17:55:02486 隨著密度和成本的飛速進步,數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領(lǐng)域并非如此,與半導體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同,NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351203 NAND閃存是一種電壓原件,靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211444 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃,預(yù)計在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達到280層
2023-07-04 17:03:291744 閃存存儲設(shè)備:NAND芯片作為主要的閃存存儲媒介,被廣泛用于固態(tài)硬盤(SSD)、USB閃存驅(qū)動器、內(nèi)存卡(如SD卡、MicroSD卡)和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495201 本文轉(zhuǎn)自公眾號,歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個由100多家
2023-06-21 17:36:325865 據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)watch faces公布的最新數(shù)據(jù)顯示,蘋果公司的蘋果手表到2022年的年銷量達5390萬部,首次突破5000萬臺。
2023-06-15 10:19:221065 3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間內(nèi),容納更高的存儲容量,從而有效節(jié)約成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561727 nuc980裸機程序超過1個block如何下載到spi nand?
2023-06-13 08:18:28
238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片,生產(chǎn)效率比上一代的176層提升了34%,成本競爭力得到了大幅改善。
2023-06-11 14:32:54492 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit,用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁(Page)(可以看到,NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū),硬盤的一個扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001982 NAND 存儲器制造商三星和 SK 海力士已尋求將 NAND 閃存價格提高 3%-5% 以試探市場反應(yīng),并表示 NAND 閃存的價格已降至可變成本以下。 ? 2. 日媒:蘋果Vision Pro 給電子
2023-06-09 12:01:041114 SK海力士收購Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重組而來的Solidigm,就發(fā)布了一款QLC閃存的企業(yè)級產(chǎn)品P5-D5430,可以說是QLC SSD的一個代表作。
2023-06-09 10:41:43489 sk海力士表示:“以238段nand閃存為基礎(chǔ),開發(fā)了智能手機和pc用客戶端ssd (client ssd)解決方案產(chǎn)品,并于5月開始批量生產(chǎn)。該公司通過176層、238層的產(chǎn)品,在成本、性能、品質(zhì)等方面確保了世界最高的競爭力。
2023-06-08 10:31:531564 任何人都可以幫助我面對像 lpc4337 閃存中的 sector13 一樣無法將超過 8K 的數(shù)據(jù)寫入 64k 的問題嗎?即使是 64K 容量的扇區(qū)在閃存寫入期間也只允許 8k 數(shù)據(jù)。
如果我提供
2023-06-08 06:39:37
全行業(yè)正在努力將 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當前成熟的 3D NAND 工藝,這與學術(shù)論文提出和內(nèi)存行業(yè)研究的許多將 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46324 自20世紀60年代首次生產(chǎn)出集成邏輯門以來,各種數(shù)字邏輯電路技術(shù)層出不窮。本次實驗將研究晶體管-晶體管邏輯(TTL)電路逆變器(非門)和2輸入NAND門配置。
2023-05-29 14:19:23395 NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元(SLC)閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元(MLC),閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位,因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:031193 我想知道是否有人在 RT1052 或類似的東西上使用過 NAND FLASH。
因為我試圖將它包含在我的 PCB 中而且我看到 RT1052 支持它但我沒有看到任何關(guān)于它的示例。
2023-05-18 06:53:45
我試圖讓 RT1052 從外部 QSPI NAND 閃存 W25N01GVZEIG 啟動。我們選擇了RT1050參考手冊中提到的這個NAND flash。我還附上了數(shù)據(jù)表。
我還使用 NXP MCU
2023-05-12 07:55:18
Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會上,除了鎧俠、SK海力士、長江存儲、三星等大廠所做的技術(shù)分享外,大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商,其去年推出的X-NAND第二代技術(shù),允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001982 - 我的任務(wù)是找出根本原因并解決基于 imx28 的定制設(shè)計板中的問題。
- imx28 無法從 NAND 啟動并進入 USB 恢復模式。
- 將 NAND 閃存更改為不同的 NAND 閃存后
2023-04-27 06:50:47
我正在嘗試啟動 IMX6ULL NAND 閃存。供您參考,我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動了 IMX6ULL NAND 閃存。(uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
對于我們的項目,我們將 QSPI 閃存連接到以下引腳: 而我們的板子會使用qspi flash作為默認的啟動源,不會有任何其他的啟動設(shè)備。在此配置中,我們應(yīng)該如何處理 BOOT_CFG 引腳?從
2023-04-17 08:50:47
眾所周知,鎧俠公司發(fā)明了NAND Flash。公司憑借其領(lǐng)先的三維(3D)垂直閃存單元結(jié)構(gòu)BiCS FLASH,讓公司閃存的密度在市場中名列前茅。與此同時,鎧俠還是第一個設(shè)想并準備將SLC技術(shù)成功遷移到MLC、再從MLC遷移到TLC、現(xiàn)在又從TLC遷移到QLC的行業(yè)參與者。
2023-04-14 09:17:03796 的答案。當答案超過 20 個字節(jié)長時,我收到警告消息:W (591392) BT_GATT:屬性值太長,將被截斷為 20特征是這樣定義的(超過 20 個字節(jié))。[任務(wù)藍牙
2023-04-14 07:49:06
今天,魅族正式發(fā)布了魅族 20 系列新品,包括:魅族 20、魅族 20 Pro 以及“超大杯”魅族 20 INFINITY 無界版。此次新品全系搭載了第二代驍龍8移動平臺,不僅擁有強悍的性能,在顯示、影像、通信等方面也實現(xiàn)了全方位突破,它究竟會給我們帶來哪些驚喜呢?一起來看下。
2023-03-31 09:31:191940 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 大家好, 我正在研究 IMXRT1176,我對內(nèi)存使用有一些疑問: XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存?如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動,則加載程序必須將應(yīng)用程序復制到
2023-03-29 07:06:44
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