三星電子正在就收購(gòu)大陸集團(tuán)的高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和車(chē)載顯示器等核心電子業(yè)務(wù)展開(kāi)深入談判。
2024-03-22 14:10:57
15 AR眼鏡Micro-LED顯示屏開(kāi)發(fā)商“MICLEDI Microdisplays”日前宣布完成首次A輪融資，本輪融資的參與者包括imec.xpand、PMV、imec、KBC和SFPIM。
2024-03-18 09:15:33201 瑞薩日前宣布，公司已基于STT-MRAM的電路技術(shù)開(kāi)發(fā)出具有快速讀寫(xiě)能力的測(cè)試芯片。該MCU 測(cè)試芯片采用 22 納米工藝制造，包括一個(gè) 10.8Mbit嵌入式 MRAM 存儲(chǔ)單元陣列。
2024-03-05 10:05:46192 
三星電子近日在硅谷成立了一支全新的AI芯片開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)，以加速在人工智能領(lǐng)域的布局。這支團(tuán)隊(duì)由前谷歌研究員Woo Dong-hyuk領(lǐng)導(dǎo)，他在谷歌期間曾是設(shè)計(jì)張量處理單元（TPU）平臺(tái)的核心成員之一。
2024-02-22 14:43:38244 MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過(guò)隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí)，MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會(huì)有高電阻。
2024-02-19 11:32:41367 
三星電子近日宣布，已在美國(guó)硅谷開(kāi)設(shè)一個(gè)新的研發(fā)（R&D）實(shí)驗(yàn)室，專(zhuān)注于下一代3D DRAM芯片的開(kāi)發(fā)。這一新實(shí)驗(yàn)室將由三星的Device Solutions America（DSA）運(yùn)營(yíng)，并負(fù)責(zé)監(jiān)督公司在美國(guó)的半導(dǎo)體生產(chǎn)活動(dòng)。
2024-01-29 11:29:25432 臺(tái)積電近日宣布，與工研院合作開(kāi)發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，該芯片具有極低的功耗，僅為其他類(lèi)似技術(shù)的1%。這一創(chuàng)新技術(shù)為次世代存儲(chǔ)器領(lǐng)域帶來(lái)了新的突破。
2024-01-22 15:44:472345 據(jù)報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電在次世代MRAM存儲(chǔ)器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進(jìn)展。該公司成功開(kāi)發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創(chuàng)新的運(yùn)算架構(gòu)，使其功耗僅為其他類(lèi)似技術(shù)的1%。
2024-01-19 14:35:126646 臺(tái)積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展，成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線，并積累了大量?jī)?nèi)存和車(chē)用市場(chǎng)訂單。
2024-01-18 16:44:044838 MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過(guò)隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí)，MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會(huì)有高電阻。
2024-01-09 11:15:26197 
最近，Imec公布的超大規(guī)模自旋軌道轉(zhuǎn)移MRAM (SOT-MRAM) 器件已實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的性能，每比特開(kāi)關(guān)能量低于100飛焦耳，耐用性超過(guò)10的15次方。
2024-01-05 11:47:18428 
三星電子做出上述決定是基于BOE有可能收購(gòu)LG Display在中國(guó)廣州的液晶顯示器（LCD）工廠，以及三星Display的QD-OLED和LG Display的W-OLED制造成本差異等2個(gè)主要背景。
2024-01-03 16:03:38490 請(qǐng)問(wèn)一下電機(jī)的星三角啟動(dòng)是不是降低電機(jī)的啟動(dòng)電流的啊，還是其他的原因
2023-12-13 08:09:25
三星將從明年開(kāi)始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計(jì)劃等。當(dāng)投資者詢(xún)問(wèn)三星今后將開(kāi)發(fā)的技術(shù)時(shí)，管理人員公開(kāi)了有關(guān)LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:16324 目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對(duì)MRAM的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。
2023-11-22 14:43:53213 
西門(mén)子電機(jī)繞組重繞后，星三角啟動(dòng)角型切換時(shí)跳空開(kāi)，電機(jī)保養(yǎng)廠商說(shuō)可能線圈繞組順序換了，只要把線圈首尾端換后就能啟動(dòng)，西門(mén)子電機(jī)有這種現(xiàn)象，有誰(shuí)遇到過(guò)這種情況嗎？原因是什么？
2023-11-09 07:17:20
日本定制芯片開(kāi)發(fā)商 Socionext 發(fā)布了業(yè)界首款 32 核數(shù)據(jù)中心級(jí)芯片，該芯片將采用臺(tái)積電 2nm 級(jí)制造工藝制造。
2023-10-30 18:21:37487 1.1V
DCDC ，極大 的 精簡(jiǎn)了 外圍電路 。
SL6340支持符合 USB IF規(guī)范的 的 BC1.2快充 協(xié)議， 他 可以 為 蘋(píng)果、三星 設(shè)備
提供 最高 1.5A的 充電 電流
2023-10-20 18:20:58
此前，micronet分析說(shuō)：“如果三星收購(gòu)emejin，將確保世界最高的Micro OLED技術(shù)，從而彌補(bǔ)三星顯示器技術(shù)積累不足的缺點(diǎn)。”三星電子的xr事業(yè)將獲得優(yōu)先權(quán)，明年還可以獲得蘋(píng)果的xr訂單，中小規(guī)模的amoled復(fù)制成功經(jīng)驗(yàn)。
2023-10-20 11:03:40764 GPS定位到三顆星為什么還不能實(shí)現(xiàn)定位？
2023-10-16 06:58:02
繼三月份收購(gòu)一家氮化鎵廠商后，英飛凌又將一家芯片企業(yè)收入囊中。 10月4日 ，英飛凌宣布已收購(gòu)了總部位于蘇黎世的初創(chuàng)公司3db Access AG（3db），這家公司是安全低功耗超寬帶（UWB）技術(shù)
2023-10-13 08:39:27329 1. OpenAI 考慮自研AI 芯片？傳已在評(píng)估潛在收購(gòu)目標(biāo) ? 有媒體報(bào)道，ChatGPT開(kāi)發(fā)商OpenAI正在探求自研AI芯片的可行性，甚至已經(jīng)在評(píng)估潛在的收購(gòu)目標(biāo)。 ? 目前OpenAI尚未
2023-10-07 11:04:00485 亙存科技成立于2019年，是一家以mram技術(shù)為中心，致力于設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和銷(xiāo)售相關(guān)產(chǎn)品的Fabless企業(yè)。總公司設(shè)在深圳，在上海、蘇州等地設(shè)有r&d中心和支持團(tuán)隊(duì)。
2023-09-20 10:27:21660 本文檔描述了按嚴(yán)重程度分類(lèi)的勘誤表。
每種描述都包括：
?勘誤表的當(dāng)前狀態(tài)。
實(shí)現(xiàn)偏離規(guī)范和發(fā)生錯(cuò)誤行為所需的條件的?。
?關(guān)于典型應(yīng)用的勘誤表的含義。
在可能的情況下使用?解決辦法的應(yīng)用程序和限制
2023-09-01 07:34:56
作為一種磁性技術(shù)，MRAM本質(zhì)上是抗輻射的。這使得獨(dú)立版本在航空航天應(yīng)用中很受歡迎，而且這些應(yīng)用對(duì)價(jià)格的敏感度也較低。它相對(duì)較大，在內(nèi)存領(lǐng)域，尺寸意味著成本。
2023-08-30 15:28:50407 本文檔描述了按嚴(yán)重程度分類(lèi)的勘誤表。
每種描述都包括：·缺陷的當(dāng)前狀態(tài)·實(shí)施偏離規(guī)范的情況和發(fā)生錯(cuò)誤行為的條件·勘誤表對(duì)典型應(yīng)用程序的影響·可能的情況下，“變通辦法”的應(yīng)用和限制本文檔描述的勘誤表可能會(huì)影響正在開(kāi)發(fā)將在此ARM產(chǎn)品的實(shí)施上運(yùn)行的軟件的任何人。
2023-08-24 07:13:36
收購(gòu)eMagin可以加快三星顯示OLEDoS面板的研發(fā)進(jìn)度。繼蘋(píng)果于今年6月發(fā)布Vision Pro頭顯后，三星電子也在加速推出其XR設(shè)備。如果三星顯示能夠?qū)崿F(xiàn)OLEDoS面板的穩(wěn)定生產(chǎn)，就可以完成更多客戶(hù)的訂單。
2023-08-15 16:17:21532 納芯微擬收購(gòu)模擬芯片商昆騰微67.60%股權(quán) 日前，蘇州納芯微電子股份有限公司發(fā)布公告擬收購(gòu)昆騰微電子股份有限公司的控股權(quán)，目前納芯微已經(jīng)和昆騰微30名股東簽署了收購(gòu)《意向協(xié)議》，納芯微擬通過(guò)現(xiàn)金
2023-08-14 17:18:501078 大大降低通信成本。2 路IIC，可接多個(gè)IIC設(shè)備。1路CAN，能夠滿足汽車(chē)電子領(lǐng)域需求。
板載PCIE3.0和SATA接口，支持固態(tài)硬盤(pán)M.2，SATA硬盤(pán)，可擴(kuò)展大容量硬盤(pán)。
三星的DDR4和EMMC
2023-08-07 10:00:25
三星半導(dǎo)體與芯馳科技聯(lián)合宣布，雙方達(dá)成長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作關(guān)系，加強(qiáng)在車(chē)規(guī)芯片領(lǐng)域的深度合作。為進(jìn)一步推動(dòng)車(chē)規(guī)半導(dǎo)體的系統(tǒng)集成和適配項(xiàng)目，芯馳科技將在全場(chǎng)景車(chē)規(guī)芯片的參考方案開(kāi)發(fā)中引入三星半導(dǎo)體的高性能存儲(chǔ)芯片，共同推進(jìn)雙方在車(chē)載領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新與突破。
2023-08-03 17:29:15679 Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無(wú)限的耐用性。對(duì)于需要使用最少數(shù)量的引腳來(lái)快速存儲(chǔ)、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言，是最為理想的存儲(chǔ)器。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262 MRAM在數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中，數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復(fù)地將重要數(shù)據(jù)保存于設(shè)備的過(guò)程。可以記錄系統(tǒng)內(nèi)外部發(fā)生的事件；使用歷史；環(huán)境參數(shù) ；機(jī)器狀態(tài)；用于分析目的的其他數(shù)據(jù)。因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫(xiě)入速度與高耐久性。
2023-06-20 17:06:22219 與開(kāi)發(fā)板不完全一樣。
閃存芯片
開(kāi)發(fā)板上的閃存芯片是：KLM8G1GETF-B041
主要規(guī)格信息如下：
型號(hào)：KLM8G1GETF-B041
制造商：SAMSUNG（三星半導(dǎo)體）
功能類(lèi)別：嵌入式存儲(chǔ)器
2023-06-10 12:26:35
1.概述
XSP16 是一款集成 USB Power Delivery PD3.1 快充協(xié)議、PD2.0/3.0 快充協(xié)議、QC2.0/3.0 快充協(xié)議、華為 FCP 協(xié)議和三星 AFC 協(xié)議
2023-06-01 22:14:22
供應(yīng)SC2002A芯片替代料XPD720 pps快充協(xié)議芯片支持三星 AFC 協(xié)議，提供XPD720關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車(chē)載充電器等設(shè)備的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-06-01 10:10:41
Everspin型號(hào)MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲(chǔ)芯片，組織為16位的65536個(gè)字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫(xiě)時(shí)序，續(xù)航時(shí)間無(wú)限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時(shí)間內(nèi)始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 ）2.0/3.0 以及 PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0 快充協(xié)議、華為 FCP/SCP/HVSCP 快充協(xié)議、三星 AFC 快充協(xié)議、BC1.2 DC
2023-05-31 17:22:55
（PD3.0）以及 PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0 快充協(xié)議、華為 FCP/SCP 快充協(xié)議、三星 AFC 快充協(xié)議、BC1.2 DCP以及蘋(píng)果設(shè)備 2.4A
2023-05-31 16:25:58
供應(yīng)XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車(chē)載充電器等設(shè)備的USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-30 14:24:29
） 3.1 以及 PPS、QC3.0+/3.0/2.0 快充協(xié)議、華為 FCP/SCP/HVSCP 快充協(xié)議、三星 AFC 快充協(xié)議、VOOC快充協(xié)議、MTK PE
2023-05-29 16:30:29
供應(yīng)XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級(jí)代理富滿，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車(chē)載充電器等設(shè)備提供高性?xún)r(jià)比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-29 11:37:36
供應(yīng)XPD319B 20w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-單C口快充方案，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車(chē)載充電器等設(shè)備提供高性?xún)r(jià)比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-29 11:13:51
供應(yīng)XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、USB 充電設(shè)備等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-29 10:09:46
。競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星早與另一間GPU大廠AMD合作，將其圖形技術(shù)帶入到手機(jī)上，具備了硬件加速光線追蹤和可變速率著色功能。雖然首款產(chǎn)品Exynos 2200并不算很成功，但三星未來(lái)必然會(huì)延續(xù)這種做法，加深與AMD的合作。
2023-05-28 08:51:03
恩智浦和臺(tái)積電聯(lián)合開(kāi)發(fā)采用臺(tái)積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP? 借助MRAM，汽車(chē)廠商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級(jí)，消除量產(chǎn)瓶頸 恩智浦計(jì)劃于2025年初推出采用該技術(shù)
2023-05-26 20:15:02396 S32G3開(kāi)發(fā)板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B
但是我們的開(kāi)發(fā)板使用的是三星的芯片（K4FBE3D4HM THCL）。
如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片？。以及如何支持新的DDR芯片？
2023-05-23 07:15:48
1. 三星和特斯拉尋求合作 共同開(kāi)發(fā)自動(dòng)駕駛芯片等技術(shù) ? 據(jù)報(bào)道，三星電子會(huì)長(zhǎng)李在镕于5月10日與特斯拉 CEO 埃隆?馬斯克進(jìn)行了會(huì)面，討論了未來(lái)尖端產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的合作方案，這家芯片制造商與特斯拉
2023-05-15 11:10:48624
1.概述
XSP06 是一款集成 USB Power Delivery（PD2.0/3.0）快充協(xié)議，QC3.0/2.0 快充協(xié)議，和三星 AFC 快充協(xié)議（兼容 BC1.2）的 USB 多功能
2023-05-11 15:40:45
后發(fā)布了UWB技術(shù)的使用規(guī)定通知。UWB已被用于消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中，比如三星的Galaxy S21，具備“一連指”功能的小米10，配置UWB芯片的iPhone11、iPhone12等。一些芯片廠商也提供
2023-05-11 11:51:43
的裸片面積上實(shí)現(xiàn)相同的功能，從而實(shí)現(xiàn)了外設(shè)和存儲(chǔ)的更高集成度，新產(chǎn)品預(yù)計(jì)第四季度全面上市。
行業(yè)風(fēng)向
【三星將減產(chǎn)NAND閃存產(chǎn)能5%，西安廠為重點(diǎn)】
據(jù)韓媒報(bào)道，三星將在第二季度將其N(xiāo)AND產(chǎn)能
2023-05-10 10:54:09
S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲(chǔ)芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)性能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)系統(tǒng)。可以取代具有相同功能和非易失性的閃存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允許帶寬擴(kuò)展選項(xiàng)。
2023-04-27 17:33:44420 供應(yīng)XPD767BP18 支持三星pps快充協(xié)議芯片-65W和65W以?xún)?nèi)多口互聯(lián)，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-26 10:22:36
） 3.0/2.0 以及 PPS、QC3.0/2.0CLASS B 快充協(xié)議、華為 FCP/SCP 快充協(xié)議、三星 AFC 快 充協(xié)議、VOOC 2.0 快充協(xié)議、B
2023-04-25 14:44:51
） 3.0/2.0 以及 PPS、QC3.0/2.0CLASS B 快充協(xié)議、華為 FCP/SCP 快充協(xié)議、三星 AFC 快 充協(xié)議、VOOC 2.0 快充協(xié)議
2023-04-25 11:44:53
相星三角變壓器，初級(jí)側(cè)Y連接，次級(jí)側(cè)三角形連接，如下圖所示。極性標(biāo)記在每個(gè)相位上都標(biāo)明。繞組上的點(diǎn)表示在未接通的端子上同時(shí)為正的端子。 星側(cè)的相位標(biāo)記為A，B，C，三角洲側(cè)的相位標(biāo)記為a，b，c
2023-04-20 17:39:25
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462538 中的波形，我發(fā)現(xiàn) iMX RT1024 SRAM 操作存在一個(gè)問(wèn)題。MR5A16A
MRAM 聲明地址線必須在
芯片啟用變低時(shí)有效iMX RT1024 參考手冊(cè)指出，
芯片啟用在地址有效之前變?yōu)榈碗娖?/div>
2023-04-17 07:52:33
快充協(xié)議、華為FCP 協(xié)議和三星 AFC 快充協(xié)議（兼容 BC1.2）的 USB Type-C 多功能取電芯片，支持和其它 MCU共用 D+D-網(wǎng)絡(luò)，自動(dòng)識(shí)別電腦或充電器。支持從充電器/車(chē)充等電源上
2023-04-11 10:38:57
STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執(zhí)行）功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制。SPl（串行外圍接口）是一個(gè)帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號(hào)的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758 產(chǎn)品會(huì)取代獨(dú)立存儲(chǔ)器目前各廠商已經(jīng)基本掌握了用于實(shí)現(xiàn)第一階段應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。在車(chē)載MCU中,通常是將設(shè)備工作時(shí)使用的sram存儲(chǔ)器和用于存放程序的閃存集成在同一塊芯片上。如果能夠?qū)⒆孕⑷?b class="flag-6" style="color: red">MRAM集成到
2023-04-07 16:41:05
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運(yùn)行，但還允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員利用MRAM的四倍隨機(jī)存取周期時(shí)間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
STM32開(kāi)發(fā)板 STM32F103RCT6最小系統(tǒng)板 ARM 一鍵串口下載 液晶屏
2023-04-04 11:05:04
N32G430C8L7_STB開(kāi)發(fā)板用于32位MCU N32G430C8L7的開(kāi)發(fā)
2023-03-31 12:05:12
高性能32位N32G4FRM系列芯片的樣片開(kāi)發(fā)，開(kāi)發(fā)板主MCU芯片型號(hào)N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12
在PLC(可編程邏輯控制器)產(chǎn)品中，MRAM芯片的應(yīng)用也日漸普及，本文將介紹MRAM芯片應(yīng)用于PLC產(chǎn)品上的特性。--代理商：吉芯澤科技
2023-03-29 16:31:221168 
HiHope 滿天星智能家居開(kāi)發(fā)套件
2023-03-28 13:07:10
ATK-Mini Linux開(kāi)發(fā)板-EMMC
2023-03-28 13:05:54
ATK-Mini Linux開(kāi)發(fā)板-NAND
2023-03-28 13:05:54
TI CC2541開(kāi)發(fā)套件
2023-03-25 01:27:25
主芯片 I.MX8M 開(kāi)發(fā)板
2023-03-24 15:06:54
主芯片 I.MX8M 開(kāi)發(fā)板
2023-03-24 15:06:54
主芯片 MPSOC 開(kāi)發(fā)板
2023-03-24 15:06:53
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