我有一個 CYUSB3KIT-003。 我需要集成一個 NOR 閃存，我可以從中將固件讀取到 RAM，然后 NOR 閃存的一部分內(nèi)存應(yīng)該EVAL_2K4W_ACT_BRD_S7作為大容量存儲設(shè)備。
我應(yīng)該采取什么方法？
2024-03-05 07:23:50
存儲器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會社宣布，該公司已開始提供業(yè)界首款面向車載應(yīng)用的通用閃存(UFS)4.0版嵌入式閃存設(shè)備的樣品。
2024-02-22 16:21:51
612 RISC-V 的芯片都出來很久了，現(xiàn)在RISC-V 都有哪家公司再推啊？以后是不是一種趨勢呀？
沁恒的產(chǎn)品如何？
2024-02-05 22:30:29
NAND閃存作為如今各種電子設(shè)備中常見的非易失性存儲器，存在于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動器和智能手機存儲等器件。而隨著電腦終端、企業(yè)存儲、數(shù)據(jù)中心、甚至汽車配件等應(yīng)用場景要求的多樣化
2024-02-05 18:01:17418 
，當(dāng)閃存盤或者容量盤出現(xiàn)故障的時候，數(shù)據(jù)會向其他節(jié)點轉(zhuǎn)移，在轉(zhuǎn)移過程中有可能出現(xiàn)故障。
VSAN數(shù)據(jù)恢復(fù)環(huán)境&故障：
4臺服務(wù)器節(jié)點組建的VSAN集群，每臺服務(wù)器節(jié)點上有兩個磁盤組，每個磁盤
2024-01-25 13:26:15138 ; 沒有這樣的文件或目錄\"。
似乎串行閃存庫尚未設(shè)置。在庫管理器1.0下，而我使用的是庫管理器2.0，在管理器2.0下找不到串行閃存庫。
在此先謝謝。
2024-01-24 07:09:52
你好，
我通過 vsCode 使用 ModustoolBox。 我已經(jīng)成功地在 CYPROTO-063-BLE 套件上測試了我的程序。 為此，我必須調(diào)整那里的閃存。 現(xiàn)在我想在 CY8C6245 上
2024-01-22 06:42:24
IDC數(shù)據(jù)表明，傳統(tǒng)企業(yè)存儲系統(tǒng)中的全閃陣列同比下降5.5%，用戶更加青睞端到端NVMe 全閃、分布式全閃等高端全閃存儲。
2024-01-03 10:43:18282 
推出了金士頓XS1000移動固態(tài)硬盤。相比普通移動固態(tài)硬盤產(chǎn)品，這款SSD要小不少，長度不到7cm，比一些高性能閃存盤還要短，寬度不到3.3cm，但容量卻能達(dá)到2TB，非常便于攜帶，畢竟一些容量達(dá)到TB級的高端閃存盤長度往往都要超過7cm。那么在性能上，它能否滿足用戶的需求呢？
2023-12-28 10:53:20285 單相電機啟動時如果電容壞了，用手推一下電機，電機會不會轉(zhuǎn)起來？
2023-12-18 07:33:49
FLASH閃存是一種非易失性內(nèi)存，閃存在沒有電流供應(yīng)的條件下也能夠長久地保持?jǐn)?shù)據(jù)，其存儲特性相當(dāng)于硬盤，這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲介質(zhì)的基礎(chǔ)。
2023-12-15 14:06:27419 使用攝像頭進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)推流
2023-11-09 00:10:30
三星采取此舉的目的很明確，希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個閃存市場，穩(wěn)定NAND閃存價格，并實現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:111214 8gu盤閃存顆粒壞了 可以自己換16g或者更大的閃存顆粒嗎
2023-11-01 06:47:37
對閃存的整片擦除有兩種方法，操作閃存控制寄存器（FLASH_CTRL）或者解除訪問保護(hù)。一般情況下使用的方法是操作閃存控制寄存器（FLASH_CTRL）進(jìn)行整片擦除，使用整片擦除函數(shù)
2023-10-20 08:21:03
中芯國際方面表示：“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點，已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)。”目前主要用于數(shù)碼相機等的閃存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265 地址和串流密鑰，組合在一起，就是你的推流地址了。
回到開發(fā)板，輸入下面的命令
ffmpeg -f v4l2 -i /dev/video0 -c:v libx264 -preset ultrafast
2023-10-09 23:01:57
首先，內(nèi)存請求與閃存內(nèi)存之間存在顆粒度不匹配。這導(dǎo)致了在閃存上需要存在明顯的流量放大，除了已有的閃存間接性需求[23,33]之外：例如，將64B的緩存行刷新到CXL啟用的閃存，將導(dǎo)致16KiB的閃存內(nèi)存頁面讀取、64B更新和16KiB的閃存程序?qū)懭氲搅硪粋€位置（假設(shè)16KiB的頁面級映射）。
2023-10-09 16:46:20375 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）在近期的閃存峰會上，一家由英國蘭卡斯特大學(xué)孵化的初創(chuàng)公司Quinas Technology獲得了創(chuàng)新大獎。他們展示了ULTRARAM，一個結(jié)合了DRAM高性能和閃存
2023-10-09 00:10:001310 本編程手冊介紹了如何燒寫STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的閃存存儲器。為方便起見，在本文中出特別說明外，統(tǒng)稱它們?yōu)镾TM32F10xxx
2023-09-26 06:18:33
采用TCP傳輸碼流的時候如果碼流服務(wù)器停止推流，ffmpeg阻塞在av_read_frame
2023-09-19 07:22:59
查看 rtsp 服務(wù)是否實時推流
2023-09-18 07:36:13
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《QSPI閃存的主機編程.pdf》資料免費下載
2023-09-14 11:08:49
0 載體（涉密文件）進(jìn)行統(tǒng)一管理、分析的信息化、智能化、規(guī)范化的系統(tǒng)。 用戶為對文件資料、存儲介質(zhì)等管理嚴(yán)格的單位，下面簡稱為XXXX單位，位于XXXX單位的辦公樓內(nèi)部有大量涉密信息，以光盤、閃存盤、移動硬盤、筆記本電腦等為載體存儲，如何管理使用好這些信
2023-09-14 11:06:35253 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《將SPI閃存與7系列FPGA結(jié)合使用.pdf》資料免費下載
2023-09-13 10:00:230 片上閃存特性和系統(tǒng)框圖
? 存儲空間組織架構(gòu)
? 用戶閃存
? 系統(tǒng)閃存
? OTP
? 選項字節(jié)
? 閃存讀接口
? 等待周期
? 指令預(yù)取
? 指令高速緩存
? 數(shù)據(jù)高速緩存
? 擦除和編程操作
? 讀保護(hù)和寫保護(hù)
? STM32F2和STM32F1的閃存特性比較
2023-09-13 07:10:38
閃存特性及參數(shù)一瞥? 多達(dá)64K字節(jié)空間 ，分成64個頁或16個扇區(qū)? 讀寫操作次數(shù)：多達(dá)10K次? 半字（16位）的編程時間：53.5μs （典型值）? 頁擦除和全部擦除的時間：20ms （最小值
2023-09-12 07:26:04
閃存芯片是非揮發(fā)存儲芯片，廣泛用于電子產(chǎn)品，特別是如數(shù)碼相機、MP3播放器、手機、全球定位系統(tǒng)(GPS)、高端筆記本電腦和平板電腦等移動電子產(chǎn)品的存儲應(yīng)用。
2023-09-11 09:32:31833 
分析閃存控制器的架構(gòu)，首先得了解SSD。一般來說SSD的存儲介質(zhì)分為兩種，一種是采用閃存（Flash芯片）作為存儲介質(zhì)，另外一種是采用DRAM作為存儲介質(zhì)。我們通常所說的SSD就是基于閃存的固態(tài)硬盤
2023-08-29 16:10:09495
應(yīng)用程序 : 本代碼是 FreeRTOS 任務(wù)的基本應(yīng)用程序, 用于創(chuàng)建閃存 LED 任務(wù) 。
BSP 版本: M480系列 BSP CMSIS V3.04.000
硬件
2023-08-22 06:28:14
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 載體（涉密文件）進(jìn)行統(tǒng)一管理、分析的信息化、智能化、規(guī)范化的系統(tǒng)。 用戶為對文件資料、存儲介質(zhì)等管理嚴(yán)格的單位，下面簡稱為XXXX單位，位于XXXX單位的辦公樓內(nèi)部有大量涉密信息，以光盤、閃存盤、移動硬盤、筆記本電腦等為載體存儲，如何管理使用好這些信
2023-08-21 10:07:13198 、攝像頭、充電器、閃存盤、移動硬盤、手機、數(shù)碼相機等幾乎所有的外部設(shè)備。已成功替代串口和并口，并成為個人電腦、電子設(shè)備的必配接口之一。
2023-08-18 16:18:17764 
AMBA通用閃存總線（GFB）通過在系統(tǒng)和閃存之間提供簡單的接口，簡化了子系統(tǒng)中嵌入式閃存控制器的集成。GFB存在于Flash控制器的管理器側(cè)和下級側(cè)之間的邊界上，如圖1-1所示。Manager端有
2023-08-11 07:55:01
北京2023年8月7日 /美通社/ -- 日前，IDC公布《2023年第一季度中國企業(yè)級存儲市場跟蹤報告》，報告顯示，中國企業(yè)級數(shù)據(jù)存儲市場銷售額同比增長3.45%至70.14億元，全閃存儲銷售額
2023-08-08 12:55:47716 在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND?閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC
2023-08-02 15:16:593365 
在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35790 
在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC 閃存的原理、優(yōu)勢以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。
2023-08-01 11:15:471559 
蘋果閃存和SSD都基于閃存技術(shù)，但存在一些細(xì)微差別。蘋果閃存是專為蘋果產(chǎn)品而開發(fā)的，使用NAND（非易失性閃存）芯片技術(shù)，而SSD可以是通用的，采用不同類型的閃存芯片，如NAND、MLC（多級單元）或TLC（三級單元）。
2023-07-19 15:21:372102 UFS（Universal Flash Storage）是一種用于存儲的閃存標(biāo)準(zhǔn)，而不是內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。它是一種閃存存儲技術(shù)，用于移動設(shè)備和其他便攜式電子設(shè)備中的非易失性存儲。
2023-07-18 15:00:0313543 NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211444 
RH850 - 數(shù)據(jù)閃存庫
2023-07-05 20:43:480 RH850 - 閃存代碼庫
2023-07-05 20:43:350 用于 Dialog SoC 產(chǎn)品的 Dialog 閃存
2023-07-03 20:35:200 PG-FP6，瑞薩閃存編程器用戶手冊附加文檔（連接閃存編程器的推薦電路）
2023-06-30 19:18:433 閃存存儲設(shè)備：NAND芯片作為主要的閃存存儲媒介，被廣泛用于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動器、內(nèi)存卡（如SD卡、MicroSD卡）和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495198 本文轉(zhuǎn)自公眾號,歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個由100多家
2023-06-21 17:36:325865 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于Arduino閃存的壓縮庫(PROGMEM).zip》資料免費下載
2023-06-19 10:58:290 本應(yīng)用筆記介紹如何使用內(nèi)置實用程序ROM擦除/寫入MAXQ7665微控制器（μC）中的程序和數(shù)據(jù)閃存。此信息適用于帶可頁面擦除（PE）閃存的基于MAXQ7665閃存的μC。
2023-06-16 11:37:02712 
內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001982 SK海力士收購Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重組而來的Solidigm，就發(fā)布了一款QLC閃存的企業(yè)級產(chǎn)品P5-D5430，可以說是QLC SSD的一個代表作。
2023-06-09 10:41:43489 
目前需要使用1126 rtsp推流，有沒有什么方向能夠減少直播過程中的延時
2023-06-08 16:40:51
在發(fā)布會現(xiàn)場，思朗科技對外展示了幾套開發(fā)板設(shè)計，其中最引人注目的是一塊基于UCP4008的一體化開發(fā)板。這塊板卡僅僅使用一個UCP4008芯片，就可以支持2個100M的4天線5G小區(qū)，是一個集成化程度相當(dāng)高，兼具低成本、低功耗特點的一體化基站解決方案。
2023-06-07 15:44:01450 
ESP8285 芯片（Soc）是否帶有內(nèi)置閃存？如果是，我們可以使用帶有內(nèi)置閃存的 ESP8285 芯片（Soc）通過 ESP8285 芯片（Soc）的 UART 配置使其作為 WiFi 連接
2023-06-05 08:31:11
行業(yè)競爭力。 深圳市朗科科技股份有限公司設(shè)立于 1999 年，是閃存盤的發(fā)明者，全球存儲應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)品與解決方案提供商。旗下?lián)碛?6 家全資子公司及 1 家合資公司，總部設(shè)在深圳市。自成立以來，公司通過核心技術(shù)及自主創(chuàng)新能力實現(xiàn)了多元化和有序擴張。
2023-06-02 10:57:18843 
你好
我們想將 Winbond QSPI Flash 與 iMXRT685 一起使用。(FlexSPI)
上面的閃存部件 W25X40CLSNIG 是否兼容 iMXRT685 FlexSPI 閃存？
RT685: MIMXRT685SFVKB
SPI-NORFlash：W25X40CLSNIG（華邦）
2023-06-01 09:03:36
我需要為生產(chǎn)目的對 ESP8285 IC 進(jìn)行閃存編程。我正在尋找可以在 3 秒內(nèi)完成此操作的 SPI 閃存編程器，而不是通常需要 24 秒/芯片的串行方法。
有人知道嗎？
2023-05-31 10:11:19
我打算在我的項目中使用帶有 2MB 板載閃存的 ESP-WROOM-S2，但我似乎無法讓用戶代碼從板載閃存工作。
與其他模塊的不同之處在于，S2 已通過閃存連接到 HSPI（與 SPI 相對）。
我
2023-05-31 06:38:49
有沒有我可以加載到我的 ESP 中并讓它告訴我真正的閃存大小的程序/草圖？我有幾塊板可以正常工作，但后來我用相同的程序加載另一塊板，但它失敗了。我懷疑是假的或壞的閃存，但我沒有辦法證明這一點。
2023-05-30 09:16:50
我們在定制板上使用 imxrt1064，我們有一個外部閃存連接 flexspi1。
對于我們的項目，我們需要在外部閃存上存儲 lvgl 圖像和字體，因為片上閃存 (4MB) 的大小不夠
我們正在使用具有外部存儲選項的 gui guider 1.5.1 我們?nèi)绾问褂盟鼇碜x取和寫入外部閃存中的圖像
2023-05-30 07:50:00
我只是在思考未來的項目想法，我想知道是否有可能只對外部閃存 IC 使用正常的 SPI 模式（它只需要兩個引腳用于數(shù)據(jù)傳輸，而不是像往常一樣的四個 Quad-SPI 閃存 IC )?
這樣做的好處是可以在軟件中使用兩個以上的 GPIO。一個缺點可能是由于與外部閃存的接口較慢而需要引入更多的等待狀態(tài)。
2023-05-30 06:30:10
使用本地計算機上的USB設(shè)備，如打印機、掃描儀、攝像頭等。 數(shù)據(jù)傳輸：在遠(yuǎn)程桌面或虛擬桌面環(huán)境中，需要使用本地計算機上的USB存儲設(shè)備，如閃存盤、移動硬盤等傳輸數(shù)據(jù)。 軟件許可證：一些軟件需要通過USB設(shè)備來驗證許可證，例如加密狗等，這
2023-05-29 14:44:271221 
在當(dāng)今智能設(shè)備的互聯(lián)世界中，我們希望更快地訪問我們的數(shù)據(jù)，同時我們希望它得到保護(hù)并免受入侵者的侵害。閃存不僅速度更快，而且安全可靠，其化身為UFS - 通用閃存。此博客深入了解 UFS 設(shè)備的各種安全模式以及如何訪問它們。它還指出了如何使用加密來進(jìn)一步保護(hù)數(shù)據(jù)。
2023-05-26 15:29:051757 
處理器：MIMXRT1062CVL5
外部閃存：W25Q512JV
我們正在創(chuàng)建一個使用 LVGL 庫在監(jiān)視器上顯示 GUI 的項目，因此我們需要一個外部閃存來存儲大量數(shù)據(jù)。
特別是，我們
2023-05-24 07:34:02
我使用 RTD 包擦除寫入和讀取內(nèi)部閃存。它在數(shù)據(jù)閃存上是成功的，但是當(dāng)我將地址更改為代碼閃存時，寫入和讀取都失敗了。
然后我調(diào)試發(fā)現(xiàn)Register MCR->PGM在擦除后已經(jīng)變成了1。但是我找不到它是在哪里改變的。
2023-05-19 08:41:05
我們想同時使用 M7 和 A53 的 QSPI 閃存，這兩個內(nèi)核都有自己的內(nèi)存區(qū)域，驅(qū)動程序目前支持這種情況嗎？
如果是這樣，我們可以研究任何參考或示例嗎？我們是否需要在應(yīng)用程序中實現(xiàn)信號量或其他
2023-05-18 07:47:18
。
除了只有 512K 的閃存外，一切都很好。
正在運行的應(yīng)用程序只留下 159K 的可用空間。
我以為我只需要編譯一個只做 OTA 的小應(yīng)用程序，但沒有用戶代碼的 Arduino 框架本身是 300K
2023-05-17 08:29:00
我正在嘗試將 USB 閃存盤安裝到我的自定義 IMXRT1176 板上。我的目標(biāo)是列出 USB 記憶棒中的所有 .mp3 二進(jìn)制文件，然后嘗試隨機播放這些文件。
我在 SDK 中只找到一個名為
2023-05-17 06:26:41
我打算把它放在 Native SDK 部分，但我想只有
人才會知道這個？
我正在為 EEPROMClass 編寫一個替換類，以在閃存扇區(qū)內(nèi)進(jìn)行磨損均衡。我還想編寫類來檢測而不是使用壞的 4 字節(jié)區(qū)域
2023-05-12 06:30:50
我如何閃存 ESP 模塊 3 以及有多少內(nèi)存？
2023-05-10 12:48:37
我想了解我的微控制器 (MPC5777C) 的生產(chǎn)日期以及品牌和型號信息。我在閃存上看到了 UID 信息。我認(rèn)為這些信息（品牌、型號、生產(chǎn)年份等）我可以從閃存中讀取。是否可以？哪些地址存儲這些信息？
2023-05-05 06:39:19
無法使用 Segger J-Flash 工具（使用 J-Link Plus 工具）讀取或?qū)懭?MCU 閃存。
成功可以連接到MCU。
讀取閃存沒有發(fā)生，錯誤信息如下所示。
需要您的支持來解決這個問題
2023-04-28 06:20:00
這兩種方法都有其優(yōu)點和缺點。高端電流檢測的優(yōu)點是能夠檢測與電流相關(guān)的故障，例如可能影響負(fù)載的短路或開路。此外，通過高端電流檢測，負(fù)載可以直接參考地，我們將在后面探討。高端電流檢測的主要缺點是共模電壓相對較高（基于電源電壓），因此需要高共模放大器。
2023-04-23 09:52:242010 
我的項目使用 MC56F83783VLH。 MC56F83xxx 有兩個閃存數(shù)據(jù)塊，如 RM 所示。 所以我的應(yīng)用程序在主閃存陣列 1 中運行，并將主閃存陣列 2 用于我的保存數(shù)據(jù)區(qū)。但我無法在
2023-04-19 08:54:32
操作系統(tǒng)- Linux開發(fā)板- i.MX RT1170 EVKBIDE-mcuexpresso 我們正在嘗試使用 GUI 閃存工具閃存示例代碼，但在 Linux 中出現(xiàn)“無法執(zhí)行操作”之類的錯誤，并且在控制臺中打印“未配置閃存”。
2023-04-19 08:00:03
我正在使用 mpc5777c 微控制器。我在 nxp 閃存代碼示例中看到了這些代碼。我不明白為什么他們在閃存操作后恢復(fù)閃存控制器緩存。據(jù)我了解，RestoreFlashControllerCache
2023-04-17 07:17:57
眾所周知，鎧俠公司發(fā)明了NAND Flash。公司憑借其領(lǐng)先的三維（3D）垂直閃存單元結(jié)構(gòu)BiCS FLASH，讓公司閃存的密度在市場中名列前茅。與此同時，鎧俠還是第一個設(shè)想并準(zhǔn)備將SLC技術(shù)成功遷移到MLC、再從MLC遷移到TLC、現(xiàn)在又從TLC遷移到QLC的行業(yè)參與者。
2023-04-14 09:17:03796 您好，我們正在使用 iMX RT 1021 MCU 設(shè)計定制板。由于此 MCU 沒有內(nèi)部閃存，我們通過 MiMX RT1020 EVK 用于外部閃存接口的相同 SPI 接口使用 Microchip
2023-04-14 08:35:18
有什么方法可以添加閃存前和閃存后構(gòu)建步驟嗎？對于我的系統(tǒng)，我必須向 ESP 發(fā)送一條特殊命令以將其置于引導(dǎo)加載程序模式，然后再發(fā)送一條命令使其真正啟動。除了正常的構(gòu)建步驟之外，我似乎無法在 IDF 中找到任何用于增加構(gòu)建步驟的文檔。誰能指出我的好方向？
2023-04-14 08:07:35
，所以只剩下一個硬件問題：寫入 SPI 閃存時如何保持 LCD 刷新？在 manuconfig 中，我將所有 SPI、GDMA 和 LCD ISR 標(biāo)記為放置在 IRAM 中，但沒有任何幫助。每次我嘗試
2023-04-12 08:41:21
是否可以使用外部閃存繞過 C3FN4 或 C3FH4 中的內(nèi)部嵌入式閃存？我的意思是作為指令（引導(dǎo)）閃存當(dāng)然，不僅僅是數(shù)據(jù)閃存。
2023-04-12 06:15:17
我正在使用 EVK 套件 MIMXRT1024。當(dāng)我嘗試調(diào)試時出現(xiàn)以下錯誤閃存驅(qū)動程序 V.2 啟動失敗 - rc Ef(34)：初始化閃存超時。芯片初始化失敗 - Ef(34)：初始化閃存超時
2023-04-11 06:37:52
我正在使用 LPC54608、LwIP 和 MCUXpresso IDE v11.7.0 SDK2_13。在我的項目中，我需要一個兩步引導(dǎo)加載，在第一步中，位于@0x000 閃存地址的引導(dǎo)加載程序
2023-04-06 06:49:13
我將在 LPCXPresso 7.9.2 版上運行的項目移植到 MCUXpresso 11.6。該項目正常運行，但是我在一個功能上失敗了。在此功能中，有時我僅在 RAM 中運行軟件并完全擦除閃存
2023-04-03 06:03:48
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 所謂高端存儲，指的是可以對世界上最重要的數(shù)據(jù)提供不間斷訪問能力的存儲陣列，高端存儲必須為關(guān)鍵業(yè)務(wù)工作負(fù)載提供一致的高性能和持續(xù)的可用性。
2023-03-29 11:32:121029 大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對內(nèi)存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
高能高端智能開關(guān)
2023-03-28 15:17:11
我正在使用 S32K148 EVB 測試閃存中的 EEPROM 仿真。我想使用 EEE Size = 1KB，那么如何在 FlexRAM 中配置這個大小。是否有任何示例代碼可用于分區(qū) D 閃存
2023-03-28 08:28:20
大家好，我正在從 MPC5744P 移植 MPC5775E 的啟動應(yīng)用程序，所以首先我創(chuàng)建了一個使用 S32DS 閃爍 LED 的項目，我將 linker_flash.ld 中的默認(rèn)閃存地址從
2023-03-24 07:28:05
程序會通過藍(lán)牙將.sb2文件下載到sdcard，然后booloader會讀取0xB000地址的AES密鑰，解密sdcard中的文件，最終將程序?qū)懭雈lash 0xA000。我想知道在寫入閃存之前將 AES 密鑰存儲在哪里，我應(yīng)該什么時候?qū)⑺鼘懭?b class="flag-6" style="color: red">閃存才能使整個更新過程安全？
2023-03-23 08:47:27
我正在嘗試編寫代碼來測試 LPC54s018-EVK 上的串行閃存。我需要首先確認(rèn)逐個扇區(qū)擦除閃存是可行且有效的，然后繼續(xù)我測試的其他階段。（我不想一次擦除整個芯片，因為我們的主要軟件需要從閃存中
2023-03-23 06:06:43
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論