宜普電源推出EPC2001和EPC2015增強型氮化鎵FET
2011年03月18日 09:22 宜普電源 作者：秩名 用戶評論（）
宜普電源轉換公司宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質限制條例)要求的增強型氮化鎵 (eGaN) FET。
EPC2001 FET是一種100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，柵極電壓為5V。EPC2015是一種40 VDS器件，RDS(ON) 最大值是4mΩ。與同樣先進的硅基功率MOSFET相比，這兩種eGaN FET都具有更卓越的性能優勢。兩種器件都具有低導通電阻，體積比相同電阻的硅器件更小，并且具有卓越許多倍的開關性能。
受益于eGaN FET性能提高的應用包括直流-直流電源、負載點轉換器、D類音頻放大器、筆記本電腦和上網本電腦、LED驅動電路和電信基站。
“環境保護是宜普公司發展業務的首要考慮因素，也是我們提供無鉛、符合RoHS要求的eGaN FET的推動力。EPC2001和EPC2015是宜普公司推出的第一批無鉛且符合RoHS要求的eGaN FET，我們計劃在今后4個月內讓全部eGaN FET無鉛化，并符合RoHS要求。”宜普公司合伙創始人、首席執行官Alex Lidow表示。
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( 發表人：簡單幸福 )