全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。該器件采用業界標準SOT-23封裝,具有超低導通電阻 (RDS(on)) ,適用于電池充電及放電開關、系統和負載開關、輕載電機驅動,以及電信設備等應用。
新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術,通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力,為客戶的特定應用優化了性能及價格。
IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“這個全新的SOT-23 MOSFET系列支持從 -30V至100V的寬電壓范圍,并提供不同水平的 RDS(on) 和柵極電荷 (Qg) ,從而為追求緊湊、高效率及低成本解決方案的客戶帶來更佳、更廣泛的設計選擇。”
新器件達到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 業界標準,所采用的材料不含鉛,并符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。
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(責任編輯:發燒友)
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