3.2 科銳推出新型S波段GaN晶體管器件
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全新60W GaN HEMT Psat晶體管幫助降低軍用和民用雷達系統，對于高功率放大器尺寸、重量以及散熱的要求

　　科銳公司宣布推出可適用于軍用和商用S 波段雷達中的高效GaN HEMT 晶體管。新型 S 波段GaN HEMT 晶體管的額定功率為60W，頻率為 3.1至3.5GHz 之間，與傳統Si或 GaAs MESFET 器件相比，能夠提供優越的漏極效率（接近70%）。同時，高效率和高功率密度的結合有助于最大限度地降低散熱的要求，并減少在商用雷達系統應用中的尺寸與重量。

　　科銳無線射頻（RF）及微波部門總監 Jim Milligan表示：“新型 S 波段 GaN HEMT 器件的推出豐富了科銳高效 S 波段GaN晶體管與單片式微波集成電路（MMIC）產品系列，從而為客戶在商用雷達系統高功率放大電路的應用中提供更多的選擇。高效的 S 波段 GaN HEMT 器件率，在具有優異信號保真度的同時擴展脈沖能力，并最大限度地降低散熱管理需求，從而能夠幫助無線射頻設計工程師大幅度地降低雷達系統的尺寸和重量，同時擴大應用范圍并降低安裝成本。”

　　科銳 CGH35060 GaN HEMT 晶體管28V 工作電壓下的額定脈沖功率為 60W（當脈寬為100微秒時），功率增益為12dB，漏極效率為 65%，與傳統硅 LDMOS 器件相比高出50%。CGH35060 型 GaN 器件已經在高功率放大器參考設計（S 波段頻率在3.1至3.5GHz 之間）中得到驗證。與 GaAs和Si技術相比，CGH35060 還具有長脈沖、高功率性能（低于0.6dB）、優異的信號保真度以及非常低的功率衰減等特性。

　　3.3 讀寫186MB/s!索尼發布世界最快XQD存儲卡

　　索尼今天宣布推出新的“S Series”系列存儲卡，符合最新的XQD標準規范，讀寫速度最高均可達驚人的186MB/s，輕松成為世界上最快的存儲卡產品，尤其適合專業攝影記者。XQD規范是CF協會批準授權的一種新型開放式存儲卡格式，使用獨特的主控制器和優化的閃存芯片實現更高速的數據處理，從而大大提升讀寫速度，超越CF卡極限的167MB/s。

　　索尼S Series系列存儲卡容量有32GB、64GB兩種，產品編號QD-S32/T、QD-S64/T，是對之前H Series系列的補充和增強。后者也支持XQD規范，但容量只有16GB、32GB，速度最高不過125MB/s。

　　索尼還會在本月底提供一個特別驅動，再搭配合適的讀卡器，就能從Thunderbolt雷電接口設備上向Mac蘋果系統傳輸文件。

　　索尼S Series QXD存儲卡即日起開始上市，32GB、64GB型號分別售價259.99美元、459.99美元。索尼還同時提供USB 3.0、ExpressCard 34接口的XQD讀卡器MRW-E80、QDA-EX1。