聯華電子攜手智原已經完成并交付3億邏輯門（300-million gate count）系統單芯片解決方案。此款3億邏輯門SoC是采用聯華電子40nm工藝。SRAM容量高達100MB，可為高級通訊產品提供優異的網路頻寬，滿足高速而穩定的傳輸需求，以因應新一代通訊產品需求。
2013-01-25 10:13:09
1286 英飛凌科技與GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布，雙方圍繞40納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）工藝，簽訂一份合作技術開發與生產協議。
2013-05-02 12:27:171397 在經過2016的一系列擴張之后，近日，Crossbar與中芯國際合作的40nm ReRAM芯片正式出樣，再次為芯片國產化發展提振士氣。另有數據顯示，中芯國際去年銷售額增至29.2億美元，比2015年大增31%，市占率提升1個百分點至6%。
2017-01-18 10:46:161220 股份有限公司（紐約證券交易所代碼：UMC；臺灣證券交易所代碼：2303）（以下簡稱“UMC”）今日聯合宣布，賽普拉斯 65nm 和 40nm 技術平臺成為業界首批榮獲合格制造商名單 (QML) 認證的平臺
2017-11-17 09:26:5011703 0.13μm非易失性FRAM產品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數字電位器，能夠實現機械電位器的功能，用簡單的2線數字接口取代機械調節。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽頭非易失I2C線性數字電位器MAX5432資料下載內容主要介紹了：MAX5432引腳功能MAX5432功能和特性MAX5432應用范圍MAX5432內部方框圖MAX5432極限參數MAX5432典型應用電路
2021-04-02 06:37:34
32抽頭非易失I2C線性數字電位器MAX5433資料下載內容包括：MAX5433引腳功能MAX5433功能和特性MAX5433應用范圍MAX5433內部方框圖MAX5433極限參數MAX5433典型應用電路
2021-04-02 07:32:20
研究機構IMEC已經發表了一篇論文，該研究表明，在5nm節點上，STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節能效果。這種優勢比非易失性和較小的空間占用更重要。
2019-10-18 06:01:42
日前，LSI 公司宣布推出業界首款 40nm 讀取信道芯片 TrueStore? RC9500，旨在支持各種尺寸和容量的從筆記本到企業級的 HDD。RC9500 現已開始向硬盤驅動器 (HDD
2019-08-21 06:26:20
描述萊迪思HX4K FPGA 突破這款 FPGA 分線板旨在記錄如何開始 FPGA 編程，從硬件設計文件到加載比特流。為了嘗試將其作為一個項目進行訪問，該板的一個設計目標是使其能夠僅使用烙鐵進行手工
2022-08-23 07:21:04
萊迪思半導體公司和SiFive，Inc。最近，他們同意共同合作，通過萊迪思FPGA產品系列（包括最新的28 nm CrossLink-NX?FPGA），為開發人員輕松提供SiFive可擴展核心IP
2020-07-27 17:57:36
中國上海——2023年3月3日——萊迪思半導體公司（NASDAQ：LSCC），低功耗可編程器件的領先供應商，近日宣布更新萊迪思ORAN?解決方案集合，為開放式無線接入網（ORAN）的部署提供靈活
2023-03-03 16:52:10
隨機存取存儲器）和OUM(Ovshinsky電統一隨機存取存儲器)，三者科技內涵各有所長,市場預測尚難預料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關于非易失性MRAM的單元結構
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-10 07:20:20
高密度MRAM具有非常低的功率，高的讀取速度，非常高的數據保留能力和耐久性，適用于廣泛的應用。單元面積僅為0.0456平方微米，讀取速度為10ns，讀取功率為0.8mA/MHz/b，在低功耗待機模式
2020-07-02 16:33:58
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重復編程FPGA的應用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
bq4011是一個非易失性262144位靜態RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標準SRAM的無限寫入周期相結合。控制電路持續監測單個5V電源是否超出公差條件。當
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）結合了賽普拉斯行業領先的SRAM技術和一流的SONOS非易失性技術。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標準信號和時序的常規異步SRAM。nv SRAM執行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數據。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數據保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
PLL、專用時鐘沿和I/O gearing邏輯解決了高速串行傳感器接口。最后，萊迪思半導體（Lattice）的 XP2提供了具有成本效益的8×8mm面積。此外，由于其非易失的特性，LatticeXP2系列
2011-05-24 14:17:00
。”高云半導體全球市場副總裁兼中國區銷售總監黃俊先生表示，“GW1N系列器件可滿足消費類電子、視頻、安防、工業物聯網、有線/無線通信等不同市場的智能連接、接口擴展等需求。通過GW1N系列產品，高云半導體可以向用戶提供高安全性、單芯片、低成本、小薄封裝等優勢的最優化非易失性FPGA解決方案。”
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數據（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區域
2023-04-14 07:38:45
這是一mt6169 40nm CMOS多模多頻段收發器。射頻收發器功能是完全集成的。本文描述了射頻宏被嵌入到整個產品中的性能目標。MT6169主要特征區別MT6169是第一個M聯ATEK射頻收發器1
2018-08-28 19:00:04
Pango DesignSuite，可支持千萬門級FPGA器件設計開發高云半導體：推出中國首顆55nm嵌入式Flash SRAM非易失性FPGA芯片，實現可編程邏輯器件、嵌入式處理器無縫連接安路
2021-09-10 14:46:09
，FPGA能否在以便攜產品為主體的消費電子領域占到一席之地呢？對于這個問題，萊迪思半導體公司給出了肯定的答案。
2019-09-03 07:55:28
世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產品之第二款并口器件FM28V020。
2019-09-16 10:31:20
業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice今日宣布，正式推出全國產化24nm工藝節點的4GbSPINANDFlash產品——GD5F4GM5系列。該系列產品實現了從設計研發、生產制造到
2020-11-26 06:29:11
兆易創新推出全國產化24nm SPI NAND Flash
2021-01-07 06:34:47
，加速產品上市進程，大大降低風險 美國俄勒岡州希爾斯波羅市 — 2015年3月2日 —萊迪思半導體公司（NASDAQ: LSCC）—超低功耗、小尺寸客制化解決方案市場的領導者，今日宣布推出三款可免費下載
2019-06-17 05:00:07
，安全問題該如何解決？ 2020年下半年，萊迪思推出了Sentry解決方案集合和SupplyGuard供應鏈保護服務，可提供端到端的供應鏈保護措施，將在通信、數據中心、工業、汽車、航空航天和客戶計算等領域
2020-09-07 17:16:48
的 iCE40UltraPlus 器件，那么可以通過板上 MCU 或從外部 SPI 閃存設備來加載配置。另外，iCE40UltraPlusFPGA 還包含一次性可編程（OTP）片上非易失性配置存儲器
2020-10-23 09:16:56
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個輸入引腳和哪個是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
保護您的嵌入式軟件免受內存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲在非易失性設備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內存數據集損壞。在微型嵌入式系統中看到這些數據集是很常見的，這些系統存儲
2021-12-24 07:27:45
我應該用什么API來存儲非易失性數據？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應該使用WiDeDssFlash寫來存儲數據，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
預編程設備的引導加載，我們有一個困難，顯然制造商沒有對NVLS編程，因此引導加載程序拒絕重新編程閃存。有一個問題出現（對于PSoC 3和PSoC 5LP，我們使用在其他板上）：如何讀取PSoC處理器的非易失性鎖存器？安德烈亞斯
2019-08-15 06:46:55
各位前輩們，有誰有求UMC 55nm LP工藝(low power)的PDK？請不吝賜予
2021-06-22 07:25:15
求一份tsmc 7nm standard cell library求一份28nm或者40nm 的數字庫
2021-06-25 06:39:25
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
0、引言電子產品的可靠性預計一直是困擾各個無線通信公司的難題之一，目前比較通用的可靠性預計方法是由貝爾實驗室在2001年推出的Bellcore-SR332方法。該方法的不足之處在于它僅根據產品
2019-06-19 08:24:45
，在特殊工藝方面，LCD Driver IC、OLED Driver IC量很大，多數采用的是80nm、40nm工藝，在此基礎上，UMC準備將這些IC制造導入到28nm上來。還有在MCU的特殊工藝方面
2018-06-11 16:27:12
前的驗證。這是雙方工程團隊為進一步提升良率、增強可靠性并縮短生產周期而努力合作的成果。Virtex-6系列通過生產驗證,意味著聯華電子繼2009年3月發布首批基于40nm工藝的器件后,正式全文下載
2010-04-24 09:06:05
。此外，FPGA通常有很寬的溫度范圍，并有很長的產品生命周期。 針對ECP2M和ECP3器件系列，萊迪思（Lattice）半導體公司最近推出了DVI/HDMI接口的參考設計。萊迪思半導體公司
2019-06-06 05:00:34
40nm等工藝節點推出藍牙IP解決方案，并已進入量產。此次推出的22nm雙模藍牙射頻IP將使得公司的智能物聯網IP平臺更具特色。結合銳成芯微豐富的模擬IP、存儲IP、接口IP、IP整合及芯片定制服務、專業及時的技術支持，銳成芯微期待為廣大物聯網應用市場提供更完善的技術解決方案。
2023-02-15 17:09:56
40 nm 工藝的電路技術40-nm 工藝要比以前包括65-nm 節點和最近的45-nm 節點在內的工藝技術有明顯優勢。最引人注目的優勢之一是其更高的集成度，半導體生產商可以在更小的物理空
2010-03-03 08:42:13
14 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
安華高科技首次在40nm硅芯上取得20 Gbps的SerDes性能表現
Avago Technologies(安華高科技)日前宣布，已經在40nm CMOS工藝技術上取得20 Gbps的SerDes性能表現。延續嵌入式SerDes應用長久以
2008-08-27 00:34:23701 傳40nm制程代工廠良率普遍低于70%
據業者透露，包括臺積電在內的各家芯片生產公司目前的40nm制程良率均無法突破70%大關。這種局面恐將對下一代顯卡和FPGA芯片等產品
2010-01-15 09:32:551000 臺積電稱其已解決造成40nm制程良率不佳的工藝問題
據臺積電公司高級副總裁劉德音最近在一次公司會議上表示，臺積電40nm制程工藝的良率已經提升至與現有65nm制程
2010-01-21 12:22:43893 賽靈思40nm Virtex-6 FPGA系列通過全生產驗證
全球可編程邏輯解決方案領導廠商賽靈思公司(Xilinx, Inc. )與全球領先的半導體代工廠商聯華電子( UMC (NYSE: UMC; TSE: 2303))今天共
2010-01-22 09:59:51716 賽靈思高性能40nm Virtex-6 FPGA系列即將轉入量產
賽靈思公司(Xilinx, Inc.)與聯華電子(UMC)今天共同宣布，采用聯華電子高性能40nm工藝的Virtex-6 FPGA，已經完全通過生產前的驗
2010-01-26 08:49:17851 華邦電子宣布將于年內開始40nm制程技術研發
華邦電子公司的總裁詹東義近日宣布，華邦公司將于年內開始40nm制程工藝的開發，不過華邦拒絕就其將于爾必達合作進
2010-02-02 18:00:12783 三星首家量產40nm級工藝4Gb DDR3綠色內存芯片
三星電子宣布，該公司已經在業內第一家使用40nm級別工藝批量生產低功耗的4Gb DDR3內存芯片。
這種內存芯片支
2010-02-26 11:33:42780 臺積電無奈出B計劃：AMD下代顯卡40nm工藝＋混合架構
AMD曾在多個場合確認將在今年下半年發布全系列新顯卡，我們也都期待著全新的
2010-04-01 09:17:50712 Synopsys和中芯國際合作推出65-nm到40-nm的SoC設計解決方案經過驗證的聯合解決方案確保晶晨半導體達到以高性能產品搶占市場的目標
2010-11-16 10:36:12830 單芯片BCM43142是業界首款適用于筆記本電腦和上網本的40nm Wi-Fi藍牙組合芯片。該新芯片實現了Wi-Fi Direct互連與就近配對的無縫結合，極大地簡化了家庭中的無線互連。這款組合芯片支持
2011-06-02 08:43:248793 燦芯半導體（上海）有限公司與中芯國際今天共同宣布燦芯半導體第一顆 40nm 芯片在中芯國際一次性流片驗證成功。
2011-06-22 09:16:331258 瑞薩電子宣布開發出業界首款適用于汽車實時應用領域的40nm工藝嵌入式閃存技術。瑞薩電子也將是首先使用上述40nm工藝閃存技術，針對汽車應用領域推出40nm嵌入式閃存微控制器(MCU)的廠
2012-01-05 19:44:13797 意法·愛立信今天發布了業界首個采用40nm制造工藝的整合GPS、GLONASS、藍牙和FM收音的平臺CG2905。這款開創性產品將提高定位導航的速度和精度，推動市場對擴增實境應用和先進定位服務
2012-03-01 09:04:38783 據業內人士透露，臺灣芯片代工廠商聯電（UMC）已向高通交付了28nm芯片樣品進行驗證，并與Globalfoundries的競爭，努力成為繼臺積電之后高通第二個28nm芯片代工合作伙伴。
2013-01-18 09:04:46776 1月28日，展訊通信宣布，其首款集成了無線連接的單芯片40nm GSM/GPRS手機基帶平臺SC6531正式商用，該平臺集成了FM與藍牙功能，以幫助2.5G手機制造商降低手機設計成本。
2013-01-29 10:23:5618801 
全球領先的嵌入式解決方案供應商賽普拉斯半導體公司和全球領先的半導體代工廠聯華電子公司（以下簡稱“UMC”）于今日宣布，賽普拉斯由UMC代工的專有40nm嵌入式 電荷捕獲 （eCT?） 閃存微控制器（MCU），現已開始大單出貨。
2016-12-29 15:46:582253 作為中國本土半導體制造的龍頭企業，中芯國際（SMIC）的新聞及其取得的成績一直是行業關注的焦點。2017新年伊始，其一如既往地吸引著人們的眼球。前幾天，該公司宣布正式出樣采用40nm工藝的ReRAM（非易失性阻變式存儲器）芯片，并稱更先進的28nm工藝版很快也會到來。
2017-01-17 09:40:003747 目前在下一代存儲芯片的研發當中，除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片（非易失性阻變式存儲器）。2016年3月，Crossbar公司宣布與中芯國際達成合作，發力中國市場。其中，中芯國際將采用自家的40nm CMOS試產ReRAM芯片。
2017-01-17 16:28:553396 的產品集成度將幫助2.5G功能型手機制造商降低整個平臺成本，并增加工業設計的靈活性。 “SC6531采用40nm CMOS工藝，為客戶提供
2018-11-14 20:39:01419 “芯啟源”）共同合作，集成USB3.0物理層設計（PHY）與控制器 （Controller）并應用于中芯國際40nm和55nm的工藝技術，推出完整的USB 3.0 IP解決方案。
2018-12-05 14:06:566394 合作，一同成立合資企業，并在馬來西亞新建一座12英寸晶圓工廠。 據了解，富士康提及到該工廠將會鎖定28nm及40nm制程，并且預計該晶圓廠投產后，每個月能夠提供4萬片的產能。目前市面上的微控制器、傳感器、連接相關芯片等都廣泛使用了28nm制程，因此例如臺積電等制
2022-05-18 16:35:032398 IP_數據表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:19:391 IP_數據表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:20:310 IP 數據表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:22:152 IP_數據表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:26:530 IP_數據表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:33:100 IP_數據表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-03-16 19:34:040 IP_數據表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:111 IP_數據表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:561 IP 數據表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:260 IP_數據表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:12:510 IP_數據表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:19:241 IP_數據表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:122
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