功率MOSFET管
自1976年開發出功率MOSFET以來，由于半導體工藝技術的發展，它的性能不斷提高：如高壓功率MOSFET其工作電
2009-11-07 09:23:12
1870 美高森美公司(MicrosemiCorporation) 宣布擴展其RF功率產品線，推出了DRF1400功率MOSFET。
2012-06-05 15:02:241182 Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布，推出全新電源轉換控制器系列及其首個功率MOSFET器件系列。
2012-11-19 17:28:111073 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日推出具有超低導通電阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業應用，包括電
2012-12-04 22:17:341235 。這兩個參數可以通過如下兩個公式獲得，重點強調一點，與功耗溫度曲線密切相關的重要參數熱阻，是材料和尺寸或者表面積的函數。隨著結溫的升高，允許的功耗會隨之降低。根據最大結溫和熱阻，可以推算出MOSFET可以
2018-07-12 11:34:11
用于它們的負載點（POL）設計。當適應控制器和外部MOSFET時，這些應用極大地限制了主板空間。MOSFET和封裝技術的進步使得TI能夠成功應對這些挑戰。諸如TI 2.x NexFET?功率
2019-07-31 04:45:11
情況不同，所以 MOSFET有時也被稱為表面場效應管。 5.1.3 RD：漂移層電阻，主要是外延層中的電阻。一般做功率MOSFET都采用外延片。所謂外延片即在原始的低阻襯底（SUBSTRATE）硅片上
2019-06-14 00:37:57
MOSFET的耐壓、電流特性和熱阻特性，來理解功率MOSFET的安全工作區SOA曲線。它定義了最大的漏源極電壓值、漏極電流值，以保證器件在正向偏置時安全的工作，如下圖，SOA曲線左上方的邊界斜線，受漏源極
2016-10-31 13:39:12
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數，進而確保持續提升系統效率和功率密度。分析顯示，在研發功率
2019-07-04 06:22:42
MOSFET數據表都包括一組熱電阻數字，以便為客戶提供器件熱性能的參考點。功率MOSFET數據表中提供的最常見的兩種熱電阻是結到環境和結到管殼的熱阻抗。結到管殼的熱電阻定義為“從半導體器件的工作部分到封裝外部
2018-10-18 09:13:03
時的損耗：阻性關斷的損耗和上面過程相類似，二者相加，就是阻性開關過程中產生的總的開關損耗。功率MOSFET所接的負載、變換器輸出負載和變換器所接的輸出負載是三個完全不同的概念，下面以BUCK變換器為例來說
2016-12-16 16:53:16
使用功率 MOSFET 也有兩年多時間了，這方面的技術文章看了不少，但實際應用選型方面的文章不是很多。在此，根據學到的理論知識和實際經驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
功率MOSFET的感性負載關斷過程和開通過程一樣，有4個階段，但是時間常數不一樣。驅動回路的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯的柵極電阻，RG2為功率MOSFET內部的柵極電阻
2017-03-06 15:19:01
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計算 同步整流器的功耗如何計算
2021-03-11 07:32:50
阻，減小熱阻。這種結構是AOS的專利技術，目前AOS新一代的低、中壓的功率MOSFET，廣泛的采用這種結構，如AON6262E/AO4262E，就是采用這種技術，專門針對手機快沖QC的副邊同步整流SSR
2016-10-10 10:58:30
不用區分EAR和EAS，IAR和IAS。在雪崩曲線上更短的持續時間，可以使用時間來計算最大允許的雪崩電流，從平均功耗P和熱阻來估計初始的結溫TJ。正因為如此，現在許多公司功率MOSFET的數據表中，不再標示
2017-09-22 11:44:39
功率型LED熱阻測量的新方法摘 要： LED照明成為21世紀最引人注目的新技術領域之一，而功率型LED優異的散熱特性和光學特性更能適應普通照明領域的需要。提出了一種電學法測量功率LED熱阻的新方法
2009-10-19 15:16:09
通常用熱阻的大小來描述。熱阻RT定義為每1W的集電極耗散功率使晶體管的結溫升高的度數，即 熱阻RT越小，散熱條件越好。功率管最大允許的管耗PCM與熱阻大小、工作環境溫度有關，即 式中，TjM表示PN結的最高允許結溫;Tα表示功率管的工作環境溫度。
2021-05-13 07:44:08
電流強度的隔離式柵極驅動器可以降低 SiC MOSFET 功率損耗，實現更快的開關頻率，從而提高效率，從而改善新的電動汽車型號的驅動范圍。符合 TI 功能安全標準的 UCC5870-Q1 和 UCC5871-Q1 30-A 柵極驅動器附帶大量設計支持工具，可幫助實現。
2022-11-02 12:02:05
壓分別從12.6V，19.1V下降到 6.07V，7.5V；導通損耗下降到常規MOSFET的1/2和1/3。由于導通損耗的降低，發熱減少，器件相對較涼，故稱COOLMOS。 2、封裝的減小和熱阻的降低
2023-02-27 11:52:38
員所需要的。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor簡稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電
2010-05-06 08:55:20
%的電能轉換成光，其余的全部變成了熱能，熱能的存在促使我們金鑒必須要關注LED封裝器件的熱阻。一般，LED的功率越高，LED熱效應越明顯，因熱效應而導致的問題也突顯出來，例如，芯片高溫的紅移現象；結溫
2015-07-29 16:05:13
MOS管瞬態熱阻測試（DVDS）失效品分析如何判斷是封裝原因還是芯片原因，有什么好的建議和思路
2024-03-12 11:46:57
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
的MOSFET設計，就無法做到這一點。2006年，英飛凌為了滿足客戶的要求，推出了OptiMOS? 2 100 V MOSFET[1]。它是該電壓等級里采用電荷補償技術的第一個功率MOSFE器件。相對于傳統
2018-12-07 10:21:41
器件的系統時，電路設計人員應該注意以下的熱因素： l 即使完全打開，MOSFET也會因為I2.R而耗散功率。（RDS（on）為器件導通電阻） l I2.RDS（on）損失將導致器件和其他地方的溫度
2023-04-20 16:49:55
影響。Figure 1： TPS543820 Thermal Information因此，我們需要對項目中重點電源器件進行實際熱阻測量，尤其是在高溫應用場景下，以避免設計問題導致的芯片可靠性降低甚至無法正常工作。板上
2022-11-03 06:34:11
RF 功率 MOSFET的最大應用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現改變了這一
2019-07-08 08:28:02
請教各位大蝦一個問題，SMA，SMAJ與SMB封裝除了尺寸不同之外，它們的熱阻有沒有什么區別?(例如SS14 SMAJ,SS14 SMA,SS14 SMB熱阻的區別)
2013-08-25 22:47:42
（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關，需要能夠應對不斷發展的市場的新型驅動和轉換解決方案。由于其優異的熱特性，SiC器件在各種應用中代表了優選的解決方案，例如汽車領域的功率驅動電路。SiC
2019-07-30 15:15:17
的驗證◇ 接觸熱阻的測量 ◇ 熱界面材料（TIM）的測量 — DynTIM 大功率 ◇ T3Ster在功率半導體器件領域的應用 △ 英飛凌利用T3Ster, 按照JESD51-14測試MOSFET
2013-01-08 15:29:44
作用導致反向工作時的壓降降低呢？AO4459的一些特性如下：圖2：AO4459的二極管特性圖3：AO4459的傳輸特性VTH是功率MOSFET的固有特性，表示功率MOSFET在開通過程中溝道形成的臨界
2017-04-06 14:57:20
，最大功率是208WRjc是0.6℃/W降額曲線圖的公式P=（Tj-Tc）/RjcTa≥25℃，P=PmaxTc＜25℃。2、加了散熱器但是散熱器是有限的情況，并且接觸MOSFET與散熱器接觸是有熱阻的情況
2021-09-08 08:42:59
RBJC=0.75。熱阻的計算公式：，其中，Tj表示MOSFET的結溫，最大能承受150℃Tc表示MOSFET的表面溫度。通過上面公式可以計算一下，表面溫度在25℃的情況下，管子能承受的功率：，P
2021-09-01 17:10:32
MOSFET作為主要的開關功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2019-09-25 07:00:00
減少開關損耗。 圖2全部絕對最大電流和功率數值都是真實的數據 圖3MOSFET在施加功率脈沖情況下的熱阻實際上，我們可以把MOSFET選型分成四個步驟。 選好額定電流后，還必須計算導通損耗。在實際情況
2019-09-04 07:00:00
大家上午好！該系列視頻為開關電源免費教程，今天講解MOS管的熱阻。持續關注，我們會持續更新！大家有關于開關電源以及工作中遇到的關于電源相關的難題，都可以在帖子下面與我們交流討論。
2021-09-22 09:57:47
的熱阻，熱阻通道成串聯關系。LED燈具作為新型節能燈具在照明過程中只是將30-40%的電能轉換成光，其余的全部變成了熱能，熱能的存在促使我們金鑒必須要關注LED封裝器件的熱阻。一般，LED的功率越高
2015-07-27 16:40:37
的RDS（ON）與它的結溫（TJ）有關。話說回來，TJ又依賴于MOSFET的功率耗散以及MOSFET的熱阻（ΘJA）。這樣，似乎很難找到一個著眼點。由于功率耗散的計算涉及到若干個相互依賴的因素，我們
2023-03-16 15:03:17
邏輯電平驅動的功率MOSFET，通常驅動電壓是5V，這種電平驅動的功率MOSFET得到廣泛應用的原因在于：低電平驅動可以降低驅動損耗，同時可以提高驅動速度，適應于非隔離的DCDC變換器高頻高效
2019-08-08 21:40:31
對功率模塊和功率級的定義解決舊問題的新方法本技術文章的目的是說明TI如何為單個分立FET與集成功率模塊指定SOA的差異。如早期技術文章中所述，TI的分立功率MOSFET數據手冊中提供的SOA曲線適用于
2019-07-30 22:47:52
結溫到表面的熱阻，這里我們知道RBJC=0.75。熱阻的計算公式：，其中，Tj表示MOSFET的結溫，最大能承受150℃Tc表示MOSFET的表面溫度。通過上面公式可以計算一下，表面溫度在25
2021-08-16 11:07:10
MOSFET相比，SiC MOSFET的功率轉換效率可提升高達5%采用準諧振方式，可實現更低EMI通過減少元器件數量，可實現顯著的小型化和更高可靠性可確保長期穩定供應，很適合工業設備應用產品陣容新增4款保護功能
2022-07-27 11:00:52
現在需要測IGBT的熱阻，我的方案是直接讓它導通然后用大電流加熱到一定的程度后，突然切斷大的電流源，看他在100ma下的vce變化（已知100ma工況下vce和節溫的關系），然后將測試到的vce
2017-09-29 10:40:46
一端的溫度、T2為物體另一端熱源的溫度，P 為熱源的功率。適用于 一維、穩態、無內熱源的情況下的熱阻。在近似分析中，我們依然可以參照此式。 簡單的說， 熱阻 Rth就是描述阻礙散熱的物理量，熱阻越大
2024-03-13 07:01:48
小白看排阻的數據手冊，對于其功率不是很理解：比如0603*4的一個排阻，是指整個排阻的功率是1/16W呢？還是單個電阻的功率能達到1/16W？請知道的朋友幫忙指點指點
2015-01-19 21:19:31
鎖定一般的描述FP6180是巴克監管機構建立內部功率MOSFET。它達到3連續輸出電流在一個寬輸入范圍提供優秀的負載和行監管。當前模式操作提供了快速瞬態響應和緩解循環穩定,設備包括逐周期限流和熱停堆
2020-11-09 15:55:21
400LFM。圖2b給出了電路板上表面和元件的溫度。具有較高溫度的元件是穩壓器中的MOSFET。 當把每個關鍵元件組的最大溫度的仿真結果與測試結果對比時，我們發現它們具有很好的一致性。 減少電路板走線
2018-11-22 16:26:17
功率損耗都是由這些開關管造成的。 所有MOSFET漏極端子的覆銅面積在頂層最大，在其它層盡可能做同樣大或更大，以改善向底層表面導熱的熱傳輸效率。通過這種方式，電路板的正面和背面都有助于空氣自然對流
2021-12-23 07:00:00
的RDS（ON）與它的結溫（TJ）有關。話說回來，TJ又依賴于MOSFET的功率耗散以及MOSFET的熱阻（ΘJA）。這樣，似乎很難找到一個著眼點。由于功率耗散的計算涉及到若干個相互依賴的因素，我們
2021-01-11 16:14:25
使用功率 MOSFET 也有兩年多時間了，這方面的技術文章看了不少，但實際應用選型方面的文章不是很多。在此，根據學到的理論知識和實際經驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
中的寄生源電感。因此，采用SMD封裝的MOSFET也能實現快速開關，同時降低開關損耗。適用于4引腳器件的SMD封裝名為“ThinkPAK 8X8”。 III.分析升壓轉換器中采用最新推出的TO247
2018-10-08 15:19:33
: BJT）組成的復合型器件，它既具有MOSFET的輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關速度快、開關損耗小的優點，又具有BJT的電流密度大、飽和電壓低、電流處理能力強的優點，在高壓、大電流、高速
2015-12-24 18:13:54
導讀：近日，德州儀器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產品
2018-11-29 17:13:53
有什么方法可以降低IC封裝的熱阻嗎？求解
2021-06-23 07:24:48
逐年下降。然而， 傳統的熱釋電紅外傳感器只針對鉛型手工焊接貼裝，成了自動化的瓶頸。 這次的研制品，適應了這些市場需求，有利于自動化而引起的成本降低，以及矮板設備的小型化、薄型化。 通過表面貼裝化
2018-11-19 16:48:31
1、結構 第一個功率MOSFET - 與小信號MOSFET不同 -出現在1978年左右上市，主要供應商是Siliconix。它們是所謂的V-MOS設備。MOSFET的特點是源極和漏極之間的表面
2023-02-20 16:40:52
MOSFET通過降低開關損耗和具有頂部散熱能力的DaulCool功率封裝技術可以實現更高的工作頻率,從而能夠獲得更高的功率密度。 理想開關 在典型的同步降壓開關電源轉換器中,MOSFET作為開關使用時
2012-12-06 14:32:55
，器件結到環境的熱阻通常近似為：RqJA=RqJC+RqCA。熱阻確定了就可以用公式計算功率MOSFET的電流值連續漏極電流ID，當環境溫度升高時，計算ID的值相應也會降低。裸露銅皮的封裝，使用RqJC
2016-08-15 14:31:59
具有更高的熱性能和堅固性，以及高度可靠的環氧樹脂灌封技術。所有這些都導致： 優化內部低雜散電感和電弧鍵合?結構，顯著提升動態開關性能; 功率密度比主要競爭對手的模塊高20-30%; 更低的熱阻
2023-02-20 16:26:24
電機熱功率應該如何計算呢？
強制風冷的選型如何選擇呢？和電機的熱功率又有什么樣的聯系呢？
2023-11-24 06:54:24
MOSFET的結構高壓的功率MOSFET的外延層對總的導通電阻起主導作用，要想保證高壓的功率MOSFET具有足夠的擊穿電壓，同時，降低導通電阻，最直觀的方法就是：在器件關斷時，讓低摻雜的外延層保證要求的耐壓
2018-10-17 16:43:26
通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS（ON）所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計算，由于導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOSFET施加
2011-08-17 14:18:59
不會失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數據;比如封裝器件的半導體結與環境之間的熱阻，以及最大的結溫。器件的結溫等于最大環境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積(結溫=最大環境溫度+[熱阻
2013-03-11 10:49:22
損耗，這稱之為導通損耗。MOSFET在“導通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS(ON)所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算，由于導通電阻隨溫度變化，因此功率
2012-10-30 21:45:40
損耗，這稱之為導通損耗。MOSFET在“導通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS(ON)所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算，由于導通電阻隨溫度變化，因此功率
2012-10-31 21:27:48
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
TI新推高集成正弦波時鐘緩沖器可顯著降低成本，節省板級空間
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出業界最小型 4 通道、低功耗、低抖動正弦至正弦波時鐘緩沖器。作為正弦
2009-12-01 08:43:111111 小信號應用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節約更多
2009-12-31 09:59:441420 TI推出面向高電流DC/DC 應用、顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET
采用創新封裝手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在標準封裝尺寸
2010-01-14 08:16:52403 TI 推出面向高電流 DC/DC 應用、顯著降低上表面熱阻的功率 MOSFE 采用創新封裝手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在標準封裝尺寸下將散熱效率提升 80%、允許電流
2010-01-14 14:17:31388 德州儀器推出面向高電流DC/DC應用的功率MOSFET，可以顯著降低上表面熱阻
采用創新封裝手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在標準封裝尺寸下將散熱效率提升80%、允許電流提高5
2010-01-15 08:39:05727 TI推出通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。相對
2010-01-22 09:40:49932 TI推出顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET DualCool NexFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。相
2010-01-26 16:55:08783 
TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅動器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護模塊以及監控特性的數字雙路同步降壓功率驅動器，
2010-02-23 09:26:57667 TI推出多核SoC顯著簡化通信基礎局端設備的設計
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款基于 TI 多核數字信號處理器 (DSP) 的新型片上系統 (SoC) 架構，該架構在業界性能最高
2010-02-23 16:46:14589 TI推出具有同步MOSFET控制輸出的全新環保型相移全橋控制器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備同步 MOSFET 控制輸出與輕負載電源管理功能的相移全橋 PWM 控制器 UCC289
2010-03-01 08:39:27848 IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391444 Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關速度，應用工作電壓高達650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181447 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 意法半導體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態電阻
2011-12-27 17:29:101277 
德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應晶體管 (FET) 使用的低側柵極驅動器。
2012-02-11 09:59:081435 
致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下友尚推出ST MDmesh? M2系列的新款N-通道功率MOSFET---600V MDmesh M2 EP。該系列MOSFET
2016-01-05 18:01:421296 德州儀器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實現業內最低，比傳統60-V負載開關低90%，同時，使終端系統功耗得以降低。CSD18541F5內置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負載開關的封裝體積比SOT-23中的減小80%。
2016-07-18 17:12:361476 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 自2018年開始，功率MOSFET的平均售價持續上升，其中以工作電壓范圍超過400伏特高電壓功率MOSFET產品成長幅度最顯著，已位居價格中的首位。
2019-07-05 14:52:445040 
SICMOSFET作為第三代半導體器件，以其卓越的高頻高壓高結溫低阻特性，已經越來越多的應用于功率變換電路。那么，如何用最有效的方式驅動碳化硅MOSFET，發揮SICMOSFET的優勢，盡可能降低
2022-11-30 15:28:282647 
的性能，限制了其在一些特定應用領域的應用。因此，研究如何降低MOSFET的1/f噪聲是非常重要的。 1. 優化器件結構 MOSFET的1/f噪聲來源于復雜的表面效應。為了減小這種噪聲，可以從優化器件結構的角度入手。一種方法是增加器件面積。隨著面積的增加，器件中的1/f噪聲相對于總噪聲
2023-09-17 17:17:361208 近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0294 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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