對NAND閃存以及DRAM減產(chǎn)。 ? 在今年第一季度財(cái)報(bào)中，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)暴虧4.58萬億韓元（約合249億元人民幣）后，三星改變了此前“不減產(chǎn)”的承諾，表示將調(diào)整存儲芯片產(chǎn)量。經(jīng)過半年多的減產(chǎn)等調(diào)控措施，從近期包括三星在內(nèi)的多家存儲大廠的動作來看，存
2023-10-08 09:01:37
2444 非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:1513 
三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判，目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22216 據(jù)最新報(bào)道，全球領(lǐng)先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產(chǎn)策略，并計(jì)劃在本月內(nèi)將開工率提升至90%。這一策略調(diào)整反映出市場需求的變化和公司對于行業(yè)發(fā)展的積極預(yù)期。
2024-03-07 10:48:35263 據(jù)統(tǒng)計(jì)，鎧俠是全球第二大NAND芯片制造商，市場份額約為15%-20%，緊隨其后的是韓國的三星。面對之前NAND報(bào)價(jià)持續(xù)下跌的困境，鎧俠率先采取了減產(chǎn)策略，幅度達(dá)到了三成。
2024-03-05 09:23:51143 的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了 NAND Flash 結(jié)構(gòu),后者的單元電路尺寸幾乎只是 NOR 器件的一半,可以在給定的芯片尺寸內(nèi)提供更高的容量,也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。 1.NAND
2024-03-01 17:08:45158 
2022年10月起，鎧俠已經(jīng)減少了在日本四日市和北上市兩家工廠的NAND晶圓投片量達(dá)30%。截至目前，鎧俠NAND生產(chǎn)已恢復(fù)至原廠產(chǎn)能的兩成左右。
2024-03-01 13:53:55159 至此之前，鎧俠曾于2022年10月宣布，因智能手機(jī)及電腦需求下滑，已對北上工廠（巖手縣北上市）以及四日市工廠（三重縣四日市市）的產(chǎn)出進(jìn)行了削減，降幅達(dá)到了大約30%。
2024-03-01 09:10:54130 NAND閃存作為如今各種電子設(shè)備中常見的非易失性存儲器，存在于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動器和智能手機(jī)存儲等器件。而隨著電腦終端、企業(yè)存儲、數(shù)據(jù)中心、甚至汽車配件等應(yīng)用場景要求的多樣化
2024-02-05 18:01:17418 
江波龍首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash于近日問世。該產(chǎn)品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數(shù)據(jù)訪問帶寬可達(dá)400MB/s，將有望應(yīng)用于eMMC、SSD等產(chǎn)品上。
2024-02-01 15:08:48361 閃存技術(shù)，通常用于存儲數(shù)據(jù)，并且具有一些額外的安全特性。這種技術(shù)結(jié)合了 NAND 閃存的高密度存儲能力和安全性能。它通常用于存儲數(shù)據(jù)，如圖像、視頻、音頻、文檔等，同時(shí)具備保護(hù)數(shù)據(jù)免受未經(jīng)授權(quán)訪問或篡改
2024-01-24 18:30:00
文章目錄介紹創(chuàng)世SD卡引腳與NORFlash存儲比較介紹SDNANDFLASH（SecureDigitalNANDFlash）是一種安全數(shù)字NAND閃存技術(shù)，通常用于存儲數(shù)據(jù)，并且具有一些額外的安全
2024-01-24 18:29:55373 
近半年來，NAND芯片的報(bào)價(jià)一路上漲，市場價(jià)格節(jié)節(jié)攀升，據(jù)市場傳聞，這一漲勢預(yù)計(jì)將在年底前持續(xù)，累計(jì)漲幅甚至有望高達(dá)六成，這對于存儲芯片廠商來說，將是一場喜人的利潤盛宴。 經(jīng)歷了2022年下
2024-01-24 15:24:53152 ）和NAND（NAND Flash Memory）。 eMMC是一種嵌入式多媒體控制器，它為移動設(shè)備（如智能手機(jī)和平板電腦）提供了一種高性能的存儲解決方案。它包括一個閃存控制器、一個NAND閃存芯片和一些
2024-01-08 13:51:46597 什么是SD NAND？它俗稱貼片式T卡，貼片式TF卡，貼片式SD卡，貼片式內(nèi)存卡，貼片式閃存卡，貼片式卡...等等。雖然SD NAND 和TF卡稱呼上有些類似，但是SD NAND和TF卡有著本質(zhì)上的區(qū)別。
2024-01-06 14:35:57861 
和NAND閃存芯片，支持 ECC (Error Correcting Code) 算法和壞塊管理，能有效地降低數(shù)據(jù)丟失的風(fēng)險(xiǎn)。
高速讀寫：SD NAND的讀寫速度比硬盤慢，但通常比SD卡和SPI
2024-01-05 17:54:39
1月4日消息，據(jù)外媒報(bào)道，日本的7.6級地震迫使石川縣的芯片和電子公司暫時(shí)關(guān)門，受影響的公司包括東芝、環(huán)球晶圓（GlobalWafers）、Murata等。
2024-01-05 09:51:57189 NAND產(chǎn)品中，同樣代表市場行情的256Gb TLC，第四季度單價(jià)為1.85美元左右，相比三季度上漲12％。
2023-12-26 13:54:3199 
近日，據(jù)路透社消息，東芝和羅姆表示，他們將投資 3883 億日元（27 億美元）聯(lián)合生產(chǎn)功率芯片。
2023-12-14 09:30:47413 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20734 
增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因?yàn)橹С謧鹘y(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計(jì)將在不久的將來達(dá)到其極限。2025 年至 2030 年間，新的基礎(chǔ)技術(shù)的引入和轉(zhuǎn)化很可能會變得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26243 
：
大家好，請問有沒有SD卡芯片，可以直接焊接到PCB板上的。
項(xiàng)目需要保存900M以上字節(jié)，nand flash 比較貴。或者有什么便宜的存儲芯片提供。謝謝！
傳統(tǒng)做法無非如下幾種：
用eMMC芯片
2023-11-23 17:25:18
器 （NAND Flash)。閃存器于1980 年由在東芝工作的日本工程師 Fujio Masuoka 發(fā)明并獲得 1997 年 IEEE 的獎勵。1988 年 Intel 發(fā)布了最早的或非閃存器產(chǎn)品
2023-11-23 09:36:17909 
盡管需求復(fù)蘇仍然緩慢，但減產(chǎn)推動了價(jià)格上漲。由于無法承受虧本銷售，供應(yīng)商已將減產(chǎn)幅度擴(kuò)大到低于成本的水平。事實(shí)上，據(jù)報(bào)道三星電子將在明年上半年將 NAND 產(chǎn)量削減幅度擴(kuò)大到 40% 至 50%。
2023-11-22 17:25:45825 前言:
很感謝深圳雷龍發(fā)展有限公司為博主提供的兩片SD NAND的存儲芯片，在這里博主記錄一下自己的使用過程以及部分設(shè)計(jì)。
深入了解該產(chǎn)品：
拿到這個產(chǎn)品之后，我大致了解了下兩款芯片的性能
2023-11-15 18:07:57
鎧俠公司為應(yīng)對存儲芯片價(jià)格的持續(xù)下跌，從2022年10月開始采取了將晶片減產(chǎn)30%的措施。2023年q3的nand閃存價(jià)格將比q2上漲5%至9%，出貨量將比前一個月減少10至14%。以美元為準(zhǔn)，nand閃存價(jià)格將比前一個月上漲0至4%。
2023-11-15 10:17:03335 但是，存儲芯片大企業(yè)的價(jià)格已經(jīng)出現(xiàn)上漲跡象。還有外電報(bào)道說，已經(jīng)從dram開始的存儲器價(jià)格上升趨勢正在擴(kuò)大到nand閃存。
2023-11-13 14:53:28487 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。
2023-11-09 17:39:10459 ? 中國上海， 2023 年 11 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備
2023-11-09 15:19:57663 
三星采取此舉的目的很明確，希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個閃存市場，穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格，并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:111214 在此之前，三星、sk海力士、美光、皮協(xié)因需求嚴(yán)重疲軟而采取了大規(guī)模減產(chǎn)措施，三星也在今年4月公布了閃存第一次減產(chǎn)計(jì)劃后延長了減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-11-03 12:14:35538 據(jù)業(yè)界2日透露，三星電子計(jì)劃對中國西安nand閃存工廠進(jìn)行改造，將目前正在生產(chǎn)的128段（v6） nand閃存生產(chǎn)線擴(kuò)大到236段（v8）。三星決定從明年初開始更換設(shè)備，并向業(yè)界通報(bào)了到2025年分階段完成的目標(biāo)。
2023-11-03 11:48:031140 據(jù)多名半導(dǎo)體業(yè)界消息人士稱，三星繼本季度將nand閃存價(jià)格上調(diào)10至20%后，決定明年第一季度和第二季度也分別上調(diào)20%。三星電子正在努力穩(wěn)定nand閃存價(jià)格，試圖在明年上半年逆轉(zhuǎn)市場。
2023-11-02 10:35:01523 從2024年第四季度開始，DRAM和NAND閃存的價(jià)格將全面上漲，這已經(jīng)導(dǎo)致國內(nèi)存儲器下游企業(yè)的閃存采購成本上漲了近20%，而內(nèi)存采購成本上漲了約30%。
2023-10-17 17:13:49793 中芯國際方面表示：“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點(diǎn)，已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)。”目前主要用于數(shù)碼相機(jī)等的閃存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265 三星決定升級西安工廠的原因大致有兩個。第一，在nand閃存市場尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下，在nand閃存市場保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開始的it景氣低迷和半導(dǎo)體景氣低迷的影響，三星nand的銷量增加，從而使虧損擴(kuò)大。
2023-10-16 14:36:00832 據(jù)韓國貿(mào)易部16日公布的資料顯示，韓國9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%，但8月份減少了8.9%。存儲器半導(dǎo)體業(yè)界的另一個支柱——3.3354萬dram的出口在同期減少了24.6%。這比上個月的35.2%有所減少。
2023-10-16 14:17:21244 日前有媒體報(bào)道稱，受三星等存儲原廠減產(chǎn)以及國內(nèi)閃存龍頭存儲顆粒產(chǎn)能不足的影響，內(nèi)存和閃存元器件采購成本逐步上漲。
2023-10-16 11:13:05452 根據(jù)專利摘要，本發(fā)明實(shí)際公開了nand閃存芯片的測試樣本，測試樣本由多個相同的樣本區(qū)域組成，每個樣本區(qū)域包含多個相鄰的數(shù)據(jù)塊。相鄰的幾個數(shù)據(jù)塊會測試不同的擦除次數(shù)。在多個相同的樣本區(qū)域中，任意兩個相鄰的樣本區(qū)域之間的間隔預(yù)先設(shè)定相鄰數(shù)據(jù)塊的數(shù)量。
2023-10-13 09:47:33313 
三星內(nèi)部認(rèn)為當(dāng)前NAND Flash供應(yīng)價(jià)格過低，計(jì)劃從今年四季度開始調(diào)漲NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)格，漲幅預(yù)計(jì)在10%以上。
2023-10-10 17:15:37818 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道，三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00468 
避難是在智能手機(jī)、電腦、數(shù)據(jù)中心等使用儲存裝置“nand閃存”的企業(yè)，由于存儲器市場的需求減少，企業(yè)紛紛減產(chǎn)，因此預(yù)計(jì)到2024年以后需求才會恢復(fù)。
2023-09-22 10:13:24683 據(jù)消息人士透露，nand閃存價(jià)格從第三季度初的最低點(diǎn)開始逐漸反彈，到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示：“nand價(jià)格上漲將為dram價(jià)格上漲營造有利的市場氛圍。存儲器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價(jià)格反彈的時(shí)間。
2023-09-20 10:19:50503 主要專注于DDR4市場的公司，如南亞科（2408）和華邦電（2344），有望從中受益。 在上半年，由于存儲市場不景氣，三星已經(jīng)采取了減產(chǎn)措施，涵蓋了NAND Flash和DRAM領(lǐng)域。下半年，三星計(jì)劃繼續(xù)減產(chǎn)DRAM，特別是DDR4，以期在今年年底之前將DDR4存貨水平調(diào)
2023-09-15 17:42:08996 業(yè)內(nèi)人士說：“nand閃存價(jià)格將比dram快反彈”，“nand閃存供應(yīng)商們的赤字繼續(xù)擴(kuò)大，因此銷售價(jià)格正在接近生產(chǎn)成本，供應(yīng)商們?yōu)榱司S持運(yùn)營，擴(kuò)大減產(chǎn)，價(jià)格停止下跌，反彈率領(lǐng)的”。
2023-09-11 14:56:17508 
業(yè)界認(rèn)為，三星電子的減產(chǎn)可能會帶來3d nand價(jià)格上漲的效果，從而可能會改變nor、slc nand的購買戰(zhàn)略。美國外國人認(rèn)為，slc nand和nore產(chǎn)品第四季度不會上調(diào)價(jià)格。
2023-09-11 11:35:04953 閃存芯片是非揮發(fā)存儲芯片，廣泛用于電子產(chǎn)品，特別是如數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、手機(jī)、全球定位系統(tǒng)(GPS)、高端筆記本電腦和平板電腦等移動電子產(chǎn)品的存儲應(yīng)用。
2023-09-11 09:32:31833 
來源：電子工程專輯 編輯：感知芯視界 過去近兩年來，受消費(fèi)電子市場需求疲軟等因素影響，存儲芯片產(chǎn)業(yè)游進(jìn)入庫存過剩、訂單減少、價(jià)格暴跌的“寒冬”。三星、美光、SK海力士、鎧俠等存儲芯片大廠紛紛減產(chǎn)
2023-09-08 10:36:16442 三星業(yè)績近期表現(xiàn)非常差，三星為了增強(qiáng)NAND閃存競爭力計(jì)劃在2024年升級其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈。
2023-08-30 16:10:02192 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲器制作成兩個獨(dú)立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:05997 消息人士補(bǔ)充說：“盡管nand閃存價(jià)格上漲，但中國存儲器模塊企業(yè)最近停止了價(jià)格供應(yīng)和訂單。預(yù)計(jì)不久就會上調(diào)價(jià)格，因此模塊企業(yè)計(jì)劃將價(jià)格上調(diào)8至10%。”
2023-08-18 09:47:25285 三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績中，由于市場持續(xù)低迷，三星電子正式公布了存儲器減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-08-16 10:23:58422 由于長期nand型需求沒有得到恢復(fù)，鎧俠將在日本巖手縣其他場建設(shè)的生產(chǎn)工廠的啟動時(shí)間從當(dāng)初的2023年推遲到了2024年以后。另外，成套設(shè)備的交貨也在推遲。
2023-08-14 10:06:52283 使用壽命。該芯片幾乎達(dá)到了協(xié)議的最高理論速度（25MB/s），連續(xù)讀取最高速度可以到達(dá)20.6MB/s,連續(xù)寫入最高速度可以達(dá)到19.4MB/s。
pSLC SD Nand在文件傳輸時(shí)無論是大文件還是
2023-08-11 10:48:34
SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:47704 據(jù)悉，此次要約收購將持續(xù)30天，直至9月20日，在此期間，JIP牽頭的財(cái)團(tuán)計(jì)劃收購東芝4.32億股股票中的至少三分之二。收購要約價(jià)格為32.54美元，總價(jià)高達(dá)140億美元。
2023-08-08 15:30:331087 人民幣），東芝董事會已批準(zhǔn)要約并向股東提交退市計(jì)劃。 據(jù)日經(jīng)報(bào)道，日本芯片制造商羅姆公司在周二的董事會上宣布，將向 JIP 牽頭的財(cái)團(tuán)提供總計(jì) 3000 億日元的資金，用于擬議收購東芝。 據(jù)稱，如果收購成功，該公司將向 JIP 領(lǐng)導(dǎo)的投資基金投資 1000 億日元，還將購買為收購而設(shè)立的關(guān)聯(lián)公司發(fā)行的 200
2023-08-03 18:35:10342 在當(dāng)今科技時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND?閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC
2023-08-02 15:16:593365 
據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand閃存的庫存緩慢，很難說服上調(diào)價(jià)格。
2023-08-02 11:56:24762 在當(dāng)今科技時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35790 
在當(dāng)今科技時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC 閃存的原理、優(yōu)勢以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。
2023-08-01 11:15:471559 
官方網(wǎng)站：深圳市雷龍發(fā)展有限公司
目前雷龍發(fā)展代理的 SD NAND 已可在立創(chuàng)商城搜索到，其詳情頁也附有手冊。
芯片簡介
芯片外觀及封裝
實(shí)拍圖：
?
根據(jù)官方文檔介紹，此款芯片采用 LGA-8
2023-07-28 16:23:18
對 NAND 存儲器的需求也大幅增加。從移動或便攜式固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心，從企業(yè)固態(tài)硬盤再到汽車配件， NAND 閃存的應(yīng)用領(lǐng)域和使用場景愈發(fā)多樣化，各種要求也隨之出現(xiàn)，常見的譬如更高的讀寫速度、最大化的存儲容量、更低的功耗和更低的成本等等
2023-07-24 14:45:03424 
據(jù)集邦咨詢最新研究報(bào)告，隨著原廠減產(chǎn)幅度持續(xù)擴(kuò)大，實(shí)際需求依然不明朗，NAND閃存市場在第三季度仍將處于供過于求的狀態(tài)，SSD價(jià)格也將繼續(xù)走低。
2023-07-24 11:12:25916 
基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:21864 蘋果閃存和SSD都基于閃存技術(shù)，但存在一些細(xì)微差別。蘋果閃存是專為蘋果產(chǎn)品而開發(fā)的，使用NAND（非易失性閃存）芯片技術(shù)，而SSD可以是通用的，采用不同類型的閃存芯片，如NAND、MLC（多級單元）或TLC（三級單元）。
2023-07-19 15:21:372102 NAND閃存，所有主要閃存制造商都在積極采用各種方法來降低閃存的每位成本，同時(shí)創(chuàng)造出適用于各種應(yīng)用的產(chǎn)品。閃存制造商還在積極展開研究，期望能夠擴(kuò)展3D NAND閃存的垂直層數(shù)。雖然15nm似乎是NAND閃存目前能夠達(dá)到的最小節(jié)點(diǎn)，但開發(fā)者
2023-07-18 17:55:02486 
隨著密度和成本的飛速進(jìn)步，數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領(lǐng)域并非如此，與半導(dǎo)體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351203 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211444 
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:291744 美光稱，2023 年的行業(yè)需求預(yù)測目前較低，但整個行業(yè)供應(yīng)量的大幅減少已開始穩(wěn)定市場。去年 11 月份，美光宣布將存儲芯片減產(chǎn) 2 成。財(cái)報(bào)內(nèi)容顯示，美光專注于庫存管理和控制供應(yīng)，近期將 DRAM 和 NAND 晶圓開工率進(jìn)一步減少至近 30%，預(yù)計(jì)減產(chǎn)將持續(xù)到 2024 年。
2023-06-30 15:01:32332 
美光公司表示，雖然2023年業(yè)界需求預(yù)測還處于較低水平，但業(yè)界整體供應(yīng)量大幅減少正在穩(wěn)定市場。去年11月，美光公司宣布將存儲器半導(dǎo)體減產(chǎn)20%。據(jù)業(yè)績內(nèi)容，美光公司致力于庫存管理和供應(yīng)調(diào)節(jié)，最近將dram和nand晶片的開工率減少了近30%，并預(yù)測減產(chǎn)將持續(xù)到2024年。
2023-06-30 11:05:27329 閃存存儲設(shè)備：NAND芯片作為主要的閃存存儲媒介，被廣泛用于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動器、內(nèi)存卡（如SD卡、MicroSD卡）和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495198 本文轉(zhuǎn)自公眾號,歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個由100多家
2023-06-21 17:36:325865 
3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561727 
238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片，生產(chǎn)效率比上一代的176層提升了34%，成本競爭力得到了大幅改善。
2023-06-11 14:32:54492 
內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001982 1. 消息稱三星醞釀 NAND 存儲晶圓漲價(jià)，報(bào)價(jià)漸趨強(qiáng)硬 ? 據(jù)報(bào)道，三星計(jì)劃提高 NAND 晶圓價(jià)格。此外，如果消費(fèi)電子市場需求在下半年改善，NAND 晶圓合約報(bào)價(jià)或?qū)⒒厣?bào)道稱，韓國
2023-06-09 12:01:041114 
SK海力士收購Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重組而來的Solidigm，就發(fā)布了一款QLC閃存的企業(yè)級產(chǎn)品P5-D5430，可以說是QLC SSD的一個代表作。
2023-06-09 10:41:43489 
sk海力士表示：“以238段nand閃存為基礎(chǔ)，開發(fā)了智能手機(jī)和pc用客戶端ssd （client ssd）解決方案產(chǎn)品，并于5月開始批量生產(chǎn)。該公司通過176層、238層的產(chǎn)品，在成本、性能、品質(zhì)等方面確保了世界最高的競爭力。
2023-06-08 10:31:531564 ESP8285 芯片（Soc）是否帶有內(nèi)置閃存？如果是，我們可以使用帶有內(nèi)置閃存的 ESP8285 芯片（Soc）通過 ESP8285 芯片（Soc）的 UART 配置使其作為 WiFi 連接
2023-06-05 08:31:11
為了進(jìn)行性能比較，使用了三種不同的存儲芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。
2023-05-31 17:14:24788 
時(shí)下載最新的固件。
然后，OTA 引導(dǎo)加載程序?qū)⒂煞咒N商閃存到芯片上（digikey 對此報(bào)價(jià)為每個芯片約 0.15 美元......但可能會繼續(xù)尋找更便宜的......）所以我們將通過卷軸收到
2023-05-29 08:21:45
NAND閃存上的位密度隨著時(shí)間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元（MLC），閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位，因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:031193 
我想知道是否有人在 RT1052 或類似的東西上使用過 NAND FLASH。
因?yàn)槲以噲D將它包含在我的 PCB 中而且我看到 RT1052 支持它但我沒有看到任何關(guān)于它的示例。
2023-05-18 06:53:45
NORFlash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。大多數(shù)情況下閃存只是用來存儲少量的代碼，這時(shí)NOR閃存更適合一些，而NAND
2023-05-15 09:18:591240 
我試圖讓 RT1052 從外部 QSPI NAND 閃存 W25N01GVZEIG 啟動。我們選擇了RT1050參考手冊中提到的這個NAND flash。我還附上了數(shù)據(jù)表。
我還使用 NXP MCU
2023-05-12 07:55:18
Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會上，除了鎧俠、SK海力士、長江存儲、三星等大廠所做的技術(shù)分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術(shù)，允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001982 
- 我的任務(wù)是找出根本原因并解決基于 imx28 的定制設(shè)計(jì)板中的問題。
- imx28 無法從 NAND 啟動并進(jìn)入 USB 恢復(fù)模式。
- 將 NAND 閃存更改為不同的 NAND 閃存后
2023-04-27 06:50:47
我正在嘗試啟動 IMX6ULL NAND 閃存。供您參考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動了 IMX6ULL NAND 閃存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
大家好， 我們計(jì)劃在MIMXRT1062DVL6B部分的SEMC接口上使用NAND Flash。我們可以用于 NAND Flash的最大尺寸是多少？ 根據(jù)手冊，它表示支持每個區(qū)域 512Mbit
2023-03-31 07:47:22
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對內(nèi)存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
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