存儲器(Volatile memory)。于是，存儲器從大類來分，可以分為易失性存儲器和非易失性存儲器。后來出現(xiàn)的Flash Memory(快閃存儲，簡稱閃存)，掉電后數(shù)據(jù)也不容易丟失，所以也屬于
2012-01-06 22:58:43
存儲器，儲存能夠保存更大的數(shù)據(jù)量，每位元組的成本也更低。一般來說，儲存的成本大約比存儲器更低20倍。 不同于存儲器的是，儲存裝置還可以進(jìn)一步分類為線上或離線。圖1顯示存儲器與儲存的主要特性
2017-07-20 15:18:57
存儲器存儲器是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。隨著技術(shù)的發(fā)展，CPU的速度變化迅速，但存儲器的速度增加得較慢。這使得計算機的速度在很大程度上受限于存儲器速度。為了解決這個問題，設(shè)計了
2022-01-19 06:35:54
失是指存儲器斷電后，里面存儲的內(nèi)容是否會丟失，另一邊的速度而言呢，易失性存儲器的速度要快于非易失性存儲器。1.1 易失性存儲器 按照RAM的物理存儲機制，可以...
2021-07-16 07:55:26
-----ROM Read Only Memory，顧名思義，它是一種只能讀出事先所存的數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲器。ROM中所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定，一旦存儲數(shù)據(jù)就再也無法將之改變或者刪除，斷電后所存數(shù)據(jù)也不會消失
2021-12-10 06:34:11
發(fā)展迅速。 2、鐵電存儲器FRAM 它是利用鐵電材料極化方向來存儲數(shù)據(jù)的。它的特點是集成度高，讀寫速度快，成本低，讀寫周期短。 技術(shù)資料出處:eefocus該文章僅供學(xué)習(xí)參考使用，版權(quán)歸作者所有
2017-10-24 14:31:49
，所以發(fā)展迅速。 2、鐵電存儲器FRAM 它是利用鐵電材料極化方向來存儲數(shù)據(jù)的。它的特點是集成度高，讀寫速度快，成本低，讀寫周期短。技術(shù)資料出處:eefocus該文章僅供學(xué)習(xí)參考使用，版權(quán)歸作者所有。AO-Electronics 傲壹電子 `
2017-12-21 17:10:53
DN17- 閃存存儲器的脈沖發(fā)生器編程
2019-07-01 06:58:01
問題一：位圖都存儲在哪了？都在程序存儲器里嗎問題二：能不能將位圖存儲到外部內(nèi)存中？問題三：F429的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器有多大？
2020-05-20 04:37:13
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
存儲器相同的通道進(jìn)行訪問，從而較之前的架構(gòu)實現(xiàn)了顯著的增強。該通道的寬度是之前器件的兩倍，而速度則為一半，從而大幅降低了到達(dá)外部 DDR3 存儲器控制器（通過 XMC 和 MSMC）的時延。在此
2011-08-13 15:45:42
的擦除操作，而且寫人時間也比閃存少幾個數(shù)量級。即使是與現(xiàn)有存儲器中性能較高的DRAM(讀取1寫入時間為30ns~
2022-02-11 07:23:03
的擦除操作，而且寫人時間也比閃存少幾個數(shù)量級。即使是與現(xiàn)有存儲器中性能較高的DRAM(讀取1寫入時間為30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦寫次數(shù)超過1015次,和DRAM
2023-04-07 16:41:05
大家好，我用的是PIC18LF420控制器。我需要知道任何ESD/EMI是否會損壞閃存或ERAM存儲器。也就是說，在控制器工作期間，可以改變配置字。謝謝。 以上來自于百度翻譯 以下為原文
2018-11-07 15:37:41
當(dāng)系統(tǒng)運行了一個嵌入式實時操作系統(tǒng)時（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲器來運行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機訪問儲存器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀存儲器）。
2019-06-28 08:29:29
控制信號有些不同的地方。 深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM
2017-06-02 10:45:40
有效處理大量單獨任務(wù)來支持復(fù)雜的預(yù)處理，并以可預(yù)測（確定性）的方式處理多重任務(wù)。當(dāng)然，這將對微控制器提出額外的要求，需要更快的時鐘速度，更重要的是，需要更多的程序存儲器。商業(yè)或開源成品嵌入式操作系統(tǒng)
2019-07-30 11:19:18
你好我想用7系列收發(fā)器IP，但我不知道為什么GTX可以高速運行？為什么GTX收發(fā)器的速度比基本的IOB快？
2020-08-13 10:31:42
`在看C專家編程的時候， 上面有一幅圖，整理的是內(nèi)存媒介的速度，與成本的關(guān)系說明， 這里我在網(wǎng)上找了一張說明更為細(xì)致的圖:那為什么寄存器的速度會比內(nèi)存快?Mike Ash寫了一篇很好的解釋，非常通俗
2015-12-27 10:19:01
采用霍爾傳感器測量電機轉(zhuǎn)速為什么測量顯示的速度比實際速度大十倍左右？？求大神答疑解惑，感謝感謝
2019-10-30 21:20:48
啟動模式講完了，我們知道是主閃存存儲器啟動的。主閃存存儲器被映射到啟動空間(0x0000 0000)，但仍然能夠在它原有的地址(0x0800 0000)訪問它。 接下來，再看一下它的啟動流程是怎樣
2021-08-20 07:29:53
什么是EEPROM存儲器？
2021-11-01 07:24:44
半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫快存儲密度高耗電量少耐震等特點。關(guān)閉電源后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
作者：李建勛 樊曉光 禚真福來源：什么是基于閃存平臺的存儲管理策略？在嵌入式系統(tǒng)中，由于閃存成本低、容量大、非易失、訪問速度高和機械故障少的優(yōu)勢已逐漸成為最流行的存儲大量數(shù)據(jù)的存儲器。然而，閃存常見
2019-07-31 08:17:49
V3的全閃存方案，在大于1000桌面以上就有超過30%的成本優(yōu)勢。 ２.運維效率高 典型2000個桌面部署速度相對傳統(tǒng)存儲提升2倍（20小時縮減為8小時），啟動風(fēng)暴時間縮減75%（60分鐘
2018-11-29 11:41:44
） 功耗小，但是成本高，壽命到期后讀不出來信息，并且難以修復(fù)。 7、光盤存儲器 價格低，容量大，耐用，可用于長期保存數(shù)據(jù)。但是讀出和傳輸速度比硬盤慢得多。光盤存儲器三大類型：CD光盤存儲器，DVD 光盤存儲器，BD光盤存儲器。
2019-06-05 23:54:02
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對非易失性存儲器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度存儲器，而
2019-06-26 07:11:05
（1）雙極型存儲器特點：運算速度比磁芯存儲器速度約快 3個數(shù)量級，而且與雙極型邏輯電路型式相同，使接口大為簡化。 （2）MOS晶體管存儲器特點：集成度高、容量大、體積小、存取速度快、功耗低
2020-12-25 14:50:34
在單板設(shè)計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計，都離不開存儲器設(shè)計：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
據(jù)新華社7月2日報道，相變存儲器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點，被業(yè)界稱為下一代存儲技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機領(lǐng)域，并實現(xiàn)千萬量級市場化銷售，未來中國在該領(lǐng)域有望實現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
的大小 = 一頁的大小 * 多少頁 * 多少塊。下面著重于Nand flash和Nor flash的各個特點和共性與差異。1. 特點1.1 Nand FlashNand flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼
2021-12-10 08:26:49
你好，我在應(yīng)用中使用了PIC24FJ128GC06。我想用一頁的閃存（512字，1536字節(jié)）作為非易失性存儲區(qū)來存儲設(shè)置、配置和校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。我知道如何使用TBLPTRS讀取和寫入訪問內(nèi)存，以及
2018-10-19 16:08:12
大家好， 我的項目有一個閃存，用于將Xilinx FPGA配置為SPI模式。同時，我想將閃存用作內(nèi)存。這意味著閃存有兩個功能：配置FPGA和數(shù)據(jù)存儲器。那么，我該怎么辦呢？閃存中的配置引腳是否用作數(shù)據(jù)存儲器引腳？謝謝。最好的祝福。
2020-06-08 12:20:31
如何利用Xilinx FPGA和存儲器接口生成器簡化存儲器接口？
2021-05-06 07:23:59
哪些地址用于我的EEPROM存儲器，這樣我就可以在這些字節(jié)上排除閃存保護(hù)？ 以上來自于百度翻譯 以下為原文I am about to complete a Creator project
2019-06-18 09:14:56
，復(fù)位后FPGA將通過這個PROM啟動。但是在我未來的項目中，只有JTAG連接可用。因此，我想知道是否可以通過JTAG和軟件IMPACT用位文件刷新這個外部PROM。有沒有可用的通用指南如何通過JTAG和IMPACT（或任何其他工具）閃存任何隨機并行存儲器？感謝你的付出最好的祝福mitch89
2019-09-18 10:35:14
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯片的可靠性。隨著對嵌入式存儲器需求的持續(xù)增長，其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專用存儲器設(shè)計方法。
2019-11-01 07:01:17
引言 隨著CPU速度的迅速提高，CPU與片外存儲器的速度差異越來越大，匹配CPU與外部存儲器的方法通常是采用Cache或者片上存儲器。微處理器中片上存儲器結(jié)構(gòu)通常包含指令Cache ，數(shù)據(jù)
2019-07-02 07:44:45
較之閃存/EEPROM 具有哪些主要優(yōu)勢？ 1) 速度。 FRAM 具有快速寫入的特性。 寫入到 FRAM 存儲器單元的實際時間小于50ns，這超越了所有其他存儲器的類似操作。 這大約比 EEPROM
2018-08-20 09:11:18
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司供稿鐵電隨機存儲器（FRAM） RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
常用存儲器存儲器的種類RAM存儲器非易失性存儲器存儲器的種類易失性存儲器： 掉電數(shù)據(jù)會丟失讀寫速度較快內(nèi)存非易失性存儲器：掉電數(shù)據(jù)不會丟失讀寫速度較慢機械硬盤RAM存儲器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
影響存儲器訪問性能的因素有哪些？DSP核訪問內(nèi)部存儲器和外部DDR存儲器的時延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂谩Ｕ堉笇?dǎo)我們實現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
存儲器可分為哪幾類？存儲器有哪些特點？存儲器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
求助：數(shù)據(jù)存儲器6116和程序存儲器2817怎么搜，在altium designer。貌似不太會用搜索功能。我總是搜不出來不知道為什么，求解答。單片機存儲電路里的數(shù)據(jù)存儲器6116和程序存儲器
2014-07-22 23:10:03
切換期間存儲信息。非易失性存儲器用于存儲可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來檢索用途。目前市場上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲器，如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
我用的labview幫助中的計數(shù)器輸入案例vi來采集頻率的，但是采集的頻率比正常大百倍，并且變化幅度也較大，求大佬解答
2021-05-08 13:17:06
設(shè)計需求相變存儲器技術(shù)直接解決了當(dāng)今電子系統(tǒng)的需求:密度隨著消費者，電腦和通訊電子系統(tǒng)的融合，所有電子系統(tǒng)中代碼均出現(xiàn)指數(shù)性增長，數(shù)據(jù)的增長速度甚至更快.為了滿足這種增長的需要，存儲器密度范圍不僅要
2018-05-17 09:45:35
計算機存儲器分為兩大類：內(nèi)存存儲器和外部存儲器（簡稱內(nèi)存或內(nèi)存條和外存）。內(nèi)存:是暫時存儲進(jìn)程以及數(shù)據(jù)的地方，又稱主存，是CPU能直接尋址的存儲空間，由半導(dǎo)體器件制成。特點是內(nèi)存容量小，存取速度快
2021-07-22 09:48:45
長期保存數(shù)據(jù)，它需要定期的刷新操作。這不但使DRAM 的讀寫控制變得復(fù)雜，而且也降低了它的讀寫速度。DRAM 主要用作主存儲器。SRAM 是依靠一對反相器以閉環(huán)形式連接的存儲電路，它的代碼的讀出是非
2022-11-17 16:58:07
隨著CPU速度的迅速提高，CPU與片外存儲器的速度差異越來越大，匹配CPU與外部存儲器的方法通常是采用Cache或者片上存儲器。微處理器中的片上存儲器結(jié)構(gòu)通常包含指令Cache、數(shù)據(jù)Cache或者片上存儲器。
2019-11-11 07:03:58
PIC24設(shè)備，它不能像某些PIC32那樣跳轉(zhuǎn)到數(shù)據(jù)存儲器（RAM）開始從那里執(zhí)行。具有擴展程序存儲器接口，所以我們可以把功能代碼轉(zhuǎn)移到擴展存儲器，然后跳轉(zhuǎn)到PC，這個選項在PIC24設(shè)備中不可用。然而
2020-03-09 08:46:16
，中心原子保持不動，存儲器的狀態(tài)也得以保存。鐵電存儲器不需要定時更新，掉電后數(shù)據(jù)能夠繼續(xù)保存，速度快而且不容易寫壞。鐵電存儲器技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造工藝相兼容。鐵電薄膜被放置于CMOS基層之上，并置
2011-11-19 11:53:09
，中心原子保持不動，存儲器的狀態(tài)也得以保存。鐵電存儲器不需要定時更新，掉電后數(shù)據(jù)能夠繼續(xù)保存，速度快而且不容易寫壞。鐵電存儲器技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造工藝相兼容。鐵電薄膜被放置于CMOS基層之上，并置
2011-11-21 10:49:57
集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
存儲設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
S25FS128SDSNFI100，MirrorBit?閃存非易失性存儲器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口
2023-02-07 14:23:17
摘要：磁電存儲器不僅存取速度快、功耗小，而且集動態(tài)RAM、磁盤存儲和高速緩沖存儲器功能于一身，因而已成為動態(tài)存儲器研究領(lǐng)域的一個熱點。文章總結(jié)了磁電
2006-03-24 13:01:37
1459 
旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲器
全球最大的序列式快閃存儲器(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司宣布，領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲器產(chǎn)品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01677 正確選擇閃存寫入緩沖區(qū)大小，優(yōu)化擦寫速度
在各種電子技術(shù)快速發(fā)展和電子市場高速擴大的今天，存儲器的需求量迅猛增長。在眾多存儲器類型中，NOR型閃存由于具有隨
2009-11-23 10:00:04966 相變存儲器：能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器
從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301115 高性能20納米級NAND閃存存儲器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個20納米級(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 英國研究人員最近報告說，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。電阻性記憶體的基礎(chǔ)是憶阻材
2012-05-21 10:49:43626 英國研究人員最近報告說，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。
2012-05-21 11:22:27651 在現(xiàn)在計算機內(nèi)存技術(shù)中，似乎速度與存儲持久性不可兼得。RAM速度很快，但存儲時間不長，硬盤與閃存則相反。而今，一種原型存儲設(shè)備打破了這種限制，實現(xiàn)了速度快、數(shù)據(jù)存放長等優(yōu)點。
2013-06-14 10:31:11513 是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。 由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、
2017-10-11 14:11:3722155 可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、
2017-10-11 15:16:1715617 閃存存儲器是寄存器嗎？ 很明顯不是 ，一個屬于儲存器，一個是寄存器。那么寄存器和存儲器有什么區(qū)別呢？ 1、從范圍來看 寄存器在CPU的內(nèi)部，它的訪問速度快，但容量小（8086微處理器只有14個16
2017-10-11 17:12:2111741 速率的8 I/O高功能OctaFlash Serial NOR快閃存儲器系列產(chǎn)品，資料傳輸速度更一舉突破250MHz而拔得頭籌。
2018-01-02 10:06:391443 旺宏昨日召開財報會表示，2017年在NOR型快閃存儲器的市占率約30%，為全球霸主。另外，小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營收60%，旺宏并預(yù)計NOR型快閃存儲器2018年成長動力將來
2018-02-01 05:34:011107 
現(xiàn)代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點，并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021255 代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點，并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:001396 日前，東芝（TOSHIBA）、西數(shù)（WD）等存儲器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲器，核心容量可達(dá) 1.33TB，單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過因 QLC 快閃存儲器
2018-07-26 18:01:002026 多年來，該行業(yè)一直致力于各種存儲技術(shù)的研究，包括碳納米管RAM、FRAM、MRAM、相變存儲器和ReRAM。有些已推出，有些仍在研發(fā)中。這些不同類型的存儲器都對應(yīng)特定的應(yīng)用領(lǐng)域，但都勢必將在存儲器家族中取代一個或者多個傳統(tǒng)型存儲。
2018-09-05 15:51:129162 盡管ㄧ些新存儲器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來，但在這競爭激烈的市場，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲器技術(shù)的列表。然而，無論哪一個技術(shù)勝出，這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3410846 
業(yè)界普遍認(rèn)為未來從數(shù)據(jù)中將能挖掘出最大的價值，但要挖掘數(shù)據(jù)的價值除了需要很強的計算能力之外，數(shù)據(jù)的存儲也非常關(guān)鍵。目前，新型存儲器也是領(lǐng)先的企業(yè)非常關(guān)注的一個方向，蘭開斯特大學(xué)（Lancaster University）的研究人員最近發(fā)表論文稱其研究的新型存儲器可以兼具穩(wěn)定、高速、超低功耗的優(yōu)點。
2019-06-25 09:16:232881 快閃存儲器的編程時間有時會很長（對于大的存儲器或存儲器組可達(dá)1分鐘）。因此，此時不容許有其它元件的逆驅(qū)動，否則快閃存儲器可能會受到損害。
2019-09-13 12:44:00720 浙江大學(xué)信息與電子工程學(xué)院趙毅教授課題組研發(fā)出一種低成本、低功耗的新型存儲器。這項基于可工業(yè)化生產(chǎn)的半導(dǎo)體集成電路制造工藝的工作，將大幅提高數(shù)據(jù)交換速度，降低網(wǎng)絡(luò)芯片的制造成本，進(jìn)而從理論上為“萬物互聯(lián)”打下基礎(chǔ)。
2019-09-20 11:14:32615 人們需要了解閃存存儲器和固態(tài)硬盤（SSD）正在徹底改變當(dāng)今IT基礎(chǔ)設(shè)施的原因，因為這些超級快速存儲的設(shè)備可以支持高端應(yīng)用和高性能存儲層。
2019-12-05 09:38:452880 多年來，存儲器制造商一直試圖在單個封裝中集成動態(tài)隨機存儲器（RAM）和閃存（NAND）的共同優(yōu)勢，但一直收效甚微。
2020-01-17 15:00:24603 目前新型存儲器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲器
2020-04-25 11:05:572584 
FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器（如EEPROM、閃存）相比，F(xiàn)RAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 在筆者看來，市場對新興存儲器并不友善，盡管人們?nèi)匀幌Ｍ鎯?nèi)計算（copute in memory）能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲器。
2023-02-14 11:33:401484 
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462548 FRAM是一種非易失性存儲器，因為它結(jié)合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56696 
近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282
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