晶圓代工巨擘臺積電（TSMC）日前表示，將在 20nm 節點提供單一製程，這與該公司過去針對不同製程節點均提供多種製程服務的策略稍有不同。

　　在臺積電年度技術研討會上，該公司執行副總裁暨共同營運長蔣尚義表示，若微影技術無法讓 14nm 製程達到合理的成本效益，那么臺積電可能會在20nm製程之后再提供 18nm 或 16nm 製程節點。

　　蔣尚義表示，臺積電最初計劃提供兩種 20nm 製程，分別為高性能製程與低功耗製程。這兩種製程都採用high-k金屬閘極（HKMG）技術。

　　然而，在歷經一段時間的發展后，蔣尚義表示，臺積電認為這兩種20nm製程之間并沒有明顯的性能差距。由于20nm的線寬非常小，已經接近基本的物理極限了，因此也沒有太大空間針對不同的閘極長度或其他需求來調整設計規則。

　　臺積電目前提供四種28nm製程，分別為：高性能；低功耗；針對行動應用的HKMG低功耗製程，以及HKMG高性能製程。

　　TSMC expects its 20-nm HKMG process to be in production next year. In 2015， TSMC wants to commence production at the 14-nm node， adding FinFET 3-D transistors.

　　臺積電預計明年量產20nm HKMG製程。2015年，臺積電希望能量產採用FinFET 3D電晶體的14nm製程。

　　然而，整個半導體產業都在等待超紫外光（EUV）微影技術。EUV技術一再延宕，迄今仍未能發展出大量生產所需的足夠光源和穩定性。微影設備供應商 ASML Holding NV 公司正與數家光源供應商合作開發，并承諾在2013至2014年將可提供商用化所需的足夠的吞吐量。

　　然而，不少業界人士對于EUV技術能否支援臺積電和其他領先晶片製造商的技術發展藍圖抱持懷疑態度。蔣尚義指出，193nm浸入式微影領域已經展現出長足進展，它甚至可能在14nm節點作為商用化的替代技術。然而，蔣尚義也表示，為了提供足夠銳利的影像，193nm浸入式微影針對某些層會需要叁重圖案，而針對大多數的層都會需要雙重圖案，這會讓量產成本急遽升高。

　　蔣尚義表示，臺積電“正在慎重考慮”是否提供18nm或16nm製程。“一旦我們選擇這個節點，我們就必須為客戶提供至少10年的服務。”