太陽能（PV）三級逆變器（Three Level Inverter）設計架構正快速崛起。大多數逆變器業者已計畫在今年擴大導入三級拓撲結構，提升金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）切換頻率與導入數量，以取代傳統的二級拓撲逆變器設計，減輕能源轉換的耗損，更進一步提高1%以上電源轉換效率。

　　英飛凌（Infineon）行銷經理謝東哲表示，為刺激太陽能市場升溫，相關系統業者無不致力提升電源轉換效率，期吸引更多投資者青睞，并取得更好的市場價格與長期投資效益。由于太陽能電池模組和逆變器對整體效率的影響最顯著，前者係主要發電來源并占70%系統成本，后者則是能將多少再生能源轉換成有效電力的關鍵設備，因而已成為太陽能供應鏈廠商布局重點。

　　英飛凌資深行銷經理謝東哲認為，現階段提升太陽能系統效率最有效且低成本的方法就是從逆變器著手，驅動相關業者持續改良產品設計。

　　盡管電池模組係整個太陽能系統構成的主要部分，但要提升電池效率，勢將牽動新材料、硅晶圓製造技術革新，不僅須投注大量研發成本，也須耗費很長時間才能導入量產，對廠商而言無疑是龐大負擔。也因此，現階段業界大多從逆變器設計著手，期以較低成本有效增進整體系統效率。

　　英飛凌資深主任工程師郭代塬強調，提升逆變器效率的關鍵在于降低損耗，因此內部拓撲設計非常重要；近期，逆變器廠商皆紛紛轉攻三級拓撲方案，以強化逆變器控制能力，并改善傳統二級拓撲中較高壓的功率半導體元件耗損較大的問題，進而將現有逆變器平均轉換效率從97%再往上提升一個層級至98%，讓整個太陽能系統產出更多可用電力。

　　相較于傳統二級拓撲逆變器採用兩顆1，200伏特（V）的MOSFET，達成最高2，400伏特的電壓支援，三級拓撲設計改以四顆600伏特功率元件構成，這種設計雖能減輕電力轉換損失，但也須導入更復雜的脈衝寬度調變（PWM）機制或增加微控制器（MCU）輸入/輸出（I/O）接腳，方能實現所需控制功能；同時也須將切換頻率從20kHz提高至30kHz，藉以縮減電感體積，讓整體系統成本不至于大幅攀高。

　　郭代塬認為，三級拓撲逆變器出貨量漸增，亦將為功率半導體開發商帶來新一波商機。特別是600伏特等級的功率元件需求可望顯著增溫，因此英飛凌已計畫于 2013～2014年擴增四顆600伏特MOSFET模組封裝方案、新一代650伏特超接面MOSFET及碳化硅（SiC）JFET等產品陣容，提供業界整合度更高、更低導通電阻（RDS（on））的功率元件。

　　事實上，以往英飛凌較擅長開發高電壓功率元件，并在該領域取得不錯的市占表現；近期因應市場趨勢轉變，該公司也大舉擴張600伏特左右的中高電壓方案，採多元產品發展策略。謝東哲指出，雖然600伏特功率元件的市場競爭激烈，但英飛凌擁有獨特封裝技術，可將四顆600伏特MOSFET封裝成微型功率模組，不僅控制上更加便利，亦能減少系統占位空間，可望吸引逆變器業者青睞。